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SI2302CDS-T1-E3
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价格：￥电议
更新日期：2025/12/18 10:27:44
生 产 地：中国大陆
产品型号：
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徐*
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详细内容
SI2302CDS-T1-E3MOSFET N-CH 20V SOT-23TrenchFET®Vishay SiliconixMOSFET N 通道，金属氧化物逻辑电平门20V2.6A57 毫欧 @ 3.6A，4.5V850mV @ 250µA5.5nC @ 4.5V-710mW表面贴装TO-236-3，SC-59，SOT-23-3SOT-23-3（TO-236）带卷 （TR）
可替代的包装
Digi-Key 零件编号SI2302CDS-T1-E3TR-ND
价格分段单价扩充价格
3,0000.08640259.20
6,0000.08160489.60
15,0000.074401,116.00
30,0000.069602,088.00
现有数量：85000
制造商
Vishay Siliconix
制造商零件编号
SI2302CDS-T1-E3
描述MOSFET N-CH 20V SOT-23
对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令（RoHS）规范的达标情况无铅 / 符合限制有害物质指令（RoHS）规范要求
产品相片SOT-23
标准包装3,000
类别分离式半导体产品
家庭FET - 单
系列TrenchFET®
FET 型MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点逻辑电平门
漏极至源极电压（Vdss）20V
电流 - 连续漏极（Id） @ 25° C2.6A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C57 毫欧 @ 3.6A，4.5V
Id 时的 Vgs（th）（最大）850mV @ 250µA
闸电荷（Qg） @ Vgs5.5nC @ 4.5V
输入电容 （Ciss） @ Vds-
功率 - 最大710mW
安装类型表面贴装
封装/外壳TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商设备封装SOT-23-3（TO-236）
包装带卷 （TR）
其它名称SI2302CDS-T1-E3-ND
SI2302CDS-T1-E3TR
SI2302CDS-T1-E3
