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滨松InGaAs线阵图像传感器G14237-512WA
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更新日期：2026/4/13 21:06:43
生 产 地：
产品型号：G14237-512WA
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石*
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详细内容
近红外传感器（0.85至1.45µm）
G14237-512WA是一款InGaAs线性图像传感器，为1064 nm激光拉曼光谱测量而设计。 专门用于测量拉曼光谱范围，截止波长相比之前的产品（G11508-512SA）已有所降低，从而降低了暗电流。 该产品由InGaAs光电二极管阵列和由电荷放大器，偏移补偿电路，移位寄存器和定时发生器组成的CMOS芯片组成。 电荷放大器由CMOS晶体管阵列组成，并连接到InGaAs光电二极管阵列的每个像素。由于每个像素的信号都是以电荷积分模式读取的，因此这款传感器在近红外区域拥有高灵敏度和稳定的工作状态。封装采用气密密封，使产品具有出色的可靠性。 此外，通过使用外部电压可将CMOS芯片上的信号处理电路设为四种转换效率（CE）设置之一。
产品特征
- 低噪音，极低的暗电流 [为之前产品的1/10或更少（截止波长：1.7µm）]
- 有四种转换效率类型可供选择
- 内置饱和对抗电路
- 内置CDS电路
- 内置热敏电阻
- 操作简便（内置定时发生器）
- 高分辨率：25µm间距
详细参数
| 图像尺寸 | 12.8 x 0.5 mm |
| 像素尺寸 | 25 x 250 µm |
| 像素间距 | 50 µm |
| 总像素个数 | 512 pixels |
| 封装 | Metal |
| 线性率 (最大值) | 9150 lines/s |
| 冷却方式 | Two-stage TE-cooled |
| 光谱响应范围 | 850 to 1450 nm |
| 测试条件 | unless otherwise noted, Typ. Ta=25 ℃,Vdd=5 V,INP=Vinp=PDN=4 V,Fref=1.2V,Vclk=5V,f=1 MHz, CE=16 nV/e- |
光谱响应
