QCM-D技术的开创者

瑞典百欧林科技有限公司与查尔姆斯理工大学是QCM-D技术的开创者，QSense®为纳米表界面相互作用跟踪和表征提供全球先的、高端的耗散型石英晶体微天平。QSense® 耗散型石英晶体微天平通量高、易于使用，可以为您提供独特的、可重复的和有深度的数据。这有助于您了解反应的基本原理过程、提预测真实结果以及优化产品和流程，以适应真实的反应条件。拥有一台QSense耗散型石英晶体微天平，可以使您和您的团队一直处于科学进步和技术创新的沿。

QSense® Omni是我们新一代QCM-D耗散型石英晶体微天平，现有的技术加上几十年对表界面相互作用的深度理解，QSense® Omni可以为您提供更清晰的结果和更顺畅的实验过程。QSense® Omni可以更快展示您独到的见解，并基于高度可控的测量结果做出更可靠的结论。

QSense® Omni 适用场景：

您需要简单易用

• 开箱即用的解决方案

• 开启工作所需的一切皆已包含

您需要灵活性

• 自由构建满足您现在和将来需求的系统

您需要自动化

• 大限度地减少操作时间

• 大限度地提高可重复性

您重视数据质量

• 从全新一代高端QCM-D仪器中获取值得信任的结果

QSense® Omni 技术特点：

• 自动样品切换

• 自动运行QC程序

• 直接注入液体

• 快速液体交换

• 芯片自动锁紧

• 集成样品加热舱

• 各通道流速独立调节

• 实时编辑程序

三个选用QSense® Omni的原因：

数据解析更容易

一流的信号处理和快速可重复的液体交换，QSense® Omni为您提供清晰、简洁的数据。数据解析和分析更为轻松自信。

实验过程更顺畅

得益于直观的设计、智能的工作流程和灵巧的自动化，成功进行QCM-D实验并获取可信和可重复的结果变得史无例地轻松简单。生产力大幅提高，工作更有效率。

与研究共同成长

设计卓越、功能智能，QSense® Omni为科学进步和未来创新量身定制。升到更多通道或增加QSense Orbit来构建更多元化的实验设置和补充测量，您可以轻松跨越入门门槛，让QSense® Omni与您的研究共同成长。

QSense芯片——多种芯片表面可选：

QSense芯片是QCM-D测量的核心。芯片涂层的选择对于您的实验至关重要。百欧林科技可提供超过我们提供50种标准芯片涂层和200多种定制芯片，涵盖各种材料，包括金属、氧化物、碳化物、聚合物、功能化涂层和标准化土壤。您可以从种类繁多的芯片中找出哪种芯片材料和涂层适合您的研究。也可以根据您的需求让百欧林为您量身定制，我们可以让您尽可能接近真实的反应条件。

百欧林科技开发和生产的芯片，经过严格的验证。QSense芯片将为您的QSense系统提供稳定、可靠和可重复的数据。芯片建议一次性使用。

QSoft Omni 软件：

一同略 QSoft Omni 软件的风采吧！一个全新的、用户友好的软件，旨在帮助您完成实验设置并成功获得实验数据。当您在准备实验时，QSoft Omni 软件会在后台进行QC程序，确保测量条件佳。QSoft Omni帮您采集数据，而Dfind使您的数据分析更轻松。

图片 2：QSoft Omni 软件

QSoft Omni 软件主要特点：

•    引导式工作流程带您完成实验设置

•    后台自动运行QC程序，确保实验结果佳

•    拖放界面和实时编辑使程序开发变得更为轻松

•    事件日志自动记录自动操作和用户注释

QSense® Omni模块及配件——探索更多：

浏览以下可选配模块，扩展您的实验设置和可能性。

QSense湿度模块

用于测量芯片上涂覆的薄膜对蒸气的吸收和释放。

QSense窗口模块
该系统可以在芯片表面上同时进行QCM-D测量和显微镜观察。您还可以进行对光或辐射敏感的实验。

QSense 电化学模块
想在同一表面上同时进行QCM-D和电化学测量？该模块支持多种电化学方法，如循环伏安法和电化学阻抗测量，可探索如聚合物的界面行为、静电相互作用、腐蚀性能等。

QSense电化学窗口模块

该模块可在芯片表面上同时进行QCM-D测量和光学、电化学测试，该模块通常用于光伏等应用。

QSense开放模块

开放模块无需管路，样品需求量低。您可以直接移液少量液体确保覆盖芯片即可。该模块可进行样品挥发性、外部触发反应（如光诱导反应和化学触发反应）等研究。

QSense湿度模块

用于测量芯片上涂覆的薄膜对蒸气的吸收和释放。

QSense ALD（原子层沉积）样品架

适用于真空或气相环境测量。

QSense PTFE流动模块

适用于对钛材料敏感的测量体系。类似于标准流动模块(QFM 401)，但流路部分的钛被PTFE替换。

QSense® Omni技术参数：

让我们深入了解下QSense Omni的技术性能，您还可以将这些参数与其他QSense仪器进行比较。

所有规格可能会在未经通知的情况下更改

b. 温度稳定性取决于外部环境对样品舱的加热或者制冷。如果由于气流或热源等原因，室温变化超过±1℃，可能无法达到指定的温度稳定性。

c. 数据测试条件如下：QSX 303 SiO2芯片在25℃的去离子水中测量，流速为20µl/min，数据采集速率为每1个数据点，测量时长1小时。用于分析的数据间隔为2分钟。等待超过1小时可以获得更好的稳定性。

d. 重量不包括外部电源。

QSense® Omni实际性能：

更高的采样速率不可避免地会产生更高的噪音和提高检出限。通过明显降低噪音水平，QSense® Omni大地降低了检出限。下面的图表描述了QSense® Omni在三种不同采样间隔下的检测限，可以看出在高采样频率下检出限也可以做到非常低。下面的图表列出了每种采集模式下的采集速度和检出限（LOD）。

表1 a：性能特征

图2a：每种采集模式下的采集速度和检出限（LOD）。不同的采样间隔下的理论检测限（LOD）。检测限设定为频率噪音水平的3倍。

a 实验条件如下：QSX 303 SiO2芯片在20°C温度下、流量15μL/min的去离子水中使用一个测量通道进行测量。每种测量模式测量5分钟，根据1分钟时间范围内采集数据点的标准偏差，统计确定噪音数据。