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上海屹持光电技术有限公司 主营产品:测距仪,激光测距仪,红外热像仪,光学类仪表,电化学发光检测仪,光学计量仪器

第4年

当前位置: 阿仪网 > 光学仪器 > 光学元器件 > 其他 > 上海屹持光电技术有限公司 > 产品展示 > 太赫兹器件 > 太赫兹光电导天线 > 太赫兹光电导天线 THz天线LT-GaAs PCA

太赫兹光电导天线 THz天线

价格:¥ 电议

品牌名称:$brandModel.Title型号:LT-GaAs PCA 原产地:中国大陆 更新时间:2026/9/21 7:50:11

产品摘要:LT-GaAs PCA,太赫兹光电导天线 低温砷化镓天线,太赫兹天线

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详细内容

自由空间太赫兹发射器(太赫兹光电导天线)

自由空间的太赫兹发射器由一个光电导天线和高阻硅透镜封装而成。我们通常使用低温生产的GaAs(LT-GaAs)或者GaBiAs作为光电导材料。不同的光电导材料适用于不同的激发波长。

左图:太赫兹光电导天线,右图:太赫兹光电导发射天线电结构

太赫兹光电导发射天线参数规格

LT-GaAs太赫兹光电导天线 GaBiAs太赫兹光电导天线
激发功率:<50mW, 典型值30mW 激发功率:<20mW
偏置电压:<50V, 典型值40V 偏置电压:<50V,典型值40V
集成高阻硅透镜 集成高阻硅透镜
激发波长:800±40nm 激发波长:1050±40nm
封装XY二维调节架,调节范围±3mm 封装XY二维调节架,调节范围±3mm

自由空间太赫兹探测天线(太赫兹光电导天线)

左图:封装有电流放大器的太赫兹探测天线,右图:探测天线电结构

太赫兹光电导天线探测器参数规格

LT-GaAs太赫兹光电导天线 GaBiAs太赫兹光电导天线
激发功率:<50mW 激发功率:<20mW
集成预放大器 集成预放大器
集成高阻硅透镜 集成高阻硅透镜
探测太赫兹带宽:5THz@100fs激光脉宽 探测太赫兹带宽:5THz@70fs激光脉宽
太赫兹频谱峰值位置:500GHz 太赫兹频谱峰值位置:500GHz
激发波长:800±40nm 激发波长:1060±40nm
封装XY二维调节架,调节范围±3mm 封装XY二维调节架,调节范围±3mm

Teravil太赫兹光电导天线结构图,该结构设计中高阻硅透镜的位置可以微调,从而可以调节输出或者接收太赫兹的光束位置。在实际搭建太赫兹时域光谱仪系统的过程中非常方便实用。


Teravil太赫兹光电导天线产品型号列表

型号 太赫兹发射天线 太赫兹接收天线
EMT-08 EMT-10 DET-08 DET-10
太赫兹光电导天线
光电导天线衬底材料 LT-GaAs GaBiAs LT-GaAs GaBiAs
光电导天线尺寸 5 × 1.5 mm
厚度 600 µm
光电导天线类型 线条型 偶型
偏置电压 高50 V, 典型值40 V ±12V
太赫兹中心频率 ~0.5THz 0.5THz
可探测太赫兹光谱宽度 / / 高至5THz
集成高阻硅透镜
材料 高阻抗硅材料HRFZ-Si
透镜类型 超半球,半球透镜
太赫兹波输出 平行光,或者发散光(根据封装透镜的类型而定)
X-Y可调节范围 ±3mm
激发激光参数
激发波长 800±40 nm 1060±40 nm 800±40 nm 1060±40 nm
平均功率 <50 mW <20 mW <50 mW <20 mW
脉冲宽度 <150 fs
重复频率 20-100 MHz
光束轮廓 高斯形光束
光束直径 ~2mm

型号列表

型号 描述
EMT-8 800nm太赫兹发射天线 封装硅透镜,配送同轴线BNC接头
DET-8 800nm太赫兹接收天线 封装硅透镜,配送同轴线BNC接头
DET-8-PAM 800nm太赫兹接收天线内置置放大器 封装硅透镜,配送同轴线BNC接头,内置置放大器
EMT-10 1060nm太赫兹发射天线 封装硅透镜,配送同轴线BNC接头
EMT-10 1060nm太赫兹接收天线 封装硅透镜,配送同轴线BNC接头
MNT 太赫兹发射接收天线安装架 包含用于聚焦激发光的透镜,该透镜安装在一个XYZ三维调节架上
TMS-100 偏置电压发生器 30⁻⁷0V直流或方波电压
PAM 置放大器(带电源) 电压-电流转换器,10^6V/A增益



热门标签:太赫兹光电导天线,低温砷化镓天线,太赫兹天线发射器

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