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LISe 硒铟锂 (LilnSe2) NIR-IR近红外非线性晶体
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品牌名称：$brandModel.Title型号： 原产地：中国大陆 更新时间：2026/9/21 9:08:50
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详细内容
本系列其它产品型号 共6条
| 名称 | 型号 | |
|---|---|---|
| AGS 硫镓银 非线性光学晶体 AgGaS2 | AgGaS2 A80160205 | 透光率： µm 0.47 – 13 非线性系数： pm/V d36 = 12.6 @ 10.6 µm ； 对称度：四方晶系； -42m point group 晶胞参数：a=5.757； c=10.311； |
| GaSe 硒化镓 NIR-IR近红外非线性光学晶体 | GaSe G80010032 | 透光率0.62 – 20µm；非线性系数； pm/V ： d22 = 54 @10.6 µm；对称度：六方晶系； 6m2 point group；晶胞参数； Å a=3.74； c=15.89；离散角； ° 5.3 µm |
| AGSe 硒镓银（AgGaSe2）NIR-IR近红外非线性晶体 | AgGaSe2 A80160206 | 透光率；0.76 – 18 µm；单轴负晶 no > ne (at λ < 0.804 µm ne > no)；非线性系数； pm/V d36 = 39.5 @10；6 µm ；对称度 四方晶系； -42m point group |
| LIS 硫铟锂 (LiInS2) NIR-IR近红外非线性光学晶体 | LiInS2 A80160202 | 透光率；0.35– 13.2 µm； 非线性系数； pm/V d31=7.25； d24=5.66 @2.3 ；对称度 斜方晶系； mm2 point group ；晶胞参数； Å a=6.893； b=8.0578； c=6.4816 ；定向精度； arc min < 30 平行度； arc sec < 30 平面度 546 nm λ/6 表面质量； scratch/dig 30/20 |
| LGSe硒镓锂(LiGaSe2) NIR-IR近红外非线性光学晶体 | LiGaSe2 A80160203 | 透光率； 0.37 – 13.2µm；带隙； 3.57eV (300K)定位精度； arc min < 30 平行度； arc sec < 30 平面度 546 nm λ/4 表面质量； scratch/dig 30/20 |
| LGS 硫镓锂 (LiGaS2) NIR-IR非线性光学晶体 | LiGaS2 A80160204 | 透光率； 0.33 – 11.6µm；带隙；4.15 eV；定位精度； arc min < 30 平行度； arc sec < 30 平面度 546 nm λ/4 表面质量； scratch/dig 30/20 |
产品总览
LISe 硒铟锂 (LilnSe2) NIR-IR近红外非线性晶体通过定向凝固生长单晶。典型的生长晶体长约 20 毫米，直径约 10 毫米，呈深红色。晶格常数被确定为a = 7.218 埃， b= 8.441 Å，c = 6.772 Å，粉末 X 射线衍射。通过差热分析确定熔点为904℃。LiInSe 的能带隙2在室温下，通过光传输测量估计为 1.88 eV。典型的室温电阻率为 2.67 × 1011 Ω cm 具有 n 型电导率。
双轴硒化锂铟（LiInSe 2或 LISe）非线性光学晶体的光谱透明度范围和高双折射使人们能够实现所有广泛使用的中红外激光器的倍频。它们的效率与AgGaS 2 晶体的效率相同，是LiInS 2晶体的效率的两倍。LiInSe 2晶体的优势在于可以创建由近红外固态激光器（特别是 Nd:YAG 激光器）辐射泵浦的中红外参量光振荡器，其效率比 AgGaS 2高一倍以上和 LiInS使用了2个晶体。还值得注意的是，LiInSe 2 晶体在飞秒脉冲频率转换方面的潜在优势超过了所有已知晶体，无论是在中红外区域，还是在飞秒 Ti：蓝宝石和 Cr：镁橄榄石激光的辐射直接转换到中红外区域.
型号参数
主要特性
复合物 | LilnSe2 | |
透光率, µm | 0.43– 13.2 | |
非线性系数, pm/V | d31=11.78, d24=8.17 @2.3 µm | |
对称度 | 斜方（晶系）, mm2 point group | |
晶胞参数, Å | a=7.192, b=8.412, c=6.793 | |
带隙, eV | 2.86 | |
典型反射系数 | 10.0 µm | nx=2.2015, ny=2.2522, nz=2.2566 |
用于SHG的基频 | x-y, Type II, eoe | 2.73 – 8.24 |
x-z, Type I, ooe | 2.08 – 12.4 | |
y-z, Type II, oeo | 2.73 – 3.07 | |
y-z Type II, oeo | 7.66 – 8.24 | |
Total interval covered | 2.08 – 12.4 | |
光学损坏阈值, GW/cm2 | 1064 nm | ~40 |
热导率k, WM/M°C | kx=4.73 ± 0.3; ky=4.67 ± 0.3; kz=5.45 ± 0.3 | |
室温带隙, eV | Eg = 2.73 | |
0.2透明度级别的远红外吸收边缘 | 1.24 THz at 240 µm | |
光学元件参数
定向精度, arc min | < 30 | |
平行度, arc sec | < 30 | |
平面度 | 546 nm | λ/4 |
表面质量, scratch/dig | 30/20 | |
应用
Ti: Sappire 激光泵浦下的光学参量振荡器 （范围 1 – 13 µm）
中红外(2-13µm)的差频产生
对于所有晶体，我们能够为特定应用提供合适的防反射/保护涂层，以及反射率曲线。
热门标签：硒铟锂近红外非线性晶体,近红外非线性晶体,非线性晶体
