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更新时间:2026/10/9 13:03:25关注度:732
关键词标签:光刻胶,进口光刻胶,试验光刻胶
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PI-2600 系列的配方设计极其强调“高模量(High modulus)”和“低热膨胀(Low CTE)”,固化后形成的薄膜非常坚硬且尺寸极其稳定。这种特性让它成为了以下场景的“救星”:
MEMS 微型结构支撑层:在制作微机电系统(MEMS)时,需要极其稳定的结构层。PI-2600 的低应力和高刚性使其成为制造 MEMS 双稳态热执行器等精密可动微结构的理想材料。
封装应力释放(Stress Buffer):在晶圆级封装(WLCSP)或 2.5D/3D 封装中,不同材料的热膨胀差异会导致晶圆严重翘曲。PI-2600 的 CTE 极低,且与无机薄膜接近,能有效“拉住”晶圆,大幅降低冷却后的残余热应力。
高可靠性介电层/绝缘层:凭借其高致密度和耐高温特性,常作为芯片上下层电路之间的高耐压绝缘层。
通孔填充(Via Plug):利用液态旋涂的特性,它可以完美浸润并填充硅通孔(TSV)或盲孔,经固化后形成坚固的聚合物塞子,防止后续焊料回流时渗入底部破坏芯片。
相比于需要光刻图形化的材料,PI-2600 胜在“物理极限性能”:
性能指标 | PI-2600 系列典型值 | 普通非感光 PI (如PI-2525) | 感光性 PSPI (如HD-4100) | 差异解读 |
|---|---|---|---|---|
感光类型 | 非感光 (Non-photosensitive) | 非感光 | 负性感光 | 必须配合光刻胶和干法刻蚀进行图形化 |
图形化方式 | 干法刻蚀 / 激光烧蚀 | 光刻胶掩膜 + 刻蚀 | 紫外曝光 + 显影 | 工序较多,但侧壁最垂直,尺寸精度极高 |
热膨胀系数 (CTE) | 极低 (通常 < 20 ppm/℃) | 约 30~40 ppm/℃ | 20~50 ppm/℃ | CTE ,抗翘曲能力最强 |
杨氏模量 | 极高 (High Modulus) | 中等 | 中等 | 固化后薄膜极其坚硬,支撑力强 |
固化温度 | 250 ℃ ~ 350 ℃ | 250 ℃ ~ 350 ℃ | 250 ℃ ~ 390 ℃ | 兼容中低温固化工艺 |
典型膜厚 | 1 µm ~ 9 µm (依型号分) | 3 µm ~ 15 µm | 3 µm ~ 20 µm | 覆盖超薄到中等厚度,如 PI-2610/2611 |