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Hakuto 离子蚀刻机 7.5IBE 用于芯片去层
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某芯片设计机构研究部门采用伯东 Hakuto 离子蚀刻机 7.5IBE 用于芯片去层.
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Hakuto 离子蚀刻机 7.5IBE 技术规格:
| 真空腔 | 1 set, 主体不锈钢,水冷 |
| 基片尺寸 | 1 set, 4”/6”ϕ Stage, 直接冷却, |
| 离子源 | ϕ 8cm 考夫曼离子源 KDC75 |
| 离子束入射角 | 0 Degree～± 90 Degree |
| 极限真空 | ≦1x10-4 Pa |
| 刻蚀性能 | 一致性: ≤±5% across 4” |
该 Hakuto 离子刻蚀机 7.5IBE 的核心构件离子源是配伯东公司代理美国考夫曼博士创立的 KRI考夫曼公司的考夫曼离子源 KDC 75
伯东美国 KRI 考夫曼离子源 KDC75 技术参数：
| 离子源型号 | 离子源 KDC 75 |
| Discharge | DC 热离子 |
| 离子束流 | >250 mA |
| 离子动能 | 100-1200 V |
| 栅极直径 | 7.5 cm Φ |
| 离子束 | 聚焦, 平行, 散射 |
| 流量 | 2-15 sccm |
| 通气 | Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他 |
| 典型压力 | < 0.5m Torr |
| 长度 | 20.1 cm |
| 直径 | 14 cm |
| 中和器 | 灯丝 |
无论对于工艺设计, 还是生产控制或者缺陷分析, 去层分析是一种重要手段, 芯片本身多层结构（Passivation, Metal, IDL）可一层一层去除, 也就是芯片去层（Delayer）, 通过层次去除（Delayer）可逐层检视是否有缺陷, 并可提供后续实验, 清楚呈现出每一层电路布线结构.
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