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高速InGaAs光电二极管FD-100系列
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详细内容
高速InGaAs光电二极管-FD100系列
fermionics是一家独立的InGaAs光电二极管制造商,用于光通信、测试仪器、传感等应用。在费米公司,我们专注于质量、及时交付和客户设计要求,于满足多样化客户群的需求。该公司于1991年在加利福尼亚州成立并注册成立。
Fermionics FD100 系列为 100 µm 有源区 InGaAs PIN 光电二极管,面向 1310/1550 nm 中高速通信与测试,以大光斑耦合、低暗电流、亚纳秒响应与多样封装为核心,适合 10G/25G/40G ROSA、高速光模块与仪器接收端,兼顾耦合容差与成本。

(FD100W图片)
高速InGaAs光电二极管FD-100系列核心原理与结构:
平面钝化 PIN,宽带增透膜,响应 900–2600 nm,典型 1310/1550 nm。
反向偏置耗尽层吸收光子,低电容支撑 GHz 级带宽与亚纳秒上升 / 下降。
速度由结电容与负载决定,50 µm 较 80 µm 更小,带宽更高、耦合更。
高速InGaAs光电二极管FD-100系列性能优势:
超高速低噪声:0.25–0.4 pF、100–200 ps,适合 40G/100G/200G 与高速测试。
低回损可选:尾纤端面斜切(如 8°),回损≥40 dB,减少系统反射噪声。
灵活集成:TO、陶瓷衬底、表面贴装、尾纤 / 连接器,适配原型到量产。
工业可靠:-40 至 + 85 °C,高稳定性,适合户外与数据中心。
高速InGaAs光电二极管FD-100系列应用场景:
超高速光通信:40G/100G/200G ROSA、相干接收、数据中心 DCI,1310/1550 nm 链路。
微波光子学:光生微波、光电混频、ROF 系统,低电容与高线性。
高速InGaAs光电二极管FD-100系列选型建议:
超高速通信:选 FD50S8‑F/F8,尾纤 / 连接器耦合,低回损,适配 ROSA 与相干接收。
测试仪器:FD50W/FD50L,平窗 / 球透镜,易与准直光 / 自由空间系统对接。
高频 PCB:FD50S2/S3,陶瓷衬底,低热阻、低寄生,支持表面贴装。
低回损:指定尾纤端面斜切(如 8°),回损≥40 dB,减少系统抖动与误码。
FD100系列产品类型:
| FD100W | 100微米有源直径InGaAs光电二极管安装在TO18接口内,配有平坦的AR涂层窗口 |
| FD100L | 100微米有源直径InGaAs光电二极管安装在TO46接口内,带球形透镜 |
| FD100S2 | 100微米活性直径InGaAs光电二极管安装在S2型氧化铝陶瓷子支架上 |
| FD100S3 | 100微米活性直径InGaAs光电二极管安装在S3型氧化铝陶瓷子支架上 |
| FD100FC | 100微米有源直径InGaAs光电二极管,置于TO46插头,带对焦镜头,校准于带2孔法兰的FC连接器插座内 |
| FD100FCB | 100微米有源直径InGaAs光电二极管,置于TO46接口,带对焦镜头,并安装在PCB/面板安装的FC连接器插座中 |
| FD100SC | 100微米有源直径InGaAs光电二极管,置于TO46插头,带对焦镜头,并对齐于PCB/面板式SC连接器插座中 |
| FD100ST | 100微米主动直径InGaAs光电二极管,置于TO46头段,带对焦镜头,校准于Radiall ST插座 |
| FD100F-(光纤类型/连接器) | TO46轴向封装尾线组件中的100微米活性直径InGaAs光电二极管。可选定制光纤和连接器终端。 |
| FD100F8-(光纤类型/连接器) | TO46轴向封装尾线组件中的100微米活性直径InGaAs光电二极管。内部纤维抛光角度为8°,以实现低背反射。提供定制单模光纤和连接器终端。 |
FD100 芯片系列规格表:
| ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T=25°C) | ||
| PARAMETER | RATING | UNITS |
| Storage Temperature | - 40 to +100 | ℃ |
| Operating Temperature | - 40 to +85 | ℃ |
| Forward Current | 5 | mA |
| Reverse Current | 0.5 | mA |
| Reverse Voltage | 30 | V |
| Optical and Electrical Characteristics (T = 25°C) | |||||
| Parameter | Test Conditions | Min | Typ | Max | Units |
| Responsivity(R) | λ = 1300 nm λ = 1550 nm | 0.80 0.85 | 0.90 0.95 | A/W | |
| dark current(Id) | Vr = 5V | 0.5 | 3 | nA | |
| Rise / Fall Time(Tr / Tf) | Vr = 5V | 0.3 | 0.7 | ns | |
| Capacitance(C) | Vr = 5V | 1.1 | 1.5 | pF | |
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