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伯东 KRI 双离子源辅助离子束溅射技术获取高反射吸收Ta2O5薄膜
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伯东 KRI 双离子源辅助离子束溅射技术获取高反射吸收Ta2O5薄膜
为了获取高性能紫外激光薄膜元件, 急需研制紫外高吸收薄膜, 某研究所采用伯东 KRI 双离子源辅助离子束溅射沉积技术镀制 Ta2O5 薄膜进行研究.
其系统工作示意图如下：
该研究所的离子束溅射镀膜组成系统主要由溅射室、双离子源、溅射靶、基片台等部分组成.
其中双离子源中的一个离子源适用于溅射靶材, 另个离子源是用于基材的预清洗.
用于溅射的离子源采用伯东的 KRI 聚焦型射频离子源 380, 其参数如下:
伯东 KRI 聚焦型射频离子源 RFICP 380 技术参数：
| 射频离子源型号 | RFICP 380 |
| Discharge 阳极 | 射频 RFICP |
| 离子束流 | >1500 mA |
| 离子动能 | 100-1200 V |
| 栅极直径 | 30 cm Φ |
| 离子束 | 聚焦 |
| 流量 | 15-50 sccm |
| 通气 | Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他 |
| 典型压力 | < 0.5m Torr |
| 长度 | 39 cm |
| 直径 | 59 cm |
| 中和器 | LFN 2000 |
推荐理由：
聚焦型溅射离子源一方面可以增加束流密度, 提高溅射率; 另一方面减小离子束的散射面积, 减少散射的离子溅射在靶材以外的地方引起污染
用于预清洗的离子源是采用伯东 KRI 霍尔离子源 Gridless eH 3000
KRI 霍尔离子源 Gridless eH 3000 技术参数:
| 离子源型号
| 霍尔离子源 eH3000 |
| Cathode/Neutralizer | HC |
| 电压 | 50-250V |
| 电流 | 20A |
| 散射角度 | >45 |
| 可充其他 | Ar, O2, N2, H2, organic precursors, others |
| 气体流量 | 5-100sccm |
| 高度 | 6.0“ |
| 直径 | 9.7“ |
| 水冷 | 可选 |
其溅射室需要沉积前本底真空抽到 1×10-5Pa, 经推荐采用伯东分子泵组 Hicube 80 Pro, 其技术参数如下：
| 进气法兰 | 氮气抽速 | 极限真空 hpa | 前级泵 型号 | 前级泵抽速 | 前级真空 |
| DN 40 ISO-KF | 35 | < 1X10-7 | Pascal 2021 | 18 | AVC 025 MA |
运行结果：
伯东 KRI 双离子源辅助离子束溅射技术可以制备不同吸收率的355nm高反射吸收 Ta2O5 薄膜.
伯东是德国 Pfeiffer 真空泵, 检漏仪, 质谱仪, 真空计, 美国 KRI 考夫曼离子源, 美国HVA 真空阀门, 美国 inTEST 高低温冲击测试机, 美国 Ambrell 感应加热设备和日本 NS 离子蚀刻机等进口知名品牌的指定代理商.
原创作者：伯东企业（上海）有限公司
