化学气相沉积设备产品及厂家
gd-j 304不锈钢法兰连接手动真空挡板阀用于接通或切断真空管路中的气流。适用介质为纯净空气和非腐蚀性气体。高真空挡板阀按轴封结构可分gd-j型橡胶轴封和gd-j(b)型波纹管轴封两种。按通导形式可分gd-j为角通型式，gd-s为带预抽口的三通型式。适用范围：10^5～6.7×10^-4pa(轴封为橡胶) 阀门漏率：≤1.3×10-4pa.l/s.(轴封为橡胶）
更新时间:2025-07-04
德国iplas微波等离子化学气相沉积 cyrannus 1-6" 2.45ghz系统，德国 iplas公司的独 家 利多天线耦合微波等离子技术（cyrannus®），可在反应腔中实现高的 sp3 键转化率，使得腔体中充满过饱和原子氢和含碳基团，从而有效地提高了沉积速率并且使得金刚石的沉积质量得到改善。
更新时间:2025-07-04
德国iplas微波等离子化学气相沉积 iplas mpcvd 915mhz系统,德国 iplas公司的独家利多天线耦合微波等离子技术（cyrannus®），可在反应腔中实现高的 sp3 键转化率，使得腔体中充满过饱和原子氢和含碳基团，从而有效地提高了沉积速率并且使得金刚石的沉积质量得到改善，这正是获取优质金刚石的技术基础。
更新时间:2025-07-04
德国netzsch 差示扫描量热仪dsc 3500 sirius，该技术操作简便，分析快速，在研发、制造和质量检验域中逐渐成为不可取代的检测技术。针对具体材料、产品的应用和性能评估及解析，对应有各种各样的标准（如astm，din，iso等）。
更新时间:2025-07-04
pe-cvd结构特点介绍：pecvd系列真空管式高温烧结炉如图所示,集控制系统与炉膛为一体；2、炉衬使用真空成型高纯氧化铝聚轻材料，采用进口高温合金电阻丝为加热元件；3、高纯石英管横穿于炉体中间作为的炉膛，炉管两端用不锈钢法兰密封，工件式样在管中加热，加热元件与炉管平行，均匀地分布在炉管外，有效的保证了温场的均匀性；支持定制15611171559.
更新时间:2025-07-04
ccq气动超高真空插板阀是通过电磁换向阀改变气路方向，控制执行气缸驱动阀板作上下运动，达到阀门的开启或关闭。阀门用于接通或切断真空管路中的气流。适用介质为纯净空气和非腐蚀性气体。带反馈信号装置。 适用范围：105～1.3×10-7pa 阀门漏率：≤1.3×10-8pa.l/s.
更新时间:2025-06-14
epee系列 等离子化学气相沉积系统单片和多片式架构，满足量产和研发客户需求 advanced single-chip and multi-chip design, meet the needs of mass production and r&d
更新时间:2025-06-13
pd-2201lc 是一种盒式装载等离子体增强化学气相沉积 (pecvd) 设备，能够沉积硅基薄膜（氧化硅、氮化硅、氧氮化硅和非晶硅）。该系统在节省空间的提下提供了pecvd的所有标准功能。可在直径220毫米的区域内沉积具有优异厚度均匀性和应力控制的薄膜，并具有优异的稳定性和可重复性。用于参数控制和配方存储。该系统是大规模生产用薄膜沉积的理想选择，具有优异的重复性。
更新时间:2025-06-13
al-1通过交替向反应室提供有机金属原料和氧化剂，仅利用表面反应沉积薄膜，实现了高膜厚控制和良好的步骤覆盖率。薄膜的厚度可以控制在原子层的数量。此外，可以在高宽比的孔内壁上沉积覆盖性好、厚度均匀的薄膜。可同时沉积3片ø4英寸的晶片。
更新时间:2025-06-13
pd-220nl 是一种负载锁定等离子体增强化学气相沉积 (pecvd) 系统，能够沉积硅基薄膜（氧化硅、氮化硅、氧氮化硅和非晶硅）。该系统以非常紧凑的占地面积提供了pecvd的所有标准功能。可在直径220毫米的区域内沉积具有优异厚度均匀性和应力控制的薄膜，并具有优异的稳定性和可重复性。用户友好的触摸屏界面，用于参数控制和配方存储。该系统是研发用薄膜沉积以及试生产的理想选择。
更新时间:2025-06-13
pd-3800l是一种能够沉积硅基薄膜（氧化硅、氮化硅、氧氮化硅和非晶硅）的锁载等离子体增强化学气相沉积（pecvd）系统。该系统由于采用了大型反应室，并通过载盘装载多片晶圆进行批量处理，因此产量较高。在直径360mm的区域内可以沉积出具有优异的厚度均匀性和应力控制的薄膜，具有优异的稳定性和可重复性。用户友好的触摸屏界面用于参数控制和配方存储。
更新时间:2025-06-13
pd-220n是用于沉积各种硅薄膜（sio2、si3n4等）的等离子体cvd系统。 pd-220n在提供薄膜沉积所需的全部功能的同时，占地面积比本公司的传统系统小40%。 从尖端研究到半大规模生产，它的应用范围很广。
更新时间:2025-06-13
pd-200stl是一种用于研发的低温(80~400℃)、高速(>300nm/min)等离子体增强型cvd系统。samco独特的液态源cvd系统采用自偏置沉积技术和液态teos源，以低应力沉积sio2薄膜，从薄膜到厚的薄膜（高达100μm）。pd-200stl具有时尚、紧凑的设计，只需要小的洁净室空间。
更新时间:2025-06-13
pd-270stlc是一种低温(80 ~ 400°c)、高速(>300 nm/min)的等离子体增强cvd系统，可用于大规模生产。samco独特的液态源cvd系统采用自偏置沉积技术和液态teos源，以低应力沉积sio2薄膜，从薄膜到厚的薄膜（高达100 µm）。该系统通过采用大气盒装载和ø236毫米的托架实现了高产量，可安装三个ø4英寸的晶圆。
更新时间:2025-06-13
pd-330stc是一种低温(80 ~ 400°c)、高速(>300 nm/min)的等离子体增强cvd系统，可用于大规模生产。samco独特的液态源cvd系统采用自偏置沉积技术和液态teos源，以低应力沉积sio2薄膜，从薄膜到厚的薄膜（高达100 µm）。该系统通过采用大气盒装载和ø300毫米晶圆的优良工艺均匀性，实现了高产量。
更新时间:2025-06-13
pd-100st是一种用于研发的低温(80 ~ 400°c)、高速(>300 nm/min)等离子体增强cvd系统。samco独特的液态源cvd系统采用自偏置沉积技术和液态teos源，以低应力沉积sio2薄膜，从薄膜到厚的薄膜（高达100 µm）。pd-100st具有时尚、紧凑的设计，只需要小的洁净室空间。
更新时间:2025-06-13
g10-碳化硅150 mm 和 200 mm – 支持双晶圆尺寸 – 为您的未来投资提供保障市场上高的晶圆产量 / m2市场上晶圆出色的运行过程性能高度均匀、低缺陷的 sic 外延工艺，可实现大的芯片良率
更新时间:2025-06-13
化合物半导体沉积系统“行星式反应器模块，用于在150/200毫米衬底（si/蓝宝石/sic）上应用氮化镓，可提高生产率和晶圆性能”
更新时间:2025-06-13
化合物半导体沉积系统aix g5 ww c“下一代碳化硅电力电子器件的佳性能，以应对全球大趋势”高吞吐量批量外延与单晶圆控制 - 两全其美。
更新时间:2025-06-13
化合物半导体沉积系统aix 2800g4-tm （ic2）“基于 gaas/inp 的光电子学和射频应用的 hvm 佳反应器”
更新时间:2025-06-13
mocvd系统主要由真空室反应系统、气体（载气与气相有机源）输运控制系统、有机源蒸发输运控制系统、电源控制系统、尾气处理及安全保护报警系统组成。
更新时间:2025-06-13
产品概述：系统主要由真空反应室、上盖组件、热丝架、基片加热台、工作气路、抽气系统、安装机台、真空测量及电控系统等部分组成。设备用途：pecvd就是化学气相沉积法，是一种化工技术，该技术主要
更新时间:2025-06-13
系统主要由3个真空沉积室（分别沉积p、i、n结）、1个进样室、1个中央传输室、平板式电、基片加热台、工作气路、传送机械手、抽气系统、安装机台、射频电源、甚高频电源、尾气处理装置、真空测量及电控系统等部分组成。
更新时间:2025-06-13
系统主要由真空反应室、上盖组件、喷淋头装置、热丝架、基片加热台、工作气路、抽气系统、安装机台、真空测量及电控系统等部分组成。本系统具有pecvd功能和热丝cvd功能。
更新时间:2025-06-13
用于 5g、光子学和 cmos 的 propel 300mm gan mocvd 系统全自动单晶圆簇系统可在 300 毫米基板上生产 5g 射频、光子学和高 cmos 器件。
更新时间:2025-06-13
提供大面积刻蚀与沉积的量产型解决方案，led工业要求高产量，高器件质量和低购置成本。 plasmapro 1000更好地解决了这些需求。
更新时间:2025-06-13
plasmapro 80是一种结构紧凑且使用方便的小型直开式系统，可以提供多种刻蚀和沉积的解决方案。 它易于放置，便于使用，且能确保工艺性能。直开式设计可实现快速晶圆装卸，是研究、原型设计和小批量生产的理想选择。 它通过优化的电冷却和出色的衬底温度控制来实现高性能工艺。
更新时间:2025-06-13
plasmapro 800 为大批量晶圆和 300mm 晶圆的等离子增强化学气相沉积 （pecvd） 工艺提供了灵活的解决方案，它采用了紧凑的开放式装载系统。可实现大型晶圆大规模的批量生产和 300mm 晶圆处理。具有460mm直径的工作台，拥有处理整片的300mm晶圆或大批量43 x 50mm（2”）晶圆的能力， 可提供全套量产解决方案。plasmapro 800是的市场列产品。
更新时间:2025-06-13
设计pecvd工艺模式的目的是要在控制薄膜性能，如折射率、应力、电学特性和湿法化学刻蚀速率的提下，生产均匀性好且沉积速率高的薄膜。plasmapro 100 pecvd 由于电温度均匀性和电
更新时间:2025-06-13
该icpcvd工艺模块设计用于在低生长温度下生产高质量的薄膜，通过高密度远程等离子体实现，从而实现优秀的薄膜质量，同时减少基板损伤。
更新时间:2025-06-13
sentech sipar icp沉积系统是为使用灵活的系统架构的各种沉积模式和工艺开发和设计的。该工具包括 icp 等离子体源 ptsa、一个动态温控基板电和一个受控的真空系统。该系统将等离子体增强化学气相沉积 （pecvd） 和原子层沉积 （ald） 结合在一个反应器中。
更新时间:2025-06-13
sentech depolab 200 是基本的等离子体增强化学气相沉积 （pecvd） 系统，适用于沉积用于蚀刻掩模、膜和电隔离膜以及许多其他材料的介电膜。结合了用于均匀薄膜沉积的平行板电设计的优点和灵活的直接加载设计。从 2 英寸至 200 毫米晶圆和样品片的标准应用开始。
更新时间:2025-06-13
shale® c系列电感耦合等离子体化学气相沉积设备（icp-cvd），通过电感耦合（icp）产生高密度等离子体，并通过电容耦合（ccp）产生偏压，可实现低温、高致密、低损伤、优填充能力的薄膜沉积工艺。该设备采用了8英寸产线设备所通用的国际标准零部件，符合semi的设计标准，并通过了严苛的稳定性和可靠性测试验证。
更新时间:2025-06-13
shale® a系列等离子体增强化学气相沉积设备（pecvd），通过平行电容板电场放电产生等离子体，可以在400℃及以下沉积比较致密、均匀性较好的氧化硅、teos、bpsg、氮化硅、氮氧化硅、非晶硅、非晶碳、非晶碳化硅等薄膜。该设备采用了8英寸产线设备所通用的国际标准零部件，符合semi的设计标准，并通过了严苛的稳定性和可靠性测试验证。
更新时间:2025-06-13
ad-230lp是一种原子层沉积（ald）系统，能够在原子水平上控制薄膜厚度。有机金属原料和氧化剂交替供给反应室，仅通过表面反应进行薄膜沉积。该系统具有负载锁定室，且不向大气开放反应室，因此能够实现薄膜沉积的优良再现性。
更新时间:2025-06-13
pd-200stl是一种用于研发的低温(80~400℃)、高速(>300nm/min)等离子体增强型cvd系统。samco的液态源cvd系统采用自偏置沉积技术和液态teos源，以低应力沉积sio2薄膜，从薄膜到厚的薄膜（高达100μm）。pd-200stl具有时尚、紧凑的设计，只需要小的洁净室空间。
更新时间:2025-06-13
pd-100st是一种用于研发的低温(80 ~ 400°c)、高速(>300 nm/min)等离子体增强cvd系统。samco的液态源cvd系统采用自偏置沉积技术和液态teos源，以低应力沉积sio2薄膜，从薄膜到厚的薄膜（高达100 µm）。pd-100st具有时尚、紧凑的设计，只需要小的洁净室空间。
更新时间:2025-06-13
pd-220nl 是一种负载锁定等离子体增强化学气相沉积 (pecvd) 系统，能够沉积硅基薄膜（氧化硅、氮化硅、氧氮化硅和非晶硅）。该系统以非常紧凑的占地面积提供了pecvd的所有标准功能。可在直径220毫米的区域内沉积具有优异厚度均匀性和应力控制的薄膜，并具有优异的稳定性和可重复性。用户友好的触摸屏界面，用于参数控制和配方存储。该系统是研发用薄膜沉积以及试生产的理想选择。
更新时间:2025-06-13
pd-3800l 化学气相沉积系统是一种能够沉积硅基薄膜（氧化硅、氮化硅、氧氮化硅和非晶硅）的锁载等离子体增强化学气相沉积（pecvd）系统。该系统由于采用了大型反应室，并通过载盘装载多片晶圆进行批量处理，因此产量较高。在直径360mm的区域内可以沉积出具有优异的厚度均匀性和应力控制的薄膜，具有优异的稳定性和可重复性。用户友好的触摸屏界面用于参数控制和配方存储。
更新时间:2025-06-13
pd-2201lc 是一种盒式装载等离子体增强化学气相沉积 (pecvd) 设备，能够沉积硅基薄膜（氧化硅、氮化硅、氧氮化硅和非晶硅）。该系统在节省空间的提下提供了pecvd的所有标准功能。可在直径220毫米的区域内沉积具有优异厚度均匀性和应力控制的薄膜，并具有优异的稳定性和可重复性。
更新时间:2025-06-13
本装置是为了在汽车用head lamp部分提高al的附着性,用plasma,al sputter,cvd法实施sio2 top coating的设备,是缩短生产时间,工序和佳的matching设备.
更新时间:2025-06-13
上海祥树欧茂机电设备有限公司成立于1999年，经过多年的努力与良好的信誉度，公司与国际机电行业品牌twk、mts、hydac、masterk、weber、radio-energie、lenord bauer、elcis、ipf、hemomatik等千余家品牌厂商密切合作，形成了个稳定而高效的全球化国际供应链体系，竭尽全力为客户提供服务。
更新时间:2025-05-19
上海祥树欧茂机电设备有限公司成立于1999年，经过多年的努力与良好的信誉度，公司与国际机电行业品牌twk、mts、hydac、masterk、weber、radio-energie、lenord bauer、elcis、ipf、hemomatik等千余家品牌厂商密切合作，形成了个稳定而高效的全球化国际供应链体系，竭尽全力为客户提供服务。
更新时间:2025-05-19
该设备腔室容量加大，采用吊装放置所需镀膜的产品，配备了罗茨泵和真空泵，加快抽真空速率，适合生产型工厂大批量生产，减少镀膜成本
更新时间:2025-04-08
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