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吉时利 4200-SCS 参数分析仪
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更新日期：2026/9/8 3:31:34
生 产 地：美洲
产品型号：
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徐**
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详细内容
直流I-V测量是器件和材料测试的基础。4200-SCS源测量单元（SMU）是高精度源电流或电压以及同步测量电流和电压的精密仪器。4200-SCS提供的宽范围I-V测量包括：亚ρA漏电测量、μΩ电阻测量。
电容-电压（C-V）测试广泛用于确定各种半导体参数，例如掺杂浓度和分布、载流子寿命、氧化层厚度、界面态密度等。4200-SCS提供3种C-V法：多频（1kHz~10MHz）C-V、超低频（10mHz~10Hz）C-V和准静态C-V。
在分析器件特性时，脉冲I-V测试非常适于防止器件自发热或最小化电荷俘获效应。通过用窄脉冲和/或小占空比脉冲代替直流信号，可以在保持DUT性能的同时提取重要参数。瞬态I-V测量能让科学家或工程师在时域采集超高速电流或电压波形以便研究动态特性。
保持MOS结构栅氧化层的质量和可靠性是半导体圆厂的一项关键任务。电容-电压（C-V）测量通常用于深入研究栅氧化层的质量。4200-SCS配备C-V仪器模块后能简化MOS电容器测量的检验和分析。4200-SCS包括了氧化层厚度、平带电压和阈值电压等常用测量参数。
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