由于 EBL 刻写精度很高，因此写满整个 Wafer 需要比较长的时间，因此电子束电流，电子束定位， 电子束电流分布均一性在长时间内的稳定性就显得尤为重要，这对大范围内的图形制备非常关键。

CRESTEC CABL 系列采用其独有的技术使其具有高的电子束稳定性以及电子束定位精度，在大范围内可以实现图形的高精度拼接和套刻。

该图是在 2 英寸 wafer 上，采用 50 um 的图案进行拼接，写满整个片子，其拼接精度低于 10 nm.（实验室数据）。Stitching accuracy for slant L&S ＜10nm

CRESTEC CABL 系列还可以加工制备 10 nm 以下的线条，无论半导体行业还是在其它域

CRESTEC 的电子束光刻产品都发挥了巨大的作用。

主要特点：

1.采用高亮度和高稳定性的 TFE 电子枪

2.出色的电子束偏转控制技术 3.采用场尺寸调制技术，电子束定位分辨率（address size)可达 0.0012nm

4.采用轴对称图形书写技术，图形偏角分辨率可达 0.01mrad

5.应用域广泛，如微纳器件加工，Si/GaAs 兼容工艺，研究用掩膜制造，纳米加工

超高分辨率的电子束光刻 CABL-UH 系列的型号包括：

CABL-UH90 (90keV) 、CABL-UH110 (110keV) 、CABL-UH130 (130keV)

技术参数：

加速电压：高 130keV

单段加速能力达到 130keV，尽量减少电子枪的长度超短电子枪长度，无微放电

电子束直径＜1.6nm 小线宽＜7nm

双热控制，实现超稳定直写能力