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200um InGaAs APD Chip φ200um
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品牌名称：$brandModel.Title型号： 原产地：中国大陆 更新时间：2026/9/21 9:08:36
产品摘要：200um InGaAs APD Chip φ200um
InGaAs雪崩光电二极管（APD）芯片
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详细内容
200um InGaAs APD Chip φ200um
本系列其它产品型号 共1条
| 名称 | 型号 | |
|---|---|---|
| 500um InGaAs APD Chip φ500um | OS-APD500 | 响应范围：900-1650nm；击穿电压：40-55V；响应：30A/W；暗电流：60nA；电容：8.0pF；带宽：1GHz |
产品总览
InGaAs雪崩光电二极管（APD）芯片
产品特点
φ200um有效面积
高增益>30 @Vbr-1V
高响应度
顶照式平面结构
应用领域
激光雷达 (LiDAR)
测距仪
测量仪器
规格（Tc=25℃，单颗裸芯片）
参数 | 符号 | Min. 值 | 典型值 | Max. 值 | 单位 | 测试条件 |
响应范围 | λ | 900 | 1650 | nm | ||
击穿电压 | Vbr | 40 | 55 | V | ld=10uA | |
VBR温度系数 | 0.12 | V/℃ | ||||
响应 | R | 30 | A/W | VR=Vbr-1V | ||
暗电流 | ID | 6.0 | 20 | nA | VR=Vbr-3V | |
电容 | C | 1.6 | pF | VR=38V;f=1MHz | ||
带宽 | Bw | 2.0 | GHz | 3dB down,RL=50Ω | ||
有效区直径 | D | 200 | um | |||
芯片尺寸 | 350*350*150 | um | L*W*H |
热门标签：筱晓光子,探测器芯片
