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100Gbaud InGaAs PIN PD Chip φ10um
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品牌名称：$brandModel.Title型号： 原产地：中国大陆 更新时间：2026/9/21 9:08:36
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详细内容
100Gbaud InGaAs PIN PD Chip φ10um
本系列其它产品型号 共6条
| 名称 | 型号 | |
|---|---|---|
| 15Gbps GSG InGaAs PIN PD Chip φ45um | OS-PD1545 | 响应范围：900-1650nm；响应度：0.8-0.95A/W；电容：0.10-0.13pF；带宽：15GHz；有效区直径：45um；芯片尺寸：340*250*150um |
| 25Gbps InGaAs PD Chip φ20um | OS-PD2520 | 响应范围：900-1650nm；响应度：0.8-0.9A/W；暗电流：0.01-0.1nA；电容：0.07-0.09pF；带宽：22GHz；有效区直径：20um；通道之间的中心间距(pitch)：750/250um |
| 25Gbps InGaAs PD Chip φ32um | OS-PD2532 | 响应范围：900-1650nm；响应度：0.8-0.9A/W；暗电流：0.01-0.1nA；电容：0.01-0.1pF；带宽：18GHz；有效区直径：32um |
| 28Gbaud InGaAs PIN PD Chip φ18um | OS-PD2818 | 响应范围：900-1650nm；响应度：0.8-0.9A/W；暗电流：0.01-0.1nA；电容：0.06-0.10pF；带宽：25GHz；有效区直径：18um；通道之间的中心间距(pitch)：250um |
| 56Gbaud InGaAs PIN PD Chip φ16um | OS-PD5016 | 响应范围：900-1650nm；响应度：0.8-0.9A/W；暗电流：0.02-1nA；电容：0.05-pF；带宽：36GHz；有效区直径：16um；通道之间的中心间距（pitch）：750/500/250um |
| 10Gbps InGaAs PIN PD Chip φ50um | OS-PD1050B | 响应范围：900-1650nm；响应度：0.95A/W；暗电流：0.08nA；电容：0.12pF；带宽：10GHz |
产品总览
InGaAs PIN高速光探测器芯片
产品特点
数据速率高达 200-800Gbps
底部发光平面结构
GSG 电极结构
产品应用
IEEE 200/800Gbps Ethernet
200G CWDM4,PSM4,LR4
规格（Tc=25℃，单颗裸芯片）
参数 | 符号 | Min. 值 | 典型值 | Max. 值 | 单位 | 测试条件 |
响应范围 | λ | 900 | 1650 | nm | ||
响应度 | R | 0.7 | A/W | λ=1310-1550nm | ||
暗电流 | ID | 0.1 | 1 | nA | VR=-5V | |
电容 | C | 0.06 | pF | VR=-2V,f=1MHz | ||
带宽 | Bw | 60 | GHz | VR=-2V | ||
有效区直径 | D | 10 | um | |||
通道之间的中心间距(pitch) | 750/500 | um |
热门标签：筱晓光子
