RTP快速退火炉

　　此款CVD生长系统适用于CVD工艺，如碳化硅镀膜、陶瓷基片导电率测试、ZnO纳米结构的可控生长、陶瓷电容(MLCC)气氛烧结等实验。

　　RTP快速退火炉产品组成：

　　此款CVD系统配置：

　　1.1200度开启式真空管式炉(可选配单温区、双温区)。

　　2.多路质量流量控制系统

　　3.真空系统(可选配中真空或高真空)

　　产品特点：

　　1 控制电路选用模糊PID程控技术，该技术控温精度高，热惯性小，温度不过冲，性能可靠，操作简单。

　　2 气路快速连接法兰结构采用本公司独有的知识产权设计，提高操作便捷性。

　　3 中真空系统具有真空度上下限自动控制功能，高真空系统采用高压强，耐冲击分子泵

　　4 防止意外漏气造成分子泵损坏，延长系统使用寿命。

　　产品特点：

　　1 控制电路选用模糊PID程控技术，该技术控温精度高，热惯性小，温度不过冲，性能可靠，操作简单。

　　2 气路快速连接法兰结构采用本公司独有的知识产权设计，提高操作便捷性。

　　3 中真空系统具有真空度上下限自动控制功能，高真空系统采用高压强，耐冲击分子泵

　　4 防止意外漏气造成分子泵损坏，延长系统使用寿命。

　　RTP快速退火炉产品来源：

　　http://www.chem17.com/st102089/erlist_1156086.html

　　http://www.ctjzh.net/SonList-1156086.html