当前位置： 阿仪网 > 光学仪器 > 光学元器件 > 其他 > 筱晓（上海）光子技术有限公司 > 产品展示 > 光电探测器 > InGaAs铟镓砷光电探测器 > 1.25-2.5Gbps InGaAs Analog PIN PD Chip φ55um
1.25-2.5Gbps InGaAs Analog PIN PD Chip φ55um
价格：￥电议
品牌名称：$brandModel.Title型号： 原产地：中国大陆 更新时间：2026/9/21 9:08:36
支付方式：
- 支付宝 微信 银行转账
产品完善度： 访问次数：642
半导体连续激光器
其它连续激光器
光电探测器
- MCT碲镉汞探测器
- 超快光电探测器/EOT/量子阱
- InGaAs铟镓砷光电探测器
- InGaAs铟镓砷光电二管
- Si硅光电二管
- Si硅光电探测器
- InP磷化铟光电探测器
- 砷化铟InAs / 铟砷锑InAsSb
- Ge锗光电二管
- Ge锗光电探测器
- X射线/位敏/其它光电探测器
- 光电倍增管PMT/混合光电检测器HPD/模块/组件
- 单光子探测器/计数器
- PbSe硒化铅光电探测器
- 探测器芯片
- 其他光电探测器
脉冲激光器
光纤/光纤器件/光纤处理
- 中红外光纤
- 特种光纤
- 掺杂光纤(有源光纤)
- 无源光纤
- 金属化光纤
- 高非线性光纤(HNLF)
- 光子晶体光纤（PCF）
- 偏振(PZ)光纤
- 光纤光栅(FBG)器件
- MFA光纤模场(模式)匹配器
- 光纤跳线/连接器/光纤束/光缆
- 其它光纤器件
- 光纤拉锥/研磨/抛光机
- 光纤加工/传感/边抛/微纳
- 光纤切割/涂覆/拉伸/端面质检器件
光源(激光器)
光学有源器件
- 电光转换模块
- 声光调制器/偏转器/移频器
- 光纤拉伸器/高压模块/PZT调制
- 光纤放大器
- 时频分配与同步
- 电光/相位/强度调制(移相/倒相器)
- 激光器驱动(模块/电源)
- 电信号放大器/RF放大器
- 信号解调(锁相放大器/混频器等)
- 斩波器/光开关/脉冲选择器
- 信号源/信号发生器/任意波形器
- 增益芯片GC/增益模块GM
- 偏振调制
- 光束控制系统
- 激光稳频设备
- 空间光调制
- 信号转换/采集卡/DTS/DAS/DVS光纤传感
- 转镜
- 光放大器
光学无源器件
- 分光镜,分束/合束器,波分复用
- 透镜、准直器
- 窗片/晶体/棱镜
- 激光反射镜
- 偏振元器件
- 光栅/光色散器件
- 光隔离器/光旋转器/旋转镜
- 非线性模块(倍频/波长转换)
- 光纤耦合器
- 滤波器/滤光片
- 延迟线
- 光衰减器
- 光束整形器/变形镜
- 其他光学无源器件
- 滤波片/滤光片
- 光环形器
- 色散补偿模块及跳线
光学测量仪器
- 成像、感光仪器
- 波分析仪/波传感器
- 观察镜/观察仪
- 探测卡/荧光感应卡/显示卡
- 显微镜/OCT扫频/测振/磁光克尔
- 波长计
- 干涉仪/标准具
- 光斑分析仪 光束分析仪
- 脉宽测量(相关仪等)
- 光谱分析仪
- 自准直仪
- 光度仪/反射计
- 功率计
- 六维测量系统/高精密运动平台
- 示波器
- 精密定位/光学平台
- 线宽测量分析仪
- 偏振分析仪/旋光仪
太赫兹系统
加工定制产品
相机/镜头/机器视觉
企业档案
会员类型：旗舰版
已获得阿仪网信誉 等级评定
(0 -40)基础信誉积累，可浏览访问
(41-90)良好信誉积累，可接洽商谈
(91+ )优质信誉积累，可持续信赖
阿仪网旗舰版会员：5年
工商认证 【已认证】
最后认证时间：
注册号： 【已认证】
法人代表： 【已认证】
参观次数：1407258
详细内容
1.25-2.5Gbps InGaAs Analog PIN PD Chip φ55um
本系列其它产品型号 共5条
| 名称 | 型号 | |
|---|---|---|
| 1.25-2.5Gbps InGaAs Analog PIN PD Chip φ70um | OS-PD70M | 响应范围：900-1650nm；响应度：0.8-0.95A/W；暗电流：0.1-0.5nA；电容：0.33-0.4pF；带宽：3.0GHz；有效区直径：70um |
| 15Gbps InGaAs Analog PIN PD Chip φ45um | OS-PD1545M | 响应范围：900-1650nm；响应度：0.9A/W；暗电流：0.1-0.5nA；电容：0.07-0.1pF；带宽：15GHz；有效区直径：45um；芯片尺寸：320*250*150um |
| 20Gbps InGaAs Analog PIN PD Chip φ18um | OS-PD2518M | 响应范围：900-1650nm；响应度：0.9A/W；暗电流：0.1-0.5nA；电容：0.07-0.1pF；带宽：22GHz；有效区直径：18um；芯片尺寸：320*250*150um |
| 36Gbps InGaAs Analog PIN PD Chip φ16um | OS-PD5016M | 响应范围：900-1650nm；响应度：0.9A/W；暗电流：0.1-0.5nA电容：0.07-0.1pF；带宽：36GHz；有效区直径：16um；芯片尺寸：320*250*150um |
| InGaAs Tap-PD Chip For EDFA φ80um | OS-PD80M | 响应范围：900-1650nm；响应度：0.8-0.95A/W；暗电流：0.05-0.2nA；二阶失真：-60dBc；三阶失真：⁻⁷0dBc；带宽：1.0GHz；有效区直径：80um |
产品总览
InGaAs 模拟PIN高速光探测器芯片
产品特点
高线性度
φ55um有效面积
高响应度
顶照式平面结构
产品应用
有线电视传输
移动通信系统
EPON
规格（Tc=25℃，单颗裸芯片）
参数 | 符号 | Min. 值 | 典型值 | Max. 值 | 单位 | 测试条件 |
响应范围 | λ | 900 | 1650 | nm | ||
响应度 | R | 0.8 | 0.95 | A/W | λ=1310-1550nm | |
暗电流 | ID | 0.1 | 0.5 | nA | VR=-15V | |
电容 | C | 0.33 | 0.4 | pF | VR=-5V,f=1MHz | |
二阶失真 | CSO | ⁻⁷0 | -65 | dBc | VR=-12V | |
三阶失真 | CTB | -80 | dBc | VR=-12V | ||
带宽 | Bw | 3.0 | GHz | 3dB down,RL=50Ω | ||
有效区直径 | D | 55 | um |
热门标签：筱晓光子
