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肖特基-贴片-二管
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更新日期：2022/4/28 10:43:09
生 产 地：中国大陆
产品型号：SS54L到SS510L
商家名片
蒋*
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详细内容
肖特基二管是半导体器件，以其发明人博士（1886年7月23日—1976年3月4日）命名的，SBD是肖特基势垒二管（SchottkyBarrierDiode，缩写成SBD）的简称。
SBD不是利用P型半导体与N型半导体接触形成PN结原理制作的，而是利用金属与半导体接触形成的金属－半导体结原理制作的。因此，SBD也称为金属－半导体（接触）二管或表面势垒二管，它是一种热载流子二管。
肖特基二管是问世的低功耗、大电流、速半导体器件。其反向恢复时间短（可以小到几纳），正向导通压降仅0.4V左右，而整流电流却可达到几千毫安。这些优良特性是快恢复二管的。中、小功率肖特基整流二管大多采用封装形式。
双晶体管放大输入端电流的微小变化后，在输出端输出大的电流变化。双晶体管的增益定义为输出输入电流的比率。另一种晶体管，称为场效应管，将输入电压的变化转化为输出电流的变化。FET的增益等于其transconductance，定义为输出电流的变化与输入电压的变化之比。市场上常见的是N通道和P通道。详见右图(N通道耗尽MOS管)。低压MOS管是P通道中常见的。
场效应管通过在绝缘层上投影一个电场来影响流过晶体管的电流。事实上，没有电流流过绝缘体，所以FET管的GATE电流非常小。常见的FET使用薄层二氧化硅作为GATE下的绝缘体。该晶体管称为金属氧化物半导体（MOS）晶体管，或金属氧化物半导体场效应管（MOSFET）。由于MOS管更小，更省电，它们在许多应用程序中取代了双晶体管。
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