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筱晓(上海)光子技术有限公司 主营产品:激光器,光电探测器,光纤,光无源器件等等

第5年

当前位置: 阿仪网 > 光学仪器 > 光学元器件 > 其他 > 筱晓(上海)光子技术有限公司 > 产品展示 > 光电探测器 > Si硅光电二管 > 硅Si雪崩光电二管 905nm 400-1100nm 光敏面直径0.5mmAPD-SI-905-0.5-LCC3

硅Si雪崩光电二管 905nm 400-1100nm 光敏面直径0.5mmAPD-SI-905-0.5-LCC3

价格:¥电议

品牌名称:$brandModel.Title型号:APD-SI-905-0.5-LCC3 原产地:中国大陆 更新时间:2026/9/21 9:08:36

产品摘要:光谱响应范围:400-1100nm 峰值响应波长:905nm 光敏面直径:0.5mm 封装:LCC3

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产品完善度: 访问次数:727

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旗舰版网址:http://www.microphotons.com.cn

详细内容

硅 Si 雪崩光电二管 905nm (400-1100nm光敏面直径0.5mm LCC3)




总览

硅雪崩光电二管,光谱响应范围从可见光到近红外,峰值响应波长905nm。大光敏面,高速响应,高增益,低噪声。


材质
硅 Silicon
技术参数

产品特点:

正照平面型芯片结构

高速响应

高增益

低结电容

低噪声

产品应用:

激光测距

激光雷达

激光警告

技术参数:

光电性能(@Ta=22±3℃)

器件型号

光谱响应范

围

(nm)

峰值响

应波长

(nm)

响应度

λ =905nm

φ e =1μW

M=100

(A/W)

暗电流

M=100

(nA)

响应时间

λ =905nm

R L =50Ω

(ns)

工作电压

温度系数

T a =-40℃

~85℃

(V/℃)

总电容

M=100

f=1MHz

(pF)

击穿电压

I R =10μA

(V)

典型

大

小

大

GD5210Y-2-2-TO46

400~1100

905

55

0.2

1

0.6

0.9

1.0

130

220

GD5210Y-2-5-TO46

0.4

1

1.2

GD5210Y-2-8-TO46

0.8

2

2.0

GD5210Y-2-2-LCC3

0.2

1

1.0

GD5210Y-2-5-LCC3

0.4

1

1.2

结构/大绝对额定值

器件型号

封装形式

光敏面直径

(mm)

工作电压

(V)

工作温度

(℃)

储存温度

(℃)

焊接温度

(℃)

正向电流

(mA)

耗散功率

(mW)

GD5210Y-2-2-TO46

TO-46

0.23

0.9×V BR

-40~85

-45~100

260

0.25

100

GD5210Y-2-5-TO46

TO-46

0.50

GD5210Y-2-8-TO46

TO-46

0.80

GD5210Y-2-2-LCC3

LCC3

0.23

GD5210Y-2-5-LCC3

LCC3

0.50

产品型号

名称

型号

描述

价格

货期

硅雪崩光电二管

GD5210Y-2-2-TO46

光谱响应范围:400-1100nm

峰值响应波长:905nm

光敏面直径:0.23mm

封装:TO46

硅雪崩光电二管

GD5210Y-2-5-TO46

光谱响应范围:400-1100nm

峰值响应波长:905nm

光敏面直径:0.50mm

封装:TO46

硅雪崩光电二管

GD5210Y-2-8-TO46

光谱响应范围:400-1100nm

峰值响应波长:905nm

光敏面直径:0.80mm

封装:TO46

硅雪崩光电二管

GD5210Y-2-2-LCC3

光谱响应范围:400-1100nm

峰值响应波长:905nm

光敏面直径:0.23mm

封装:LCC3

硅雪崩光电二管

GD5210Y-2-5-LCC3

光谱响应范围:400-1100nm

峰值响应波长:905nm

光敏面直径:0.50mm

封装:LCC3

典型特性曲线

302.png

303.png

304.png

305.png

封装外形、尺寸及引脚定义

GD5210Y-2-2/5/8-TO46(三脚和两脚封装)

306.png

GD5210Y-2-2/5-LCC3

307.png

308.png

等效电路及应用电路

309.png

310.png

注:C 1 -滤波电容,滤除偏置工作电压 V R 的噪声。

C 2 -旁路电容,为交流信号提供对地回路。

R 1 -限流电阻,防止偏置工作电压 V R 过高时,损坏探测器。

R i -取样电阻,将光电流转化为电压信号。

定购信息:

TO 封装形式:

311.png

312.png

热门标签:筱晓光子,硅Si雪崩光电二管,雪崩光电二管

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