化学气相沉积设备产品及厂家
德国iplas微波等离子化学气相沉积 cyrannus 1-6" 2.45ghz系统，德国 iplas公司的独 家 利多天线耦合微波等离子技术（cyrannus®），可在反应腔中实现高的 sp3 键转化率，使得腔体中充满过饱和原子氢和含碳基团，从而有效地提高了沉积速率并且使得金刚石的沉积质量得到改善。
更新时间:2025-09-02
德国iplas微波等离子化学气相沉积 iplas mpcvd 915mhz系统,德国 iplas公司的独家利多天线耦合微波等离子技术（cyrannus®），可在反应腔中实现高的 sp3 键转化率，使得腔体中充满过饱和原子氢和含碳基团，从而有效地提高了沉积速率并且使得金刚石的沉积质量得到改善，这正是获取优质金刚石的技术基础。
更新时间:2025-09-02
德国netzsch 差示扫描量热仪dsc 3500 sirius，该技术操作简便，分析快速，在研发、制造和质量检验域中逐渐成为不可取代的检测技术。针对具体材料、产品的应用和性能评估及解析，对应有各种各样的标准（如astm，din，iso等）。
更新时间:2025-09-02
syskey 紧凑式溅射系统 compact sputter，- 灵活的基板尺寸，最大可达6英寸- 基板架加热温度最高可达500℃- 出 色的薄膜均匀性，误差小于±3％- 最多可配备5个6英寸磁控溅射源（可选配3或4个）- 支持射频、直流或脉冲直流电源- 最 多可支持3条气体管路- 支持顺序沉积和共沉积- 可选配负载锁定腔室
更新时间:2025-09-02
syskey 紧凑式热蒸发系统 compact thermal 灵活的基板尺寸，最大可达6英寸- 基板架加热温度最高可达500℃- 出 色的薄膜均匀性，误差小于±3％- 可选配电子束或热舟蒸发源（最多3个）- 速率控制沉积- 可沉积多层薄膜，选用特定目标材料- 可选配负载锁定腔室
更新时间:2025-09-02
高真空溅射系统 hv sputter，灵活的基板尺寸，最大可达12英寸或200×200毫米- 基板架加热温度最高可达800℃- 出 色的薄膜均匀性，误差小于±3％- 最多可配备5个6英寸磁控溅射源（可选配3或4个）- 支持射频、直流或脉冲直流，适用于非导电或导电靶材- 可选配射频清洗和刻蚀功能- 可沉积多层薄膜，选用特定目标材料- 可与其他沉积系统集成
更新时间:2025-09-02
超高真空磁控溅射镀膜机 uhv sputter,? 基板支架加热至 800 °c? 优 异的薄膜均匀性小于 ±3％? 磁控溅射源（数量最多 8 个），可选强磁版本? 用于非导电或导电目标的射频、直流或脉冲直流? 使用选定的目标材料沉积多层薄膜? 可与其他特高压沉积系统集成
更新时间:2025-09-02
syskey 高真空热蒸发镀膜机hv thermal，全自动系统可满足各种应用要求，包括oled、opv、opd等。? 基板支架水冷或油冷? 优 异的薄膜均匀性小于 ±3％? 船和电池源（数量最多 12 个）? 可以共蒸发和掺杂? 用选定的目标材料沉积多层薄膜- 可与手套箱集成
更新时间:2025-09-02
syskey 超高真空热蒸发镀膜机uhv thermal, ? 灵活的基板尺寸可达 8 英寸? 基板支架加热至 800 °c? 优 异的薄膜均匀性小于 ±3％? 船和电池源（数量最多 6 个）? 可以共蒸发和掺杂。? 用选定的目标材料沉积多层薄膜? 可与其他沉积系统集成
更新时间:2025-09-02
syskey 高真空电子束镀膜系统 hv e-beam,灵活的基板尺寸可达 12 英寸? 基板支架加热至 800 °c 或水/油/ln2 冷却? 优 异的薄膜均匀性小于 ±3％? 4/6/8 个口袋电子束源（每个口袋最多 40 cc）? 6 kw 电源可支持大部分材料蒸发? 用选定的目标材料沉积多层薄膜? 可与其他沉积技术或沉积系统集成
更新时间:2025-09-02
syskey lift-off e-beam 电子束蒸发镀膜系统，灵活的基板尺寸可达 12 英寸? 基板支架水、油或 ln2 冷却? 优 异的薄膜均匀性小于 ±3％? 4/6/8 个口袋电子束源（每个口袋最多 40 cc）? 6 kw 电源可支持大部分材料蒸发? 用选定的目标材料沉积多层薄膜? 负载锁定是可选的，效率高? 可与其他沉积系统集成? 样品倾斜是可选的
更新时间:2025-09-02
syskey 超高真空电子束镀膜 uhv e-beam, ? 灵活的基板尺寸可达 12 英寸? 基板支架水、油或 ln2 冷却和倾斜? 优 异的薄膜均匀性小于 ±3％? 4/6/8 个口袋电子束光源（每个口袋最多 40 cc）? 6 kw 电源可支持大部分材料蒸发? 用选定的目标材料沉积多层薄膜? 2.pngtorr 是可选的铝基约瑟夫森结? 可与其他沉积系统集成
更新时间:2025-09-02
syskey 积沉多腔体镀膜系系统 pvd cluster,灵活的基板尺寸可达 12 英寸? 基板支架加热或冷却? 优 异的薄膜均匀性小于 ±3％? 溅射/电子束/热/离子蚀刻/氧化/退气? 用选定的目标材料沉积多层薄膜? torr 可选择用于不同的设备- 可与手套箱集成
更新时间:2025-09-02
syskey 小型多腔体镀膜机 mini cluster, 灵活的基板尺寸可达 2 英寸。? 基板支架加热或冷却。? 优 异的薄膜均匀性小于 ±3％。? 溅射/电子束/热/离子蚀刻/氧化/退气? 用选定的靶材沉积多层薄膜。? torr 可针对不同设备进行选择。- 可与手套箱集成。
更新时间:2025-09-02
syskey 等离子增强原子沉积 peald,我们生产用于超薄氧化物和氮化物涂层的 ald 和 peald 系统。6 前体线路可支持5种材料沉积，气体管路拓宽反应窗户。紧凑的手套箱集成不占用额外的实验室空间。
更新时间:2025-09-02
syskey 等离子增强化学气相沉积 pecvd? 灵活的基板尺寸可达 12 英寸? 基板支架加热至 400 °c? 优 异的薄膜均匀性，低于 ±5％? 6 条反应性气体管路，适用于 sio2、si3n4 沉积? 用选定的目标材料沉积多层薄膜? 负载锁定是可选的? 等离子自清洁是可选的? teos 工艺是可选的
更新时间:2025-09-02
syskey rie 反应离子刻蚀机，我们生产用于氧化物和氮化物蚀刻的 rie 系统。气体管线可实现硅基材料刻蚀。全自动作，支持一键工序。
更新时间:2025-09-02
syskey 感应耦合-反应离子刻蚀机 icp-rie,用于氧化物和氮化物蚀刻的 icp-rie 系统。气体管线可实现金属蚀刻。全自动作，支持一键工序。
更新时间:2025-09-02
syskey 离子束刻蚀机 ibe, 离子束蚀刻（ibe）是一种先 进的蚀刻技术，利用离子源去除来自基材表面的材料具有卓 越的均匀性和精度。国际教育局可以适用于金属、氧化物、半导体、有机物等多种材料化合物。这种蚀刻方法涉及使用带电粒子的高能束，通常是氩离子，用于物理去除样品表面的材料。
更新时间:2025-09-02
syskey cvd cluster 化学气相沉积，pecvd和peald系统可以组合在一起，实现薄膜的多层沉积封装。单室仅用于某些薄膜沉淀。样品在两者之间转移自动处理腔室。
更新时间:2025-09-02
德国iplas mpcvd cyrannus® 利技术微波等离子化学气相沉积系统，广泛应用于第四代半导体，射频器件，散热器件，光学窗口等高科技令域，晶圆生长金刚石膜，被誉为半导体终材料。
更新时间:2025-09-02
上海祥树欧茂机电设备有限公司成立于1999年，经过多年的努力与良好的信誉度，公司与国际机电行业品牌twk、mts、hydac、masterk、weber、radio-energie、lenord bauer、elcis、ipf、hemomatik等千余家品牌厂商密切合作，形成了个稳定而高效的全球化国际供应链体系，竭尽全力为客户提供服务。
更新时间:2025-08-13
上海祥树欧茂机电设备有限公司成立于1999年，经过多年的努力与良好的信誉度，公司与国际机电行业品牌twk、mts、hydac、masterk、weber、radio-energie、lenord bauer、elcis、ipf、hemomatik等千余家品牌厂商密切合作，形成了个稳定而高效的全球化国际供应链体系，竭尽全力为客户提供服务。
更新时间:2025-08-13
g10-碳化硅150 mm 和 200 mm – 支持双晶圆尺寸 – 为您的未来投资提供保障市场上高的晶圆产量 / m2市场上晶圆出色的运行过程性能高度均匀、低缺陷的 sic 外延工艺，可实现大的芯片良率
更新时间:2025-08-13
化合物半导体沉积系统“行星式反应器模块，用于在150/200毫米衬底（si/蓝宝石/sic）上应用氮化镓，可提高生产率和晶圆性能”
更新时间:2025-08-13
化合物半导体沉积系统aix g5 ww c“下一代碳化硅电力电子器件的佳性能，以应对全球大趋势”高吞吐量批量外延与单晶圆控制 - 两全其美。
更新时间:2025-08-13
化合物半导体沉积系统aix 2800g4-tm （ic2）“基于 gaas/inp 的光电子学和射频应用的 hvm 佳反应器”
更新时间:2025-08-13
mocvd系统主要由真空室反应系统、气体（载气与气相有机源）输运控制系统、有机源蒸发输运控制系统、电源控制系统、尾气处理及安全保护报警系统组成。
更新时间:2025-08-13
产品概述：系统主要由真空反应室、上盖组件、热丝架、基片加热台、工作气路、抽气系统、安装机台、真空测量及电控系统等部分组成。设备用途：pecvd就是化学气相沉积法，是一种化工技术，该技术主要
更新时间:2025-08-13
系统主要由3个真空沉积室（分别沉积p、i、n结）、1个进样室、1个中央传输室、平板式电、基片加热台、工作气路、传送机械手、抽气系统、安装机台、射频电源、甚高频电源、尾气处理装置、真空测量及电控系统等部分组成。
更新时间:2025-08-13
系统主要由真空反应室、上盖组件、喷淋头装置、热丝架、基片加热台、工作气路、抽气系统、安装机台、真空测量及电控系统等部分组成。本系统具有pecvd功能和热丝cvd功能。
更新时间:2025-08-13
用于 5g、光子学和 cmos 的 propel 300mm gan mocvd 系统全自动单晶圆簇系统可在 300 毫米基板上生产 5g 射频、光子学和高 cmos 器件。
更新时间:2025-08-13
epee系列 等离子化学气相沉积系统单片和多片式架构，满足量产和研发客户需求 advanced single-chip and multi-chip design, meet the needs of mass production and r&d
更新时间:2025-08-13
pd-2201lc 是一种盒式装载等离子体增强化学气相沉积 (pecvd) 设备，能够沉积硅基薄膜（氧化硅、氮化硅、氧氮化硅和非晶硅）。该系统在节省空间的提下提供了pecvd的所有标准功能。可在直径220毫米的区域内沉积具有优异厚度均匀性和应力控制的薄膜，并具有优异的稳定性和可重复性。用于参数控制和配方存储。该系统是大规模生产用薄膜沉积的理想选择，具有优异的重复性。
更新时间:2025-08-13
al-1通过交替向反应室提供有机金属原料和氧化剂，仅利用表面反应沉积薄膜，实现了高膜厚控制和良好的步骤覆盖率。薄膜的厚度可以控制在原子层的数量。此外，可以在高宽比的孔内壁上沉积覆盖性好、厚度均匀的薄膜。可同时沉积3片ø4英寸的晶片。
更新时间:2025-08-13
pd-220nl 是一种负载锁定等离子体增强化学气相沉积 (pecvd) 系统，能够沉积硅基薄膜（氧化硅、氮化硅、氧氮化硅和非晶硅）。该系统以非常紧凑的占地面积提供了pecvd的所有标准功能。可在直径220毫米的区域内沉积具有优异厚度均匀性和应力控制的薄膜，并具有优异的稳定性和可重复性。用户友好的触摸屏界面，用于参数控制和配方存储。该系统是研发用薄膜沉积以及试生产的理想选择。
更新时间:2025-08-13
pd-3800l是一种能够沉积硅基薄膜（氧化硅、氮化硅、氧氮化硅和非晶硅）的锁载等离子体增强化学气相沉积（pecvd）系统。该系统由于采用了大型反应室，并通过载盘装载多片晶圆进行批量处理，因此产量较高。在直径360mm的区域内可以沉积出具有优异的厚度均匀性和应力控制的薄膜，具有优异的稳定性和可重复性。用户友好的触摸屏界面用于参数控制和配方存储。
更新时间:2025-08-13
pd-220n是用于沉积各种硅薄膜（sio2、si3n4等）的等离子体cvd系统。 pd-220n在提供薄膜沉积所需的全部功能的同时，占地面积比本公司的传统系统小40%。 从尖端研究到半大规模生产，它的应用范围很广。
更新时间:2025-08-13
pd-200stl是一种用于研发的低温(80~400℃)、高速(>300nm/min)等离子体增强型cvd系统。samco独特的液态源cvd系统采用自偏置沉积技术和液态teos源，以低应力沉积sio2薄膜，从薄膜到厚的薄膜（高达100μm）。pd-200stl具有时尚、紧凑的设计，只需要小的洁净室空间。
更新时间:2025-08-13
pd-270stlc是一种低温(80 ~ 400°c)、高速(>300 nm/min)的等离子体增强cvd系统，可用于大规模生产。samco独特的液态源cvd系统采用自偏置沉积技术和液态teos源，以低应力沉积sio2薄膜，从薄膜到厚的薄膜（高达100 µm）。该系统通过采用大气盒装载和ø236毫米的托架实现了高产量，可安装三个ø4英寸的晶圆。
更新时间:2025-08-13
pd-330stc是一种低温(80 ~ 400°c)、高速(>300 nm/min)的等离子体增强cvd系统，可用于大规模生产。samco独特的液态源cvd系统采用自偏置沉积技术和液态teos源，以低应力沉积sio2薄膜，从薄膜到厚的薄膜（高达100 µm）。该系统通过采用大气盒装载和ø300毫米晶圆的优良工艺均匀性，实现了高产量。
更新时间:2025-08-13
pd-100st是一种用于研发的低温(80 ~ 400°c)、高速(>300 nm/min)等离子体增强cvd系统。samco独特的液态源cvd系统采用自偏置沉积技术和液态teos源，以低应力沉积sio2薄膜，从薄膜到厚的薄膜（高达100 µm）。pd-100st具有时尚、紧凑的设计，只需要小的洁净室空间。
更新时间:2025-08-13
本装置是为了在汽车用head lamp部分提高al的附着性,用plasma,al sputter,cvd法实施sio2 top coating的设备,是缩短生产时间,工序和佳的matching设备.
更新时间:2025-08-13
sentech sipar icp沉积系统是为使用灵活的系统架构的各种沉积模式和工艺开发和设计的。该工具包括 icp 等离子体源 ptsa、一个动态温控基板电和一个受控的真空系统。该系统将等离子体增强化学气相沉积 （pecvd） 和原子层沉积 （ald） 结合在一个反应器中。
更新时间:2025-08-13
sentech depolab 200 是基本的等离子体增强化学气相沉积 （pecvd） 系统，适用于沉积用于蚀刻掩模、膜和电隔离膜以及许多其他材料的介电膜。结合了用于均匀薄膜沉积的平行板电设计的优点和灵活的直接加载设计。从 2 英寸至 200 毫米晶圆和样品片的标准应用开始。
更新时间:2025-08-13
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