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AGSe 硒镓银（AgGaSe2）NIR-IR近红外非线性晶体
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品牌名称：$brandModel.Title型号： 原产地：中国大陆 更新时间：2026/9/21 9:08:50
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详细内容
本系列其它产品型号 共6条
| 名称 | 型号 | |
|---|---|---|
| AGS 硫镓银 非线性光学晶体 AgGaS2 | AgGaS2 A80160205 | 透光率： µm 0.47 – 13 非线性系数： pm/V d36 = 12.6 @ 10.6 µm ； 对称度：四方晶系； -42m point group 晶胞参数：a=5.757； c=10.311； |
| GaSe 硒化镓 NIR-IR近红外非线性光学晶体 | GaSe G80010032 | 透光率0.62 – 20µm；非线性系数； pm/V ： d22 = 54 @10.6 µm；对称度：六方晶系； 6m2 point group；晶胞参数； Å a=3.74； c=15.89；离散角； ° 5.3 µm |
| LISe 硒铟锂 (LilnSe2) NIR-IR近红外非线性晶体 | LilnSe2 A80160201 | 透光率； 0.43– 13.2 µm；非线性系数； pm/V：d31=11.78； d24=8.17 @2.3 µm ；对称度：斜方（晶系）； mm2 point group ；晶胞参数； Å a=7.192； b=8.412； c=6.793 ；带隙； eV：2.86；定向精度； arc min < 30 平行度； arc sec < 30 546 nm λ/4 表面质量； scratch/dig 30/20 |
| LIS 硫铟锂 (LiInS2) NIR-IR近红外非线性光学晶体 | LiInS2 A80160202 | 透光率；0.35– 13.2 µm； 非线性系数； pm/V d31=7.25； d24=5.66 @2.3 ；对称度 斜方晶系； mm2 point group ；晶胞参数； Å a=6.893； b=8.0578； c=6.4816 ；定向精度； arc min < 30 平行度； arc sec < 30 平面度 546 nm λ/6 表面质量； scratch/dig 30/20 |
| LGSe硒镓锂(LiGaSe2) NIR-IR近红外非线性光学晶体 | LiGaSe2 A80160203 | 透光率； 0.37 – 13.2µm；带隙； 3.57eV (300K)定位精度； arc min < 30 平行度； arc sec < 30 平面度 546 nm λ/4 表面质量； scratch/dig 30/20 |
| LGS 硫镓锂 (LiGaS2) NIR-IR非线性光学晶体 | LiGaS2 A80160204 | 透光率； 0.33 – 11.6µm；带隙；4.15 eV；定位精度； arc min < 30 平行度； arc sec < 30 平面度 546 nm λ/4 表面质量； scratch/dig 30/20 |
产品总览
AgGaSe2晶体,中文名硒镓银晶体,简称AGSe晶体。中红外激光倍频有效的晶体材料，对中红外激光的倍频效率高,是有效的非线性激光晶体之一.还同时具有三波非线性作用(OPO)的优良性能。 'AGSe晶体透光范围为0.73-18µm,AgGaSe2晶体可用波段位于0.9-16µm。采用目前成熟的激光泵浦，AGSe晶体的OPO呈现宽阔的红外可调谐性能。用Ho:YLF2.05µm泵浦AgGaSe2晶体获得2.5-12µmOPO调谐光源;用1.4-1.55um调谐光源泵浦的非临界相位匹配OPO输出1.9-5.5um调谐光源;早在1982年,就已经实现了脉冲CO2激光的有效倍频;上述系统的输出波段还可以用和频或差频混频的方法(SF/DFM)予以扩充。
AGSe晶体可用于光学参量放大和光学参量振荡以及差频产生，应用波长可达到中红外的17 µm。
型号参数
主要特性
复合物 | AgGaSe2 | |
透光率, µm | 0.76 – 18 | |
单轴负晶 | no > ne (at λ < 0.804 µm ne > no) | |
非线性系数, pm/V | d36 = 39.5 @10,6 µm | |
对称度 | 四方晶系, -42m point group | |
典型反射系数 | 10.6 µm 5.3 µm | no=2.5915, ne=2.5582 no=2.6138, ne=2.5811 |
光学损坏阈值, MW/cm2 | 2000 nm | 13 |
离散角, ° | 5.3 µm | 0.68 |
热导系数 k, WM/M°C | 1.1 | |
频带隙能量, eV | 1.8 | |
光活度 ρ = 7deg/mm 在各向同性点, µm | n0= ne, λ = 0.804 | |
光学元件参数
定位精度, arc min | < 30 | |
平行度, arc sec | < 40 | |
平面度 | 546 nm | λ/4 |
表面质量, scratch/dig | 30/20 | |
应用
对于所有晶体，我们能够为特定应用提供合适的防反射/保护涂层，以及反射率曲线。
热门标签：硒镓银近红外非线性晶体,近红外非线性晶体,非线性晶体
