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Hakuto 离子蚀刻机 20IBE-C 用于蚀刻 KDP 晶体
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Hakuto 离子蚀刻机 20IBE-C 用于蚀刻 KDP 晶体
某厂商研发部门采用伯东 Hakuto 离子蚀刻机 20IBE-C 用于蚀刻 KDP 晶体进行抛光加工, 用以消除单点金刚石车削（SPDT）后 KDP 晶体表面留下的周期性小尺度波纹.
Hakuto 离子蚀刻机 20IBE-C 技术参数如下:
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Ф4 inch X 6片 | 基板尺寸 | < Ф3 inch X 8片 |
| 样品台 | 样品台可选直接冷却 / 间接冷却, 0-90度旋转 | |
| 离子源 | 20cm 考夫曼离子源 | |
| 均匀性 | ±5% for 8”Ф | |
| 硅片蚀刻率 | 20 nm/min | |
| 温度 | <100 |
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Hakuto 离子蚀刻机 20IBE-C 产品图如上图, 其主要构件包括 Pfeiffer 分子泵, KRI 考夫曼离子源, 触摸屏控制面板, 真空腔体, 样品台. 如下图：
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Hakuto 离子蚀刻机 20IBE-C 的核心构件离子源采用的是伯东公司代理美国 考夫曼博士创立的 KRI考夫曼公司的射频离子源 RFICP220.
伯东 KRI 射频离子源 RFICP220 技术参数:
| 离子源型号 | RFICP 220 |
| Discharge | RFICP 射频 |
| 离子束流 | >800 mA |
| 离子动能 | 100-1200 V |
| 栅极直径 | 20 cm Φ |
| 离子束 | 聚焦 |
| 流量 | 10-40 sccm |
| 通气 | Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他 |
| 典型压力 | < 0.5m Torr |
| 长度 | 30 cm |
| 直径 | 41 cm |
| 中和器 | LFN 2000 |
Hakuto 离子蚀刻机 20IBE-C 的样品台可以 0-90 度旋转, 实现样品均匀地接受离子的轰击, 进而实现提高样品的加工质量.
Hakuto 离子蚀刻机 20IBE-C 配套的是伯东 Pfeiffer 涡轮分子泵 Hipace 700.
通过采用伯东 Hakuto 离子蚀刻机 20IBE-C 刻蚀后, 单点金刚石车削后的表面由初始的6.54nm RMS, 经过 1.76nm RMS 的平坦化层, 最终刻蚀转移到 KDP 晶体表面得到 1.84nm RMS 的光滑表面.
若您需要进一步的了解详细产品信息或讨论 , 请参考以下联络方式 :
上海伯东 : 罗先生 台湾伯东 : 王女士
T: +86-21-5046-1322 T: +886-3-567-9508 ext 161
F: +86-21-5046-1490 F: +886-3-567-0049
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