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上海伯东 KRI 射频离子源应用于 12英寸和8英寸金属蚀刻机中
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上海伯东 KRI 射频离子源应用于 12英寸和8英寸金属蚀刻机中
上海伯东代理美国考夫曼 KRI 大口径射频离子源 RFICP 220, RFICP 380 成功应用于 12英寸和 8英寸磁存储器刻蚀机, 8英寸量产型金属刻蚀机中, 实现 8英寸 IC 制造中的 Al, W 刻蚀工艺, 适用于 IC, 微电子,光电子, MEMS 等域.
作为蚀刻机的核心部件, KRI 射频离子源提供高能量, 低浓度的离子束, 单次工艺时间更长, 满足各种材料刻蚀需求! 实现刻蚀过渡金属及非挥发性金属的需求, 可处理晶圆尺寸大 300 mm, 适用于磁性存储器 MRAM 及磁传感器的研发及生产.
KRI 射频离子源 RFICP 220, RFICP 380 技术参数:
| 型号 | RFICP 220 | RFICP 380 |
| Discharge 阳 | RF 射频 | RF 射频 |
| 离子束流 | >800 mA | >1500 mA |
| 离子动能 | 100-1200 V | 100-1200 V |
| 栅直径 | 20 cm Φ | 38 cm Φ |
| 离子束 | 聚焦, 平行, 散射 | |
| 流量 | 10-40 sccm | 5-50 sccm |
| 通气 | Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他 | |
| 典型压力 | < 0.5m Torr | < 0.5m Torr |
| 长度 | 30 cm | 39 cm |
| 直径 | 41 cm | 59 cm |
| 中和器 | LFN 2000 | |
1978 年 Dr. Kaufman 博士在美国创立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研发生产考夫曼离子源, 霍尔离子源和射频离子源. 美国考夫曼离子源历经 40 年改良及发展已取得多项利. 离子源广泛用于离子清洗 PC, 离子蚀刻 IBE, 辅助镀膜 IBAD, 离子溅射镀膜 IBSD 域, 上海伯东是美国考夫曼离子源中国总代理.
鉴于客户信息保密, 若您需要进一步的了解离子源或讨论, 请参考以下联络方式:
上海伯东：叶小姐 台湾伯东：王小姐
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