Otsuka大塚非接触膜厚计|玉崎半导体

Otsuka大塚非接触膜厚计主打微区、超薄/多层、纳米级精度、可测n/k，常被称为“小型椭偏替代机”。

Otsuka大塚非接触膜厚计原理：显微光谱反射率+干涉解析（非接触、无损）

核心：小光斑（φ3μm）、1秒/点、多50层膜、可测透明/半透明膜

二、型号体系（结构×波段）

1）按机械结构（3类）

OPTM‑A：自动XY平台（离线/实验室、整片Mapping）

OPTM‑F：固定台架（研发/单点量测）

OPTM‑H：分体探头（嵌入产线、Inline）

2）按波段/测厚范围（3档，SiO₂基准）

三、核心参数（全系列共性）

*小光斑：φ3μm（显微聚焦，微区/图案区量测）

测量时间：≤1秒/点（含自动对焦+解析）

层数解析：*多50层同步（含超薄+厚膜叠层）

精度：SiO₂重复精度≤±0.1nm；n/k同步输出

平台（A系列）：300mm兼容XYθ自动平台，2D/3DMapping

特色**：透明基板去除背面反射，真实膜厚/折射率

四、半导体运用场景（按工艺）

1）优良制程（7–28nm）

超薄栅氧/高k：1–10nmHfO₂、Al₂O₃、SiO₂（A1**）

FinFET/GAA：侧墙、间隔层、SiGe外延层厚度+组分（n/k）

STI/ILD：浅沟槽氧化层、层间介质厚度均匀性（A1/A2）

2）光刻/掩模

光刻胶（PR）：100nm–10μm，曝光前后膜厚+均匀性（A1）

硬掩模/抗反射层（ARC）：超薄叠层（A1）

3）功率/化合物半导体

SiC/GaN：外延层、钝化膜、厚氧化层（A3，近红外穿透）

IGBT/MOSFET：厚场氧、钝化膜、保护层（A2/A3）

4）晶圆/封装

临时键合：超薄硅+胶层+支撑基板，微区测胶厚（A2/A3）

TSV周边：硅表面绝缘层、钝化膜（A1/A2）

载板/PI/干膜：5–50μm厚膜、均匀性（A2/A3）

5）FPD/光学（延伸）

OLED/ITO：透明导电膜、有机层（A2）

光学镀膜：AR/HR/DLC、滤光片多层膜（A1/A2）

五、选型速记（半导体优先）

超薄膜（1–100nm）→OPTM‑A1（UV）

通用膜/光刻胶（1–50μm）→OPTM‑A2（Vis）

厚膜/树脂/SiC（10–90μm）→OPTM‑A3（NIR）

离线Mapping/整片检测→A系列（自动平台）

产线Inline嵌入→H系列（分体探头）

六、与FE/SF‑3区别（快速区分）

FE（TE）：大光斑（φ20μm）、整片平均/抽检，量产离线

SF‑3：穿透式、测晶圆厚度+胶层，研磨/键合在线

OPTM：显微小光斑（φ3μm）、微区/图案区、多层+nk，研发/优良制程/微区失效分析

更多：Otsuka大塚非接触膜厚计

http://www.tssemi.com.cn/Products-40047215.html

https://www.chem17.com/st695462/list_2660226.html

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