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DF4822晶体管特性图示仪

● 集电极扫描电压达到500V，最大电流达2A

● 具备交替测量显示，可同时显示二极管的正、反相特性

● 集电极电流范围：10uA-0.2A/度。

● 基极电压范围：50mV-0.5V/度。

● 集电极电压范围：50mV-50V/度。

● 阶梯电流范围：5uA-10mA/级。

● 阶梯电压范围：50mV-0.5V/级。

● 极性：正，负二档。

● 每族级数：10级/族。

DF4822型图示仪

外形尺寸

310×138×300mm

价格

2200元

重量

10kg

特点

该仪器在标准的半导体特性图示仪基础上进行了优化设计，具有体积小，性高，使用简便的特点。具有交替测量显示功能，可同时显示二极管的正、反相特性。低售价，性高。

主要技术参数

型号	DF4822	DF4810
显示屏幕	5×5cm	10×10cm
集电极电流	10μA～0.2A/div	0.5μA～1A/div
误差	10%	3%
集电极电压	50mV～50V/div	VD 500V/divVC 10mV～50V/div
误差	10%	5%
阶梯电压	50mV～0.5V/div	50mV～1V/div
误差	10%	5%
阶梯电流	5μA～10mA/级	5μA～100mA/级
误差	10%	5%
集电极扫描信号范围及容量	0～20V,2A0～50V,1A0～500V,0.1A	0～100V,0.5A0～500V,0.1A0～5kV,5mA0～500VAC,0.1A

XJ4832型数字存储100A半导体管特性图示仪

本机是新一代数字化测量仪器。采用新颖电路设计技术，通过微处理器集中控制整个系统的数据采集、显示、打印、存储，处理人机交互信息等。具有高集成度、高性。以屏幕显示测试档级及用光标测试被测器件的各种直流参数，并可将测试结果存储、打印、随时调用。本机具有友好的人机界面，有中、英文两种语言供选择。

综合的存储能力

被测器件的各种特性曲线可存储在机内，可随时调用。并可同时显示二簇特性曲线，便于用户对被测器件的比较和配对。

自动光标测量

提供自动光标测量功能，通过屏幕显示测试值、β、Gfs。

应用范围广

最大测试电流(IC)达100A，最大测试电压(VC)达1000V，并且阶梯电压(VB)具有Δ VB±l0V偏置电压，除满足一般二端、三端半导体器件测试以外，特别适宜大功率VMOS、IGBT管等场控器件的测试。

友好的人机操作界面

采用8英寸彩色LCD显示系统，并具有中、英文两种语言选择，最大方便用户的控制操作。

集电极扫描信号
输出电压范围及电流最大容量：	0-10V 100A 0-50V 10A 0-200V 0.25A 0-1000V 0.05A
集电极扫描信号工作方式
	自动：0．5S、1S、2S 手动：单次
功耗限制电阻：	0-500k Ω，按1、2、5进制共12档
基极阶梯信号
阶梯电流(IB)：	2μA／级-1A／级，按1、2、5进制共18档
阶梯电压(VB)：	50mV／级-2V／级，按1、2、5进制共5档
阶梯偏置电压(Δ VB)：	±10V
Y轴偏转系数
集电极电流（IC）：10μA/div-10A/div，按1、2、5进制共19档
X轴偏转系数
集电极电压(VC)：50mV/div-100V/div，按1、2、5进制共11档
基极电压(VB)： 50mV/div-2V/div，按1、2、5进制共6档

屏幕显示水平X：显示V／div

垂直Y：显示A／div

阶梯S：显示A／级、V／级、阶梯偏置电压

转换因子： β、Gfs

扫描电压：显示扫描电压峰值输出百分比

功耗电阻：电阻值

显示系统

显示类型： 8英寸彩色液晶显示器

显示分辨率： 640×480

显示对比度：可调

—般性能

使用电源： AC 220V/50Hz

视在功率：最大功率约400W

外形尺寸： 325B×395H×630Dmm

重量：约28kg

联系我们：http://www.1718sh.com 电话：021-51575232 51575252 传真：021-51575133 地址：上海市中山西路2281号徐汇晶典大厦15楼

CA4810A图示仪

CA4810A半导体管图示仪是一种用示波管显示半导体器件的各种特性曲线的仪器，并可测量低频静态参数。是从事半导体管研究制造及无线电领域工作者的一种必不可少的仪器。产品特性

集电极功耗电源电压范围：0～500V电流范围：0.1A～10A功耗电阻：0～500kΩ分11档
阶梯电压范围：0.05V/级～2V/级
具有双簇显示功能
特有场效应管配对和测试功能
5kV高压测试台

产品附件

用户使用手册
高压测试台（选配）
电源线
合格证

该公司产品分类：可编程直流电源安规测试仪晶体管特性图示以电参数测试仪 LCR数字电桥电子负载示波器

YB6600半导体特性图示仪、谊邦电子图示仪、分立器件图示仪

一、YB6600谊邦电子半导体特性图示仪特点

1. 曲线基于计算机显示

2. 多种器件的多种曲线

3. 数据点是可控的

4. 增量可以是线性或对数

5. 可控的关断时间，以减小器件发热

6. 可保存和调用曲线程序

7. 保存和调用先前捕获的曲线图片

8. 完全自动存储数据到excel

9. 预置最大电压和最大电流限制防止器件损坏和发热

10. 存储/调用测试程序

11. 多样的连续曲线

12. 在测试程序中的电流限制

13. 使用方便

①选择曲线 ②输入范围 ③按下启动

14. 使用高速ATE系统生成曲线

二、YB6600谊邦电子半导体特性图示仪系统指标

a-k 极间加压范围: ±2.500mv－－2000v

a-k 极间测流范围: ±100pa－－49.90a

a-k 极间加流范围: ±100na－－49.90a

a-k 极间测压范围: ±2.500mv－－2000v

g-k 极间加压范围: ±2.500mv－－20v

g-k 极间测流范围: ±100pa－－10a

g-k 极间加流范围: ±100na－－10a

g-k 极间测压范围: ±2.500mv－－20v

a-k 极间加/测压精度: 1%+10mv

a-k 极间加/测流精度: 1%+10na+20pa/v

g-k 极间加/测压精度: 1%+5mv

g-k 极间加/测流精度: 1%+10na+20pa/v

电参数测试重复性： 2%

最大电压分辨率: 1mv

最大电流分辨率: 0.1na

三、YB6600谊邦电子半导体特性图示仪可实现曲线（13类器件32种曲线）

1、mosfet（n-channel＆p- channel）（金属-氧化物-半导体场效应管）

id vs vds （在vgs范围内）

id vs vgs （在一个固定的id）

is vs vsd

rds vs vgs （在一个固定的vds）

rds vs id （在vgs范围内）

2、晶体管（transisitor）

hfe vs ic

bvce（o.s.r.v） vs ic

bvebo vs ie

bvcbo vs ic

vce（sat）（在一定的ic/ib比率）

vce（sat） vs ib（在ic的范围内）

vbe（sat） vs ib （在一定的ic/ib比率）

vbe（on） vs ic （在一定的vce）

3、igbt（n-channel＆p- channel）（绝缘栅双极晶体管）

ic vs vce （在vge范围内）

ic vs vge （在一定的vce）

ices vs vce

if vs vf

4、diode （二极管）

if vs vf

ir vs vr

5、zener （稳压管）

if vs vf

ir vs vr

6、triac （双向可控硅）

it vs vt（+/-）（在一个固定的ig）

7、scr （单项可控硅）

it vs vtm （在一个固定的ig）

8、ssvop（固态过压保护器）

it vs vt（+/-）（在一个固定的ibo）

9、sidac（高压触发二极管）

it vs vt（+/-）（在一个固定的ibo）

10、diac（双向触发二极管）

id vs vf（+/-）

11、regulator（稳压器）

electronic load vs v out（在一个固定最大电流）

12、j-fet（（n-channel＆p- channel））（结型场效应管）

id（off） vs vds（在vgs范围内）

id（off） vs vgs（在一个固定的vds）

id（on） vs vds（在vgs范围内）

id（on） vs vgs（在一个固定的vds）

13、curve tracer mode only（曲线跟踪模式）

ic vs vce（在一个固定的ib）

该公司产品分类：功率器件测试仪半导体测试仪测试仪图示仪

YB-580半导体图示系统晶体管图示仪分立器件测试仪 IGBT测试仪

产品介绍

YB580 IGBT(绝缘栅双极型晶体管)测试系统（以下简称 YB580 测试系统）符合:国际电工委员会 IEC 60747-9-2001 规范,符合国标 GB/T17007-1997 规范。YB580 测试系统是本公司推出的一种先进的 IGBT 测试系统。适合研究所、生产企业做元器件筛选检验，IGBT 生产厂用做生产测试，院校做测试分析。

系统可扩展性强，通过选件可以提高电压、电流的测试能力,自动快速测试可以满足用户大生产需要，故障率低也保证了用户的生产效率。在 PC 窗口提示下输入被测器件的测试参数即可完成填表编程，操作人员不需具备专业计算机编程语言知识，使用简捷方便。系统采用带有开尔文感应结构的测试插座，自动补偿由于系统内部及测试电缆长度引起的任何压降，保证各种情况下测试结果的准确可靠。系统面板的显示装置能够及时显示系统的各种工作状态和测试结果。系统提供与机械手、探针台、电脑的连接接口，可以支持各种不同辅助设备的相互连接使用。

基本配置

1、主极电压： 0－－2000V ； 2、电压分辨率：1mV； 3、主极电流：0－－-50A(100A、200A、400A、

500A、700A、800A、1000A、1300A可选）； 4、电流分辨率：1nA ； 5、精度：0.5%+2LSB ； 6、测试速度：0.5MS/参数；

7、可提供的选件有 3000V 阳极高压选件。

序号	测试参数	别称	序号	测试参数	别称
1)	栅极-发射极阈值电压	Vgeth	2)	集电极-发射极截止电流	ICES
3)	集电极－发射极击穿电压	BVCES	4）	集电极-发射极饱和电压	VCESAT
5）	栅极-发射极漏电流正向	IGESF	6）	栅极-发射极漏电流反向	IGESR
7）	门极开通电压	VGEON	8）	二极管压降	VF
9）	通态电流	ICON	10）	跨导	GFS
11）	导通电阻	RDSON	12）	其他功率器件（MOS,晶体管等）的测试

技术要求

工作温度： 25℃－－40℃

贮存温度: -15℃－－50℃

工作湿度： 45%－－80%

贮存湿度：10%－－90%

工作电压：200v－－240v

电源频率：47HZ－－63HZ

接地要求：供电电源应良好接地。

通信接口：RS232 USB

系统功耗：<150w

设备尺寸：450mm×570mm×280mm

该公司产品分类：晶体管图示仪

L271546 智能半导体管特性图示仪

L271546

产品名称：

智能半导体管特性图示仪

产品简述：

EHSY Lab品质提供的智能半导体管特性图示仪，性能，能满足您不同工作环境的多种需求的智能仪器：测试开关智能控制，各种控制开关测试条件可预置、测试结果可存盘、可打印输出，并可适用PC机显示被测器件特性曲线；综合的存储能力：被测器件的各种特性曲线可编辑存储在机内硬盘或软盘中，可随时调用。并可同时显示二簇特性曲线，便于用户对被测器件的比较和配对；自动光标测量：提供光标测量方式，用CRT读出，显示测试档级、测试值、β、 gm及集电极峰值电压输出百分比；友好的人机界面：最大可能的方便用户控制操作，用VGA显示器显示，分辨率高；主要技术指标：集电极扫描信号：输出电压范围及电流容量：0～10V 50A 0～60V 5A， 0～350V 1A 0～2000V 0.1A；基极阶梯信号：阶梯电流：1μA/级～0.5A/级,按1、2、5进制共18档；阶梯电压：0.1V/级～2V/级,按1、2、5进制共5档； Y轴偏转系数：集电极电流：1μA/div～5A/div,按1、2、5进制共21档； X轴偏转系数：集电极电压：50mV/div～200V/div,按1、2、5进制共12档；基极电压 0.5V/div～2V/div,按1、2、5进制共5档；一般性能：使用电源：AC 220V/50Hz；显示面：7英寸显示器；分辨率：640×480；视在功率：约80VA（非测试状态），约300VA（最大功率）；外形尺寸：415B×315H×720Dmm ；重量：约37Kg；作为众多知名品牌的合作伙伴，EHSY Lab以其优良的品质和服务来阁下员工的职业健康，安全环境和美好未来

产品提示：

智能半导体管特性图示仪-半导体特性图示仪, 半导体管特性图示仪, 晶体管图示仪, 半导体管图示仪, 管特性图示仪, 半导体管参数图示仪, 半导体管测试仪, 半导体管特性图示仪上海, 半导体管特性图示仪价格，EHSY西域提供的智能半导体管特性图示仪-半导体特性图示仪, 半导体管特性图示仪, 晶体管图示仪, 半导体管图示仪, 管特性图示仪, 半导体管参数图示仪, 半导体管测试仪, 半导体管特性图示仪上海, 半导体管特性图示仪价格，阁下智能半导体管特性图示仪-半导体特性图示仪, 半导体管特性图示仪, 晶体管图示仪, 半导体管图示仪, 管特性图示仪, 半导体管参数图示仪, 半导体管测试仪, 半导体管特性图示仪上海, 半导体管特性图示仪价格，作为高品质智能半导体管特性图示仪-半导体特性图示仪, 半导体管特性图示仪, 晶体管图示仪, 半导体管图示仪, 管特性图示仪, 半导体管参数图示仪, 半导体管测试仪, 半导体管特性图示仪上海, 半导体管特性图示仪价格提供商，我们向全球客户(其中也包括上海，广州，广东，北京，深圳，天津，苏州，西安，东莞，成都，重庆，武汉，昆山，杭州，南京等地)提供智能半导体管特性图示仪-半导体特性图示仪, 半导体管特性图示仪, 晶体管图示仪, 半导体管图示仪, 管特性图示仪, 半导体管参数图示仪, 半导体管测试仪, 半导体管特性图示仪上海, 半导体管特性图示仪价格。

CX2-4832（QT2）晶体管图示仪，晶体管图示仪

CX2-4832（QT2）晶体管图示仪

◆ 集电极电流范围 : 0.5μA/div~ 1A/div, max10A（5v）◆ 集电极电压范围: 10mV/div-50V/div,max 500v◆ 阶梯电流范围:1μA/级~ 200mA/级◆ 集电极输出电压、电流 : 5000V（0.1A）10A（5V）

该公司产品分类：其他光电子科技产品金属探测器劳保产品工具地质仪器其它物位计液位计流量仪表转速表内窥镜检测仪/校准仪汽车检测及外围产品多功能测试仪验电器天平钳形表示波器电缆故障测试仪

CS3100岩琦晶体管图示仪

（一）多用途性（Versatility）

现代的测试设备所须的功能，必须能不被限制其最大电流及电压之供给。目前IGBT的产品其电流可通过1200A及阻断电压可高达3300V，但不久之后IGBT的产品即会有达到4500V及2000A的能力。且无人可预测未来其电压及电流可达到多少，再者，现今IGBT 的测试设备，也须能测试新元件MCTS （ MOS Contrlled Thyristort）或是IGCT （Integrated Gate-Commutated Thyristor）。

因此，测试设备的评估上，须能适应及符合未来可能的发展，其不论是硬体，如电压电流产生器或软体上。

IWATSU公司推出的CS-3000给用户提出了最佳的解决方案

（二）操作简单（Ease of Handling）

测试设备除了上述之特色外，应仍保持操作简单及效率佳的能力。达此目的最佳之方法即是使用者不须具备特殊训练即可操作此设备。如有使用晶体管特性图示仪的用户，操作起来会更加方便。此测试系统亦可经常地改变测试的半导体元件的型式（通常一天数次），对新的半导体元作的型式其可能会须要不同的制具（jig），或是更复杂的驱动闸控制，或是一缓冲器（Sunbber）的保护等。因此，使用模组化系统即可达到上述之需求。在一个基本的测试系统上，加上一些可更换的测试单元，使其可执行不同范围产品的量测。

（三）安全性（Safety）

IGBT的测试系统因其可提供非常高的电压输出，对操作者来讲是有一潜在的危险性，当在操作高电压及大电流时，操作员的安全性应予以考虑，即该设备须在不同国家的规范中皆可符合其安全标准。

在执行测试时，在危险的区域应使用滑动式门锁定而予以保护，所有参数皆应设置于安全的工作区域中，所有的保护措施的控制皆应由硬体部份来控制，而不是软体来控制。很显然的，在整条生产线上（研发测试时），时间是一个很重要的因素，因此，安全系统必须要很方便，而尽可能地对测试的速度影响愈小愈好。

静态测试（Static tests）

此测试之目的在提供元件（device）的详细特性，让设计者能精确地预测元件在稳态（Steady state）情况时之行为，此可协助使用者选择最佳的元件来用于他的应用中，更进一步地让其对与半导体元件相连接的设备如：电压钳式单元，闸极驱动，冷却系统等的设计更为妥切。

（一）集射极崩溃电压（Collector Emitter Breakdown Voltage） VCEs 量测于特定的集极电流IC下闸极短路至射极时，跨于集、射极两端之电压为VcEs 如图1, IGBT 的集射极崩溃电压是会随着介面（Junction）温度增加而增加的（典型对600V之IGBT 会有0.7V/℃）

（二）集极至射极的泄漏电流IcEs ［或称为集极的截止（Cut-off ）电流］

在额定的集射极电压和闸射极短路下之集极电流为IcEs值（如图2）, IcEs的量测通常在25℃及最大的工作介面（Junction）温度，且集极泄漏电流亦会随介面温度升高而增加。因此，在测试期间限制电流流过及避免 thermal升高是很重要的。

（三）集极至射极的饱和电压（Collector to emitter saturation voltage） VcEsat VcEsat（图3）是在特定的集极电流，闸射极电压及介面温度时之集射极导通电压VcEsat是相当重要的特性，因为其会决定导通之损失，在大的极电流时，测试的脉冲必须非常短，如此不致有过多之损失。

（四）二极体顺向电压（Diode Forward Voltage） VF

VF（图4）是指IGBT模组中的飞轮二极体（Freewheeling Diode）在特定电流

及介面温度时之顺向导通电压值。

（五）闸极临界电压（Gate threshold Voltage） VGeth VGeth（图5）是指在特定集极电流及闸极短路至集极时之射极的电压值。当闸射极电压小于临界值时IGBT是OFF状态，因此闸极临界电压即是闸射极电压使IGBT导通并流过特定的集极电流。VGEth是随着介面温度遽增而递减的（-11mV/℃）。

（六）跨导（Transconductance） gfs

跨导（gfs）（图6）是于特定集极电流时，集极电流和闸射极电压之商数。跨导是用来表示IGBT增益的方式。由于跨导的量测是在清楚严格的特定条件下所做的两个量测之值，因此，测试设备的精准性对测试结果有很大的影向力。

第二种方法是调整闸射极电压至特定的集射极电压（VP）并思考下列式子：

△ VGE = △Vp

IGBT的顺向跨导是会随着介面温度升高而增加的，其原因在于定闸极电压时，增加集极电流时，因电流Thermal run-away而会使晶片温度升高，因此IGBT 并不被建议来当做一个线性放大器使用。

（七）闸极至射极之泄漏电流IGEs

IGEs（图8）是指在特定的闸射极电压及集极短路至射极时闸极之泄漏电流。此测试可能可以知道正或负的闸射极电压。所量测的电流是相当小的，因此，脉冲至少须维持一个电源周期的积分时间，避免因闸极电容吸收的电流所产生之误差。此量测必须在闸极电压稳定后才可进行。

HZ4838晶体管特性图示仪

晶体管特性图示仪是一种用示波管显示半导体器件的各种特性曲线，并可测量其静态参数的测试仪器。它功能强，操作方便，对于从事半导体管机理的研究及半导体在无线电领域的应用，是必不可少的测试工具。