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美国ITC57300mos管IGBT功率器件动态参数测试仪价格
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价格：￥80000
更新日期：2026/7/27 14:51:49
生 产 地：中国大陆
产品型号：ITC57300-hk
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陈**
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相关标签：C57300mos管IGBT功率器件动态参数测试仪
详细内容
华科智源专业研发生产半导体测试设备，提供ITC57300mos管IGBT功率器件动态参数测试仪，大功率IGBT到小功率管MOS的测试， 包括动态参数和静态参数测试，雪崩能量测试以及热阻测试， 索取相关资料和报价请联系陈先生 13008867918
ITC57300是美国ITC公司设计生产的高集成度功率半导体分立器件动态参数测试设备，采用测试主机+功能测试头+个性板的测试架构，可以满足N沟道、P沟道器件、双极晶体管等的各项动态参数的测试要求，且具有波形实时显示分析功能，是目前具领先水平的完备可靠的动态参数测试设备。
ITC57300动态参数测试系统主机可执行非破坏性的瞬态测量测试，包括对半导体器件绝缘栅双极晶体管（IGBT），功率MOSFET，二极管，双极型器件的测试头。主机包括所有测试设备和必要的软件分析，可执行电阻和电感的开关时间，开关损耗，栅极电荷，TRR /的Qrr和其他瞬态测试。
ITC57300能力
ITC57300动态参数测试系统主机可执行非破坏性的瞬态测量测试，包括对半导体器件绝缘栅双极晶体管（IGBT），功率MOSFET，二极管，双极型器件的测试头。主机包括所有测试设备和必要的软件分析，可执行电阻和电感的开关时间，开关损耗，栅极电荷，TRR /的Qrr和其他瞬态测试。
ITC57300能力
- 测试电压：最大1200 VDC 200（短路电流可达1000A）
- 定时测量：最低为1 ns
- 漏电流限制监视器
- - MOSFET开关时间测试， Max VDD =1.2KV,0.1V Steps
- MOSFET,Diodes Qrr/Trr反向恢复时间测试，Max VDD=1.2KV, 0.1V Steps
- Qrr range：1nc~100uc，Trr range：10ns~2us
- MOSFET栅电荷Qg测试，Max VDD =1.2KV,0.1V Steps
- IGBT感性开关时间测试，Max VDD =1.2KV,0.1V Steps，Inductors range：0.1mH~159.9mH
- IGBT短路耐量测试，Max ISC=1000A
测试标准：
- MIL-STD⁻⁷50 Series
- 额外的电源供应器
- 额外的测试头
- 大包装适配器
- ITC57210 - N-通道和P-通道功率MOSFET，MIL-STD⁻⁷50方法3472开关时间
- ITC57220 - TRR /电源，MOSFET和二极管的Qrr，MIL-STD⁻⁷50方法，3473
- ITC57230 - 栅极电荷功率MOSFET，MIL-STD⁻⁷50方法3471
- ITC57240 - 电感式开关时间为IGBT，MIL-STD 750方法3477
- ITC57250 - （ISC）短路耐受时间，MIL-STD⁻⁷50方法3479
- 很容易改变的测试头
- 在不同参数的自动化测试
- 坚固耐用的PC兼容计算机
- 用户友好的菜单驱动软件
- 可编程测试出纸槽
- 电子表格兼容的测试数据
- 可选内部电感负载
- GPIB可编程测试设备
- 四通道高带宽数字示波器
- 脉冲发生器
- 1200V电源
- 测试头高电压互锁
- 接收端的高电压互锁
- 高速漏极供电开关
厂家深圳市华科智源科技有限公司为您提供美国ITC57300mos管IGBT功率器件动态参数测试仪的详细产品价格、产品图片等产品介绍信息，您可以直接联系厂家获取美国ITC57300mos管IGBT功率器件动态参数测试仪的具体资料
C57300mos管IGBT功率器件动态参数测试仪
