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200-1100nm硅基偏压光电探测器，感光尺寸Φ1.0mm
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品牌名称：$brandModel.Title型号： 原产地：中国大陆 更新时间：2026/9/21 9:09:18
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详细内容
200-1100nm硅基偏压光电探测器，感光尺寸Φ1.0mm
产品总览
产品描述：
筱晓光子的硅基偏压光电探测器感光范围覆盖200nm~1100nm，噪声极低，响应快，无增益，成本低，适用于常规光电探测应用，性价比高，提供quan方位技术支持，常应用于紫外与可见光测量。
产品特点：
感光范围覆盖200nm~1100nm，常应用于紫外与可见光测量
偏压型探测器，极低噪声，快速响应，无增益
低成本，适用于常规光电探测应用
性价比高，quan方位技术支持
提供非标定制服务
应用领域：
紫外与可见光测量
主要参数：
参数 | 值 | ||||||
波长范围 | 200-1100nm | 350-1100nm | 320-1100nm | ||||
感光尺寸 | Φ1.0mm | Φ3.6mm | Φ10.0mm | ||||
带宽范围 | 350MHz | 25MHz | 10MHz | ||||
上升时间（@50Ω） | 1ns | 14ns | 35ns | ||||
NEP | 5.0×10-14W/Hz1/2 | 1.6×10-14W/Hz1/2 | 2.4×10-14W/Hz1/2 | ||||
暗电流 | 0.3nA(Typ.)/10nA(Max) | 0.35nA(Typ.)/6.0nA(Max) | 0.9nA(Typ.)/10nA(Max) | ||||
结电容 | 6pF(Typ.) | 40pF(Typ.) | 150pF(Typ.) | ||||
偏置电压 | 10V | ||||||
输出电流 | 0~10mA | ||||||
输出电压 | ~9V(Hi-Z)； | ||||||
光敏面深度 | 0.09" (2.2 mm) | 0.09" (2.2 mm) | 0.13" (3.3mm) | ||||
工作温度 | 10-40℃ | ||||||
存储温度 | -20⁻⁷0℃ | ||||||
探测器净重 | 0.10kg | ||||||
欠压指标 | Vout ≤9V(Hi-Z) Vout ≤170mV(50Ω) | ||||||
外观尺寸 | 2.79" X 1.96" X 0.89" (70.9 mm X 49.8 mm X 22.5 mm) | ||||||
供电电池 | 供电开关 | 信号接口 | 电池监测 | 支杆接口 | 光学接口 | ||
A23，12VDC，40mAh | 滑动开关 | BNC母座 | 瞬时按钮 | M4 X 2 | SM1 X 1 | ||
尺寸图：
SI响应曲线:
附件1：可选配置表
硅基偏压光电探测器 | 可选配置 | ||||
产品名称 | 材料 | 类型 | 特点 | 波长范围 感光尺寸 | 预留可选配置 |
PD: "光电探测器" | S：Si硅基 | B：偏压型 | C：常规型 | 2B10：200-1100nm，Φ1.0mm |
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| 3E36：350-1100nm，Φ3.6mm |
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| 3D100：320-1100nm，Φ10.0mm |
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附件2：型号货号对照表
型号 | 货号 | 规格 |
PDSBC2B10 | A80153421 | 200-1100nm硅基偏压光电探测器，感光尺寸Φ1.0mm，上升时间1ns，带宽350MHz |
PDSBC3E36 | A80153422 | 350-1100nm硅基偏压光电探测器，感光尺寸Φ3.6mm，上升时间14ns，带宽25MHz |
PDSBC3D100 | A80153423 | 320-1100nm硅基偏压光电探测器，感光尺寸Φ10.0mm，上升时间35ns，带宽10MHz |
热门标签：光电探测器
