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快恢复二管

快恢复二管

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更新日期:2022/4/21 15:56:04

生 产 地:中国大陆

产品型号:R-1、A-405、DO-41、DO-15

简单介绍:快恢复二管(简称FRD)是一种具有开关特性好、反向恢复时间短特点的半导体二管,主要应用于开关电源、PWM脉宽调制器、变频器等电子电路中,作为高频整流二管、续流二管或阻尼二管使用。

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详细内容

快恢复二管(简称FRD)是一种具有开关特性好、反向恢复时间短特点的半导体二管,主要应用于开关电源、PWM脉宽调制器、变频器等电子电路中,作为高频整流二管、续流二管或阻尼二管使用。 快恢复二管的内部结构与普通PN结二管不同,它属于PIN结型二管,即在P型硅材料与N型硅材料中间增加了基区I,构成PIN硅片。因基区很薄,反向恢复电荷很小,所以快恢复二管的反向恢复时间较短,正向压降较低,反向击穿电压(耐压值)较高。

反向恢复时间(tr)的定义:电流通过零点由正向转换到规定低值的时间间隔。它是衡量高频续流及整流器件性能的重要技术指标。反向恢复电流的波形如图1所示。IF为正向电流,IRM为反向恢复电流。Irr为反向恢复电流,通常规定Irr=0.1IRM。当t≤t0时,正向电流I=IF。当t>t0时,由于整流器件上的正向电压突然变成反向电压,因此正向电流迅速降低,在t=t1时刻,I=0。然后整流器件上流过反向电流IR,并且IR逐渐增大;在t=t2时刻达到反向恢复电流IRM值。此后受正向电压的作用,反向电流逐渐减小,并在t=t3时刻达到规定值Irr。从t2到t3的反向恢复过程与电容器放电过程有相似之处。

快恢复二管的内部结构与普通PN结二管不同,它属于PIN结型二管,即在P型硅材料与N型硅材料中间增加了基区I,构成PIN硅片。因基区很薄,反向恢复电荷很小,所以快恢复二管的反向恢复时间较短,正向压降较低,反向击穿电压(耐压值)较高。

  通常,5~20A的快恢复二管管采用TO–220FP塑料封装,20A以上的大功率快恢复二管采用顶部带金属散热片的TO–3P塑料封装,5A以下的快恢复二管则采用DO–41、DO–15或DO–27等规格塑料封装。

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