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上海伯东 KRI 离子源应用
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KRI 离子源应用
上海伯东代理美国 KRI 考夫曼离子源主要应用于真空环境下的离子束辅助沉积, 纳米的干式蚀刻和表面改性.
| 常见的工艺应用 | 简称 |
| In-Situ Substrate Preclean 基片预清洗 | PC |
| Ion Beam Modification of Material & Surface Properties 离子束材料和表面改性 | IBSM |
| Ion Beam Assisted Deposition 离子束辅助沉积 | IBAD |
| Ion Beam Etching 离子蚀刻 | IBE |
| Ion Beam Sputter Deposition 磁控溅射辅助沉积 | IBSD |
| Direct Deposition 直接沉积 | DD |
作为一种新兴的材料加工技术, 美国 KRI 考夫曼离子源凭借好的技术性能, 协助客户获得理想的薄膜和材料表面性能. 行业涉及精密光学, 半导体制造, 传感器, 医学等多个域.
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| 精密薄膜控制 |
| 半导体 |
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| 蚀刻晶元 |
| MEMS, 传感器和显示器 |
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| 精密光学 |
| 磁数据存储 |
原创作者:伯东企业(上海)有限公司







