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上海伯东代理美国原装进口 KRI考夫曼离子源 KDC 40

上海伯东代理美国原装进口 KRI考夫曼离子源 KDC 40

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价格:¥电议

更新日期:2023/2/13 13:45:22

生 产 地:美洲

产品型号:

简单介绍:上海伯东代理美国原装进口 KRI 考夫曼离子源 KDC 40: 小型低成本直流栅离子源. KDC 40 是 3cm 考夫曼型离子源升款. 具有更大的栅, 更坚固, 可以配置自对准第三层栅. 离子源 KDC 40 适用于所有的离子工艺, 例如预清洗, 表面改性, 辅助镀膜, 溅射镀膜, 离子蚀刻和沉积.

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考夫曼离子源 KDC 40

KRI 考夫曼离子源 KDC 40
上海伯东代理美国原装进口 KRI 考夫曼离子源 KDC 40: 小型低成本直流栅离子源. KDC 40 是 3cm 考夫曼型离子源升款. 具有更大的栅, 更坚固, 可以配置自对准第三层栅. 离子源 KDC 40 适用于所有的离子工艺, 例如预清洗, 表面改性, 辅助镀膜, 溅射镀膜, 离子蚀刻和沉积. 离子源 KDC 40 兼容惰性或活性气体, 例如氧气和氮气. 标准配置下离子能量范围 100 至 1200ev, 离子电流可以超过 120 mA.

KRI 考夫曼离子源 KDC 40 技术参数

型号

KDC 40

供电

DC magnetic confinement

- 阴灯丝

1

- 阳电压

0-100V DC

电子束

OptiBeam™

- 栅

用, 自对准

-栅直径

4 cm

中和器

灯丝

电源控制

KSC 1202

配置

-

- 阴中和器

Filament, Sidewinder Filament 或LFN 1000

- 架构

移动或快速法兰

- 高度

6.75'

- 直径

3.5'

- 离子束

集中
平行
散设

-加工材料

金属
电介质
半导体

-工艺气体

惰性
活性
混合

-安装距离

6-18”

- 自动控制

控制4种气体

* 可选: 可调角度的支架


KRI 考夫曼离子源 KDC 40 应用域
溅镀和蒸发镀膜 PC
辅助镀膜(光学镀膜)IBAD
表面改性, 激活 SM
离子溅射沉积和多层结构 IBSD
离子蚀刻 IBE

若您需要进一步的了解详细产品信息或讨论 , 请参考以下联络方式 :

上海伯东 : 罗先生 台湾伯东 : 王小姐
T: +86-21-5046-1322 T: +886-3-567-9508 ext 161
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M: +86 152-0195-1076 M: +886-939-653-958
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