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InGaAs红外图像传感器
点击次数：650
价格：￥电议
更新日期：2026/4/13 21:06:44
生 产 地：
产品型号：InGaAs
商家名片
石*
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相关标签：InGaAs红外图像传感器
详细内容
红外图像传感器
InGaAs红外图像传感器是一种用来探测红外光谱的半导体探测器。这种探测器被广泛的应用在谷物色选机和光谱测量仪器中。
欢迎您登陆滨松中国全新中文网站 http://www.hamamatsu.com.cn/ 查看该产品更多详细信息、下载文件！
产品列表
| 产品图像 | 产品型号 | 产品名称 | 感光面积 | 像素尺寸 | 像素间距 | 总像素个数 | 制冷 | 线/帧速率 | 光谱响应范围 |
 | G11620-512DA | 铟镓砷线阵图像传感器 | 12.8 x 0.5 mm | 25 x 500 µm | 25 µm | 512 | 非制冷 | 1830 lines/s | 950 to 1700 nm |
 | G10768-1024D | 铟镓砷线阵图像传感器 | 25.6 x 0.1 mm | 25 x 100 µm | 25 µm | 1024 | 非制冷 | 39000 lines/s | 900 to 1700 nm |
 | G10768-1024DB | 铟镓砷线阵图像传感器 | 25.6 x 0.025 mm | 25 x 25 µm | 25 µm | 1024 | 非制冷 | 39000 lines/s | 39000 lines/s |
 | G11135-512DE | 铟镓砷线阵图像传感器 | 12.8 x 0.025 mm | 25 x 25 µm | 25 µm | 512 | 非制冷 | 8760 lines/s | 0.95 to 1.7 nm |
 | G9201-256S | 铟镓砷线阵图像传感器 | 12.8 x 0.25 mm | 50 x 250 µm | 50 µm | 256 | 一级TE制冷 | 1910 lines/s | 900 to 1670 nm |
 | G9202-512S | 铟镓砷线阵图像传感器 | 12.8 x 0.25 mm | 25 x 250 µm | 25 µm | 512 | 一级TE制冷 | 970 lines/s | 900 to 1670 nm |
 | G9203-256D | 铟镓砷线阵图像传感器 | 12.8 x 0.5 mm | 12.8 x 0.5 mm | 50 µm | 256 | 非制冷 | 1910 lines/s | 900 to 1700 nm |
 | G9203-256S | 铟镓砷线阵图像传感器 | 12.8 x 0.5 mm | 50 x 500 µm | 50 µm | 256 | 一级TE制冷 | 1910 lines/s | 900 to 1670 nm |
 | G9204-512D | 铟镓砷线阵图像传感器 | 12.8 x 0.5 mm | 25 x 500 µm | 25 µm | 512 | 非制冷 | 970 lines/s | 900 to 1700 nm |
 | G9204-512S | 铟镓砷线阵图像传感器 | 12.8 x 0.5 mm | 25 x 500 µm | 25 µm | 512 | 一级TE制冷 | 970 lines/s | 900 to 1670 nm |
| 产品图像 | 产品型号 | 产品名称 | 感光面积 | 像素尺寸 | 像素间距 | 总像素个数 | 制冷 | 线/帧速率 | 光谱响应范围 |
 | G9205-256W | 铟镓砷线阵图像传感器 | 12.8 x 0.25 mm | 50 x 250 µm | 50 µm | 256 | 两级TE制冷 | 1910 lines/s | 900 to 1850 nm |
 | G9206-256W | 铟镓砷线阵图像传感器 | 12.8 x 0.25 mm | 50 x 250 µm | 50 µm | 256 | 两级TE制冷 | 1940 lines/s | 900 to 2050 nm |
 | G9207-256W | 铟镓砷线阵图像传感器 | 12.8 x 0.25 mm | 50 x 250 µm | 50 µm | 256 | 两级TE制冷 | 1940 lines/s | 900 to 2250 nm |
 | G9208-256W | 铟镓砷线阵图像传感器 | 12.8 x 0.25 mm | 50 x 250 µm | 50 µm | 256 | 两级TE制冷 | 1940 lines/s | 900 to 2550 nm |
 | G9211-256S | 铟镓砷线阵图像传感器 | 12.8 x 0.25 mm | 50 x 250 µm | 50 µm | 256 | 一级TE制冷 | 1940 lines/s | 900 to 1670 nm |
 | G9212-512S | 铟镓砷线阵图像传感器 | 12.8 x 0.25 mm | 25 x 250 µm | 25 µm | 512 | 一级TE制冷 | 970 lines/s | 900 to 1670 nm |
 | G9213-256S | 铟镓砷线阵图像传感器 | 12.8 x 0.5 mm | 50 x 500 µm | 50 µm | 256 | 一级TE制冷 | 1940 lines/s | 900 to 1670 nm |
 | G9214-512S | 铟镓砷线阵图像传感器 | 12.8 x 0.5 mm | 25 x 500 µm | 25 µm | 512 | 一级TE制冷 | 970 lines/s | 900 to 1670 nm |
 | G9494-256D | 铟镓砷线阵图像传感器 | 12.8 x 0.05 mm | 50 x 50 µm | 50 µm | 256 | 非制冷 | 7200 lines/s | 900 to 1700 nm |
 | G9494-512D | 铟镓砷线阵图像传感器 | 12.8 x 0.025 mm | 25 x 25 µm | 25 µm | 512 | 非制冷 | 3750 lines/s | 900 to 1700 nm |
 | G11097-0606S | 铟镓砷面阵图像传感器 | 3.2×3.2 mm | 50 x 50 µm | 50 µm | 4096 | 一级TE制冷 | 1031 frames/s | 950 to 1670 nm |
 | G11097-0707S | 铟镓砷面阵图像传感器 | 6.4×6.4 mm | 50 x 50 µm | 50 µm | 16384 | 一级TE制冷 | 279 frames/s | 950 to 1700 nm |
应用领域
微弱光分析
荧光探测
光子计数器
PET
DNA测序
环境分析仪器
高能物理
InGaAs红外图像传感器
