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报道：离子注入设备 SiC用高温离子注入的解决方案@技术新闻
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报道：离子注入设备 SiC用高温离子注入的解决方案@技术新闻 http://www.app17.com/c149799/products/d11304303.html
离子注入设备
SiC用高温离子注入设备 IH-860DSIC
搭载了高温ESC（静电吸附卡盘）的面向SiC量产用的高能粒子注入装置。
产品特性 / Product characteristics
•可实现自动连续高温处理注入
•1价离子可注入至350keV、2价离子可注入至700keV
（Option：1价离子可注入至430keV、2价离子可注入至860keV）
•通过Dual-End-Station（双工位）实现高产能；
（A系4"高温ESC/B系3"高温ESC、A系6"高温ESC/B系6"常温ESC等等，可配合客户的希望就行规格配置）
•可减轻操作员的负担
• 紧凑式设计
•可大范围对应从试作到量产的各类需求
产品应用 / Product application
• 对应SiC的离子注入装置。
研究开发用中电流离子注入设备IMX-3500
中电流离子注入装置IMX-3500为大能量200keV、对应大晶圆尺寸8inch的离子注入装置，适用于大学等机构的研究开发。
产品特性 / Product characteristics
• 大晶圆尺寸8inch，搭载了可对应不定形基板的台板。
•离子源，除Gas source之外，另外可以使用安全方面更容易处理的B、P、As离子等固体蒸发源。
•HV terminal的部分，与量产装置是同样的构成，可确保高信赖性。
产品应用 / Product application
• 教育、研究开发等
高能对应离子注入设备SOPHI-400
大可对应至2400KeV的高能离子注入装置。
产品特性 / Product characteristics
•枚叶式
•可对应薄片Wafer
•平行Beam
产品应用 / Product application
• 功率器件相关薄片基板工艺、IGBT工艺
可对应低速高浓度的离子注入设备SOPHI-30
低加速、高浓度对应的离子注入设备。
产品特性 / Product characteristics
•枚叶式
•可对应薄片
•非质量分离机的对比优点
1)对应低加速.高浓度的好产能离子注入设备
2)相比过去约一半的低价
3)相比过往设备占用面积为1/3的紧凑型设计
产品应用 / Product application
•Power Device等薄片基板工艺、IGBT工艺
产品参数 / Product parameters
•基板尺寸：Max200mm
原创作者：北京亚科晨旭科技有限公司
