超高分辨率电子束光刻EBL Ultrahigh Resolution EB Lithography (CABL-UH s的技术原理#技术报道

超高分辨率电子束光刻EBL Ultrahigh Resolution EB Lithography (CABL-UH s
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超高分辨率电子束光刻EBL
Ultrahigh Resolution EB Lithography (CABL-UH series)

纳米光刻技术在微纳电子器件制作中起着关键作用,而电子束光刻在纳米光刻技术制作中是好的方法之一。日本CRESTEC公司为21世纪先进纳米科技提供尖端 的电子束纳米光刻（EBL）系统，或称电子束直写（EBD）、电子束爆光系统。

超高分辨率的电子束光刻CABL-UH系列的型号包括：
CABL-UH90 (90keV) 、CABL-UH110 (110keV) 、CABL-UH130 (130keV)

技术参数：
加速电压：高130keV
单段加速能力达到130keV，尽量减少电子枪的长度
超短电子枪长度，无微放电
电子束直径＜1.6nm
小线宽＜7nm
双热控制，实现超稳定直写能力

CRESTEC CABL 系列采用业的恒温控制系统，使得整个主系统的温度保持恒定，再加上主系统内部精密传感装置，使得电子束电流稳定性，电子束定位稳定性，电子束电流分布均一性都得到了大的提高，其性能指标远远高于其它厂家的同类产品，在长达 5 小时的时间内，电子束电流和电子束定位非常稳定，电子束电流分布也非常均一。

原创作者：北京亚科晨旭科技有限公司