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OE-300-SI-10基于InGaAS-PIN光电探测器设计原理

点击次数:308 发布时间:2022/8/23 16:37:53
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OE-300-SI-10基于InGaAS-PIN光电探测器设计原理

OE-300系列光电探测器包括一个优质的光电二极管,其后是一个高端的可变增益跨阻放大器。 低噪声性能(NEP)十分出色,并为宽带光电探测器树立了基准,尤其是在中高增益设置中。 当使用Si型号和可选的光纤适配器PRA FC / SMA时,相对较大的检测器使光学对准变得容易,并确保了很高的耦合效率。

OE-300-SI-10技术参数:

探测器类型:Si-PIN
探测器尺寸:1.0 x 1.0MM
波长范围:400 – 1000NM
输入端:可用空间(可用光纤适配器)
NEP(取决于增益设置)[/√Hz]:76 fW - 322 pW

Performance Range

Low Noise

High Speed

Gain Setting [V/A]

(Transimpedance)

102

103

104

105

106

107

103

104

105

106

107

108

Bandwidth
(−3 dB) [MHz]

200

(100)1

80

(60)1

14

3.5

1.8

0.22

175

(100)1

80

(60)1

14

3.5

1.8

0.22

Gain Accuracy

±1 % (transimpedance)

Low Pass Filter

switchable to 1 MHz and 10 MHz

Output Performance

±1 V (@ 50 Ω load), for linear amplification

Power Supply

±15 V, +150 mA/−100 mA typ., ±200 mA recommended

Control Interface

5 opto-isolated digital inputs, TTL/CMOS compatible, analog offset control voltage input

Case

170 x 60 x 45 mm (L x B x H), weight 320 g (0.74 lb.)


应用领域
兆赫范围的通用低噪声光接收器(O / E转换器)
时间分辨的光脉冲和功率测量
激光强度噪声测量(RIN)
示波器,频谱分析仪,A / D转换器和RF锁定放大器的光学前端

原创作者:深圳市嘉士达精密仪器有限公司

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