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Hakuto 离子蚀刻机 10IBE 用于制作闪耀罗兰光栅
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Hakuto 离子蚀刻机 10IBE 技术参数:
| 基板尺寸 | < Ф8 X 1wfr |
| 样品台 | 直接冷却(水冷)0-90 度旋转 |
| 离子源 | 16cm 考夫曼离子源 |
| 均匀性 | ±5% for 4”Ф |
| 硅片刻蚀率 | 20 nm/min |
| 温度 | <100 |
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Hakuto 离子刻蚀机 10IBE 离子源是配伯东公司代理美考夫曼博士创立的 KRI考夫曼公司的考夫曼离子源 KDC 160
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伯东美 KRI 考夫曼离子源 KDC160 技术参数:
| 离子源型号 | |
| Discharge | DC 热离子 |
| 离子束流 | >650 mA |
| 离子动能 | 100-1200 V |
| 栅直径 | 16 cm Φ |
| 离子束 | 聚焦, 平行, 散射 |
| 流量 | 2-30 sccm |
| 通气 | Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他 |
| 典型压力 | < 0.5m Torr |
| 中和器 | 灯丝 |
Hakuto 离子刻蚀机 10IBE 空腔采用 Pfeiffer 涡轮分子泵 Hipace 700, 可抽的空度 < 1 · 10-7 hpa, 良好的保持空腔的空度.
原创作者:伯东企业(上海)有限公司


