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KRI 离子源用于离子束溅射镀制 Ge 纳米薄膜的研究
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KRI 离子源用于离子束溅射镀制 Ge 纳米薄膜的研究
在硅衬底上生长 Ge 量子点呗认为是可能实现 Si 基发光的重要途径, 对 Si 基光电子、微电子或单电子器件有重要影响.
某研究所采用伯东 KRI 离子源用于离子束溅射镀制 Ge 纳米薄膜的研究.
该研究采用的是 FJL560 III 型超高真空多靶磁控与离子束联合溅射设备的离子束溅射室内制备样品, 生长室的本底真空度低于 4x10-4Pa.
其系统工作示意图如下：
该研究所的离子束溅射镀膜组成系统主要由溅射室、离子源、溅射靶、基片台等部分组成.
用于溅射的离子源采用伯东的 KRI 聚焦型射频离子源 380, 其参数如下:
伯东 KRI 聚焦型射频离子源 RFICP 380 技术参数：
| 射频离子源型号 | RFICP 380 |
| Discharge 阳极 | 射频 RFICP |
| 离子束流 | >1500 mA |
| 离子动能 | 100-1200 V |
| 栅极直径 | 30 cm Φ |
| 离子束 | 聚焦 |
| 流量 | 15-50 sccm |
| 通气 | Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他 |
| 典型压力 | < 0.5m Torr |
| 长度 | 39 cm |
| 直径 | 59 cm |
| 中和器 | LFN 2000 |
推荐理由：
聚焦型溅射离子源一方面可以增加束流密度, 提高溅射率; 另一方面减小离子束的散射面积, 减少散射的离子溅射在靶材以外的地方引起污染
生长室的本底真空度低于 4x10-4Pa, 经推荐采用伯东泵组 Hicube 80 Pro, 其技术参数如下：
分子泵组 Hicube 80 Pro 技术参数:
| 进气法兰 | 氮气抽速 | 极限真空 hpa | 前级泵 型号 | 前级泵抽速 | 前级真空 |
| DN 40 ISO-KF | 35 | < 1X10-7 | Pascal 2021 | 18 | AVC 025 MA |
运行结果：
得到了尺寸较均匀的 Ge 岛, 岛的数量也很多.
伯东是德国 Pfeiffer 真空泵, 检漏仪, 质谱仪, 真空计, 美国 KRI 考夫曼离子源, 美国HVA 真空阀门, 美国 inTEST 高低温冲击测试机, 美国 Ambrell 感应加热设备和日本 NS 离子蚀刻机等进口知名品牌的指定代理商.
若您需要进一步的了解详细信息或讨论, 请参考以下联络方式:
上海伯东: 罗先生 台湾伯东: 王女士
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