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1550nm 铟镓砷InGaAs高灵敏度大光敏元 APD芯片 四象限雪崩探测接收模块GD4516YB
价格：￥电议
品牌名称：$brandModel.Title型号：GD4516YB 原产地：中国大陆 更新时间：2026/9/21 9:09:04
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详细内容
1550nm 铟镓砷InGaAs高灵敏度大光敏元 APD芯片 四象限雪崩探测接收模块
产品总览
GD4516YB 是一款高灵敏度大光敏元四象限光电探测模块，其采用 InGaAs 四象限 APD芯片与低噪声跨阻抗放大器混合集成。
型号参数
测试条件：TA=22±3℃，VEE=-5V，VCC=5V，VAPD=VBR-3V，λ= 1.55µm。
参数名称 | Min. 值 | 典型值 | Max. 值 | 单位 |
工作波长 | - | 1550 | - | nm |
光敏面直径 | - | 800 | - | um |
象限间隔 | - | 50 | - | um |
-3dB 带宽 | - | 2 | - | MHz |
Max. 线性输出电压幅度 | - | 3 | - | Vpp |
交流串扰 | - | - | 5% | - |
电压响应度 | 5 | - | - | MV/W |
增益一致性 | - | - | 5% | |
输入等效噪声功率@2M | - | - | 0.15 | pW/√Hz |
jue对Max. 额定值
测试条件：TA=22±3℃，VEE=-5V，VCC=5V，λ= 1.55µm。
参数名称 | 额定值 | 单位 |
贮存温度范围 TSTG | -55～+100 | ℃ |
工作温度范围 TC | -30～+70 | ℃ |
焊接温度 Tp | 260（10s） | ℃ |
TEC 电压 VTEC | 7.4±0.74 | V |
TEC 电流 ITEC | 3.2±0.32 | A |
热敏电阻阻值 Rth | 10 | kΩ |
工作电压 VCC | ±5(±0.1) | V |
热敏电阻阻-温特性表
产品符合 GJB 8120-2013《半导体光电模块通用规范》。
贮存使用要求:
储存和使用
● 器件应储存在温度为-10°C~+40°C和相对湿度不大于80%的通风、无腐蚀性气体影响的洁
净环境。
● 储存和使用过程避免外来物理损坏。
静电防护
● 产品为静电敏感器件，在取放、安装过程必须采取相应的静电防护措施，如焊装工具良好接地、人员佩戴防静电手腕，穿戴防静电服、工作台上铺设防静电桌布等。
● 器件安装、上电
● 使用器件时，Shou先接地，然后开启电源;关闭器件时，Shou先移除光源，然后断开电源。
● 器件应用时参数设计不应超过其Max. 额定值。
● 器件测试安装应轻拿轻放，避免引线针及光纤折损。
产品特点
● 正照平面型芯片结构
● 象限间隔小、象限间串扰低
● 增益均匀性高
● 内部集成 TEC 与温度传感器
● 空间光输入
产品应用
● 激光定位
● 激光通信
● 捕获、跟踪
● 激光制导
通用参数
封装外形、尺寸及引脚定义（单位：mm;公差：±0.05mm）
附表1 引脚定义
引脚 | 定义 | 引脚 | 定义 |
1 | TEC+ | 8 | VCC |
2 | OUT2 | 9 | OUT4 |
3 | TEC- | 10 | GND |
4 | GND | 11 | VEE |
5 | / | 12 | OUT1 |
6 | OUT3 | 13 | R- |
7 | GND | 14 | R+ |
热门标签：筱晓光子,雪崩探测接收模块,接收模块
