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10Gbps InGaAs APD Chip φ40um
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品牌名称：$brandModel.Title型号： 原产地：中国大陆 更新时间：2026/9/21 9:08:36
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详细内容
10Gbps InGaAs APD Chip φ40um
本系列其它产品型号 共3条
| 名称 | 型号 | |
|---|---|---|
| 2.5Gbps InGaAs APD Chip For OLTOTDR φ50um | OS-APD50S | 响应范围：900-1650nm；击穿电压：40-50V；响应：15A/W；暗电流：0.4nA；电容：0.18pF；带宽：2.5GHz；有效区直径：50um |
| 2.5Gbps InGaAs APD Chip φ50um | OS-APD50 | 响应范围：900-1650nm；击穿电压：40-50V；响应：12A/W；暗电流：0.4nA；电容：0.24pF；带宽：2.5GHz；有效区直径：50um |
| 10Gbps InGaAs APD Chip for OLT φ32um | OS-APD1032 | 响应范围：900-1650nm；击穿电压：40-50V；响应：10A/W；暗电流：100nA；电容：0.10pF；带宽：8.0GHz；有效区直径：32um |
产品总览
InGaAs雪崩光电二极管（APD）芯片
产品特点
数据速率高达 10Gbps
φ40um 有效面积
低 VBR 温度系数
高响应度顶照式平面结构
应用领域
XG-PON/XGSPON ONU
10G SONET/SDH
规格（Tc=25℃，单颗裸芯片）
参数 | 符号 | Min. 值 | 典型值 | Max. 值 | 单位 | 测试条件 |
响应范围 | λ | 900 | 1650 | nm | ||
击穿电压 | Vbr | 30 | 40 | V | ld=10uA | |
VBR温度系数 | 0.025 | V/℃ | ||||
响应 | R | 0.75 | 0.85 | A/W | M=1, λ=1550nm | |
倍增因子 | M | 10 | - | VR=Vbr-3V | ||
暗电流 | ID | 100 | nA | VR=Vbr-3V | ||
电容 | C | 0.11 | 0.12 | pF | VR=38V;f=1MHz | |
带宽 | Bw | 7.5 | GHz | 3dB down,RL=50Ω | ||
有效区直径 | D | 40 | um |
公司简介
筱晓(上海)光子技术有限公司成立于2014年，是一家被上海市评为高新技术企业和拥有“上海市专精特新企业称号”的专业光学服务公司，业务涵盖设备代理以及项目合作研发，公司位于大虹桥商务板块，拥有接近2000m²的办公区域，建有500平的AOL(Advanced Optical Labs)光学实验室，为国内外客户提供专业技术支持服务。公司主要经营光学元件、激光光学测试设备、以及光学系统集成业务。十年来，依托专业、强大的技术支持，以及良好的商务支持团队，筱晓的业务范围逐年增长。目前业务覆盖国内外各高校、科研机构及相关领域等诸多企事业单位。筱晓拥有一支核心的管理团队以及专业的研发实验室，奠定了我们在设备的拓展应用及自主研发领域坚实的基础。
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