提供者:广州市元奥仪器有限公司 发布时间:2020/9/9 阅读次数:58次 进入该公司店铺我要询价
在过去的十年里,人们对碳化硅(SiC)器件的兴趣显著增长。碳化硅是一种宽禁带半导体材料,由于其有较高的能量效率,特别适用于大功率、高温、高频器件。尽管近年来SiC和外延晶片的材料质量有了很大的改善,但像SFs和BPDs等缺陷存在仍然会导致双极性退化最终导致器件完全损坏。
为了在晶圆层面上识别这些缺陷,已经开发了不同的表征方法,例如缺陷选择刻蚀和x射线形貌。然而,这两种方法都不适用于在设备生产过程中的快速质量控制,它们要么以破坏性的方式工作,要么成本高、耗时长。
为此,INTEGO开发了一种新的多通道SiC检测系统,可以在室温下快速、无损、非接触地检测器件生产链上SiC晶片的关键缺陷。
INTEGO的系统是为洁净室环境ISO 4设计的,能够处理100毫米、150毫米和200毫米SiC基板、外延片或部分加工的晶片。模块化系统的概念使它和配置有关检查方法,照明类型和分辨率的能力。具有高分辨率、高帧速、低噪声、高动态范围和量子效率的pco.edge 5.5,可以保证最高图像质量。
INTEGO高通量应用或灵活的研发使用放面。可配置最多3个独立的监测站,每个工作站都有一个高精度显微镜台和一个单独设计的光致发光、差分干涉对比度(DIC)或亮/暗场显微镜单元。根据所选择的显微镜放大倍数,图像分辨率可以高达0.3μm/像素,能够检测、识别和分类许多甚至小于1μm的不同缺陷。
因此,INTEGO高度可定制的系统能够高效地优化和监控不同类型晶圆的生产过程,节省时间,降低材料和设备生产成本。
网址:Intego GmbH
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