QT2,晶体管图示仪,二极管测试仪,MOS管测试仪,IGBT测试仪
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- QT2型晶体管特性图示仪可根据需要测量半导体二极管、三极管的低频直流参数。
- 最大集电极电流可达50A，基本满足500W以下的半导体管的测试。
- 具备高压测试能力，可对3KV（5KV）\\以下的半导体管进行击穿电压及反向漏电流测试，其测试电流灵敏度可达到0.5uA/度。
- 基极阶梯信号具有脉冲阶梯输出，可测量二次击穿特性。
集电极扫描信号 （输出电压范围/电流容量）三极管和二极管 0～10V / 50A （脉冲阶梯） 20A（平均值） 0～50V / 10A （平均值） 0～100V / 5A （平均值） 0～500V / 0.5A （平均值）二极管高压测试 0～5KV（3KV） / 5mA （最大）
基极阶梯信号
- 阶梯电流:1uA～200mA/级，分17档
- 阶梯电压:0.05～1V/级，分5档
- 阶梯波形:正常（100%），脉冲（10～40%）
Y轴偏转系数
- 集电极电流:1uA～5A/度，分21档
- 二极管电流:1～500uA/div，分9档
- 集电极及二极管电流倍率:×0.5
X轴偏转系数
- 集电极电压:10mV～50V/度，分12档
- 二极管电流:100～500V/度，分3档
- 基电极电压:10mV～1V/度，分7档
一般性能
- 显示面10×10div（1div=0.8cm）
- 视在功率 约80VA
- 约300VA（最大功率）
- 外形尺寸 30×40×52cm
- 重量 30kg
反向击穿电压测试
- VCBO 集电极 - 基极 （发射极开路）
- VEBO 发射极 - 基极 （集电极开路）
- VCEO 集电极 - 发射极 （基极开路）
- VCER 集电极 - 发射极 （基极与发射极间电阻连接）
- VCES 集电极 - 发射极 （基极与发射极短路）
各种特性曲线
- VCE - IC 共发射极 （基极信号为变量）
- IB - IC 共发射极
- VBE - IB 共发射极
- VBE - IO 共发射极
WQ4832图示仪 晶体管测试仪 晶体管图示仪 二三极管测试仪
图示仪 晶体管测试仪 晶体管图示仪 二三极管测试仪 WQ4832
集电极扫描信号 输出电压范围及电流容量 0～5V 10A 0～10V 5A 0～50V 1A 0～100V 0.5A 0～500V 0.1A 0～5000V 5mA 0～500VAC 0.1A 功耗限制电阻：0～500kΩ 分11档 基极阶梯信号 阶梯电流 0.5μA/级～100mA/级，分17档 阶梯电压 0.05V级～1V/级，分5档 Y轴偏转系数 集电极电流 0.5μA/div～1A/div，分20档 二极管电流 50nA/div～1μA/div，分5档 X轴偏转系数 集电极电压 10mV/div～50V/div，分12档 一般性能 适应电源 AC220V±10% 50Hz±4% 视在功率 约50VA（非测试状态） 约80VA最大功率 外形尺寸 320×210×400mm 重量 18kg
晶体管图示仪 WQ4832
XJ4810 / XJ4810A 晶体管图示仪 销售维修
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- XJ4810型/XJ4810A型半导体管特性图示仪采用示波管显示半导体器件的各种特性曲线，并测量其静态参数。
- 具有二簇曲线显示，左右分列显示并可左右位移，双向集电极扫描电路，可以对被测半导体器件的特司长进行对比分析，便于对管或配件配对。
- 本机IR测量达200nA/div，配备扩展装置后，VC可达3KV；
- 可测试CMOS及TTL门电路传输特性；
- 可对场效应管进行配对或对管测试；
- 可测试三端稳压管特性。
集电极扫描信号
输出电压范围及电流容量
| 0～5V | 10A（XJ4810A） |
| 0～10V | 5A |
| 0～50V | 1A |
| 0～100V | 0.5A |
| 0～500V | 0.1A |
基极阶梯信号
| 阶梯电流 | 0.2μA/级～50mA/级，分17档（XJ4810） |
| 0.2μA/级～100mA/级，分18档（XJ4810A） | |
| 阶梯电压 | 0.05V级～1V/级，分5档（XJ4810） |
| 0.1V级～2V/级，分5档（XJ4810A） |
Y轴偏转系数
| 集电极电流 | 10μA/div～0.5A/div，分15档（XJ4810） |
| 10μA/div～1A/div，分16档（XJ4810A） | |
| 二极管电流 | 0.2μA/div～5μA/div，分5档 |
| 倍率 | ×0.1 |
X轴偏转系数
| 集电极电压 | 0.05V/div～50V/div，分10档 |
| 基极电压 | 0.05V/div～1V/div，分5档 |
XJ-4810型半导体特性图示仪，是一种用示波管显示半导体器件的各种特性曲线，并可测量其静态参数的测试仪器。
1.1 本仪器主要由以下几个部分组成：
1.1.1 Y轴放大器及X轴放大器。
1.1.2 阶梯信号发生器
1.1.3 集电极扫描发生器
1.1.4 主电源及高压电源部分
1.2 本仪器是继JT-1后的开发产品，它除了继承JT-1的优点外，作了较大改进与提 高，它与其他半导体管特性图示仪相比，具有以下特点：
1.2.1 本仪器采用全晶体管化电路、尺寸小、重量轻。
1.2.2 增设集电极双向扫描电路及装置，能同时观察二极管的正反向输出特性曲线、简化测试手续。
1.2.3 配有双簇曲线显示电路，对于中小功率晶体管各种参数的配对，尤为方便。
1.2.4 本仪器专为工作于小电流超b晶体管测试作了提高，最小阶梯电流可达0.2μA/级
1.2.5 本仪器还专为测试二极管的反向漏电流采取了适当措施，使测试的IR达20nA/div。
1.2.6 本仪器配上它的扩展装置—XJ27100场效应管配对测试台可对国内外各种场效应对管和单管进行比较测试。
1.2.7 本仪器配上它的扩展装置—XJ27101数字集成电路电压传输特性测试台，可测试CMOS，TTL数字集成电路的电压传输特性。
主要技术指标
2.1 Y轴偏转因数
集电极电流范围（Ic）10μA/div-0.5A/div 分15档，误差不超过±3%。
二极管反向漏电流（IR）0.2μA/div-5μA/div 分5档。
2μA/div-5μA/div 误差不超过±3%。
0.2μA/div、0.5μA/div、1μA/div 误差分别不超过±20%、±10、±5%
基极电流或基极源电压 0.05V/div 误差不超过±3%。
外接输入 0.05V/div 误差不超过±3%。
偏转倍率 ×0.1 误差不超过±（10%+10nA）。
2.2 X轴偏转因数
集电极电压范围 0.05V/div—50V/div 分10档 误差不超过±3%。
基极电压范围 0.05V/div—1V/div 分5档 误差不超过±3%。
基极电流或基极源电压 0.05V/div 误差不超过±3%。
外接输入 0.05V/div 误差不超过±3%。
2.3阶梯信号
阶梯电流范围： 0.2μA/级-50mA/级 分17档
1μA/级-50mA/级 误差不超过±5%。
0.2μA/级、0.5μA/级 误差不超过±7%。
阶梯电压范围： 0.05V/级-1V/级 分5档 误差不超过±5%。
串联电阻： 0、10KΩ、1MΩ 分3档 误差不超过±5%
每簇级数； 1—10连续可调
每秒级数： 200
极性： 正、负 分2档
2.4 集电极扫描信号
峰值电压与峰值电流容量：各档级电压连续可调，其最大输出不低于下表要求（AC例外）
档级 198V 220V 242V0—10V 档0—9V 5A0—10V 5A0—11V 5A
0—50V 档0—45V 1A0—50V 1A0—55V 1A
0—100V 档0—90V 0.5A0—100V 0.5A0—110V 0.5A
0—500V 档0—450V 0.1A0—500V 0.1A0—550V 0.1A
功耗限制电阻0—0.5MΩ分11档，误差不超过±10%
吴江晶体管图示仪 晶体管图示仪CA4810A原装现货
简介 4814型半导体管特性图示仪是测量半导体器件直流及低频参数的专用仪器,它通过示波管屏幕及标尺刻度,准确的反映器件的特性曲线,其信息量之大是其它类型直流测试设备所达不到的,亦显示出图示仪的独特优势,因此它是半导体器件厂家及整机研制部门进行半导体器件的研制,性能改善,电路设计,器件的合理应用等工作必不可少的理想测试设备。 本仪器功能齐全,测试范围宽, 绝大部分电路实现了集成化, 其中集电极扫描电路实现了电子扫描,大电流测试状态进行了占空比压缩,减小了成本,减小了重量.阶梯部分的大电流测试状态采用了脉冲阶梯输出,减小了被测管的发热. 集电极电流测试新增了电子保护电路提高了反映速度,增加了仪器自身及对外保护能力,部分功能参考美国Tex-577产品特点,还有部分功能是为方便测试而增设的,因此使本仪器的应用范围得到拓宽。主要技术指标X轴系统工作方式: 分集电极电压(Vc),基极电压(Vb),二极管电压(Vd)和阶梯信号四类.位移范围: 大于10度集电极电压偏转因数: 20mV/度 ～ 20V/度. 1-2-5序共10挡 误差≤&plun;3%基极电压偏转因数: 20mV/度 ～ 1V/度. 1-2-5序共6挡 误差≤&plun;3%二极管电压偏转因数: 100V/度 ～ 500V/度. 1-2-5序共3挡 误差≤&plun;3%.阶梯信号偏转因数: 1阶/度 误差≤&plun;5%Y轴系统工作方式: 分集电极流(Ic),和阶梯信号两类.位移范围: 大于10度集电极电流偏转因数: 1μA/度～ 2A/度. 1-2-5序共20挡 误差≤&plun;3%阶梯信号偏转因数: 1阶/度 误差≤&plun;5%阶梯信号源工作方式: 分恒压源和恒流源两类极性: 正或负:阶梯电流源: 1mA ～ 200mA/阶 1-2-5序共17挡 误差≤&plun;5%:阶梯电压源: 20mV/度 ～ 1V/度 1-2-5序共6挡 误差≤&plun;5% (源内阻100Ω)级/族: 1-10 连续步进集电极扫描电源额定电压范围及容量: 0 ～ 20V 20A 0 ～ 200V 0.5A 0 ～ 5000V 0.002A.极性: 正或负方式: 0-20V 范围 (Y轴 0.001~5mA/度) 100Hz 0-20V 范围 (Y轴 10~50mA/度 ) 500Hz 0-20V 范围 (Y轴 0.1~0.5A/度 ) 100Hz间歇(8mS)扫描 0-20V 范围 (Y轴 1~2A/度) 50Hz间歇(18m)扫描 0-200V 范围 (Y轴 0.001~5mA/度) 100Hz 0-200V 范围 (Y轴 0.01~0.5A) 100Hz间歇(8mS)扫描 0-5000V 范围 直流 2.2.5显示系统示波管型号: 13SJ38J有效工作面: 75mm×75mm(标尺).分度: 1度(X)=7.5mm 1度(Y)=7.5mm基本安全要求绝缘要求: ≥ 2MΩ漏电流: ≤ 5mA(峰值)介电强度电压试验: 电源进线相对机壳应能承受1500V(50Hz交流有效值)1分钟试验,不出现击穿和飞弧现象.基本配置产品名称晶体管特性图示仪产品型号4814基极阶梯信号阶梯电流范围1A ～ 200mA/阶 1-2-5序共17挡 误差≤&plun;5%阶梯电压范围20mV/度 ～ 1V/度 1-2-5序共6挡 误差≤&plun;5% (源内阻100Ω)阶梯级数1-10 连续步进阶梯极性正或负Y轴偏转系数集电极电流范围1uA/度～ 2A/度. 1-2-5序共20挡 误差≤&plun;3%X轴偏转系数集电极电压20mV/度 ～ 20V/度. 1-2-5序共10挡 误差≤&plun;3%二极管电压100V/度 ～ 500V/度. 1-2-5序共3挡 误差≤&plun;3%显示特性显示屏幕示波管型号: 13SJ38J 有效工作面: 75mm×75mm(标尺) 分度: 1度(X)=7.5mm 1度(Y)=7.5mm环境特性操作环境环境温度: 0 ～ + 40°C，相对湿度: + 40°C 20 ～ 90 % RH物理特性尺寸（E×B×H)mm 480×220×320 (主机) 80×110×40(测试盒件)重量15Kg
QT2型半导体管特性图示仪可测量二极管、三极管的低频直流参数，最大集电极电流超过50A，能满足500VA以下器件的测试。本机附有高压测装置，可对5KV以下的二极管、三极管进行击穿电压及反向漏电流测试。其测试电流最高灵敏度可达0.5μ/div。集电极扫描信号三极管输出电压范围电流容量0～10V50A（脉冲阶梯）20A（平均值）0～50V10A（平均值）0～100V5A（平均值）0～500V0.5A（平均值）二极管0～5KV5mA（最大）基极阶梯信号阶梯电流 1μA/级～200mA/级，分17档阶梯电压 0.05V级～1V/级，分5档阶梯波形 正常（100%），脉冲（10～40%）Y轴偏转系数集电极电流 1μA/div～5A/div，分21档二极管电流 1μA/div～500A/div，分9档倍率 ×0.5X轴偏转系数集电极电压 10mV/div～50mV/div，分12档二极管电流 100V/div～500V/div，分3档一般性能有效显示面 10×10div(1div=0.8cm)使用电源 AC220V/50Hz视在功率 约80VA约300VA(最大功率)外形尺寸 300B×408H×520Dmm3重量 30kg
JMR-1电机磁场分布测试仪 ：主要技术参数工作电源：220V&plun;10%整机功率：0.8KW工作电流：AC 5A箱体颜色：黑电源频率：50HZ或60HZ环境温度：-20－+40℃装夹直径：5－80mm 测试速度：1 min/次量程：2000GS 分辨率：1GS装夹重量：max 3kg 整机重量：45KG磁场拾取：霍尔夹头旋转驱动：步进电机放置：水平 调节：手轮最大测试极数：10极自动寻找磁场零位：有高斯计功能：有磁场最大值寻找：有外形结构：台式，桌面操作
J4810型/XJ4810A型半导体管特性图示仪采用示波管显示半导体器件的各种特性曲线，并测量其静态参数。本仪器具有二簇曲线显示，双向集电极扫描电路，可以对被测半导体器件的特司长进行对比分析，便于对管或配件配对。本仪器IR测量达200nA/div，配备扩展装置后，VC可达3KV；可测试CMOS及TTL门电路传输特性；可对场效应管进行配对或对管测试；可测试三端稳压管特性。集电极扫描信号输出电压范围及电流容量 0～5V 0～10V 5A 0～50V 1A 0～100V 0.5A 0～500V 0.1A基极阶梯信号 阶梯电流 0.2μA/级～50mA/级，分17档(XJ4810) 阶梯电压 0.05V级～1V/级，分5档(XJ4810)Y轴偏转系数集电极电流 10μA/div～0.5A/div，分15档(XJ4810) 二极管电流 0.2μA/div～5μA/div，分5档倍率 ×0.1X轴偏转系数集电极电压 0.05V/div～50V/div，分10档 0.05V/div～1V/div，分5档二族显示二簇曲线左右分列显示并可左右位移一般性能适应电源 AC220V&plun;10% 50Hz&plun;4%视在功率 约50VA（非测试状态）约80VA(最大功率)外形尺寸 320B×220H×400Dmm3重量 17kg
YB-580半导体图示系统 晶体管图示仪 分立器件测试仪 IGBT测试仪
产品介绍
YB580 IGBT(绝缘栅双极型晶体管)测试系统（以下简称 YB580 测试系统）符合:国际电工委员会 IEC 60747-9-2001 规范,符合国标 GB/T17007-1997 规范。YB580 测试系统是本公司推出的一种先进的 IGBT 测试系统。适合研究所、生产企业做元器件筛选检验，IGBT 生产厂用做生产测试，院校做测试分析。
系统可扩展性强，通过选件可以提高电压、电流的测试能力,自动快速测试可以满足用户大生产需要，故障率低也保证了用户的生产效率。在 PC 窗口提示下输入被测器件的测试参数即可完成填表编程，操作人员不需具备专业计算机编程语言知识，使用简捷方便。系统采用带有开尔文感应结构的测试插座，自动补偿由于系统内部及测试电缆长度引起的任何压降，保证各种情况下测试结果的准确可靠。系统面板的显示装置能够及时显示系统的各种工作状态和测试结果。系统提供与机械手、探针台、电脑的连接接口，可以支持各种不同辅助设备的相互连接使用。
基本配置
1、主极电压： 0－－2000V ； 2、电压分辨率：1mV； 3、主极电流：0－－-50A(100A、200A、400A、
500A、700A、800A、1000A、1300A可选）； 4、电流分辨率：1nA ； 5、精度：0.5%+2LSB ； 6、测试速度：0.5MS/参数；
7、可提供的选件有 3000V 阳极高压选件。
| 序号 | 测试参数 | 别称 | 序号 | 测试参数 | 别称 |
| 1) | 栅极-发射极阈值电压 | Vgeth | 2) | 集电极-发射极截止电流 | ICES |
| 3) | 集电极－发射极击穿电压 | BVCES | 4） | 集电极-发射极饱和电压 | VCESAT |
| 5） | 栅极-发射极漏电流正向 | IGESF | 6） | 栅极-发射极漏电流反向 | IGESR |
| 7） | 门极开通电压 | VGEON | 8） | 二极管压降 | VF |
| 9） | 通态电流 | ICON | 10） | 跨导 | GFS |
| 11） | 导通电阻 | RDSON | 12） | 其他功率器件（MOS,晶体管等）的测试 |
技术要求
工作温度： 25℃－－40℃
贮存温度: -15℃－－50℃
工作湿度： 45%－－80%
贮存湿度：10%－－90%
工作电压：200v－－240v
电源频率：47HZ－－63HZ
接地要求：供电电源应良好接地。
通信接口：RS232 USB
系统功耗：<150w
设备尺寸：450mm×570mm×280mm
BJ4814 BJ4814 晶体管图示仪|美达
A. 工作方式: 分集电极电压(Vc),基极电压(Vb),二极管电压(Vd)和阶梯信号四类.
谊邦YB6600大功率半导体图示系统 晶体管图示仪 分立器件测试仪 IGBT测试仪
产品介绍
YB6600是一款很具有代表性的新型半导体晶体管图示系统，本系统可自动生成功率器件的I-V曲线，也可根据客户的实际需求设置功能测试，直接读取数显结果。系统在失效分析，IQC来料检验及高校实验室等部门有广泛的应用。系统生成的曲线都使用ATE系统逐点建立，保证了数据的准确可靠。系统典型的测试时间是6 to 20ms,通常上百个数据点曲线只需要几秒钟时间便可以展现出来，数据捕获的曲线可导入EXCEL等格式进一步分析研究，是一款高效多功能的高端半导体测试设备。
本系统使用方便，只需要通过USB或者RS232与电脑连接，通过电脑中友好的人机界面操作，即可完成测试。并可以实现测试数据以EXCEL和WORD的格式保存。系统提供过电保护功能，门极过电保护适配器提供了广泛的诊断测试。这些自我测试诊断被编成测试代码,以提供自我测试夹具,在任何时间都可以检测。对诊断设备状态和测试结果提供了可靠地保证。
基本配置 1.测 试 电 压： 0-2KV 2.测 试 电 流： 0-50A，
(可扩展到1000A) 3.电 压分辨率： 1mV 4.电流 分辨率： 0.1nA 5.测 试 精 度： 0.2%+2LSB
6.测试速度：0.2MS/参数
| 1 | 双向可控硅（TRIAC） | 2 | 结型场效应管（J-FET ） |
| 3 | MOS场效应管（Power MOSFET） | 4 | 晶体管（Transistor） |
| 5 | 绝缘栅双极大功率晶体管（IGBT） | 6 | 达林顿阵列(Darliknton) |
| 7 | 可控硅整流器（SCR ） | 8 | 稳压/齐纳二极管（Zener） |
| 9 | 三端稳压器（REGULATOR ） | 10 | 光电耦合器（OPTO-COUPLER） |
| 11 | 二极管(Diode) | 12 | 双向触发二极管（DIAC) |
| 13 | 固态过压保护器（SOVP） | 14 | 继电器（RELAY） |
曲线测试种类 ID vs. VDS at range of VGS ID vs. VGS at fixed VDS IS vs. VSD RDS vs. VGS at fixed ID IDSS vs. VDS RDS vs. ID at several VGS HFE vs. IC BVCE（O,S,R,V） vs. IC BVEBO vs. IE BVCBO vs. IC VCE（SAT） vs. IC VBE（SAT） vs. IC VBE（ON） vs. IC VCE（SAT） vs. IB
系统特点 1.图形显示功能
2.局部放大功能 3.程序保护最大电流/电压,以防损坏
4.品种繁多的曲线 5.可编程的数据点对应
6.增加线性或对数 7.可编程延迟时间可减少器件发热
8.保存和重新导入入口程序 9.保存和导入之前捕获图象
10.曲线数据直接导入到EXCEL 11.曲线程序和数据自动存入EXCEL
12.程序保护最大电流/电压,以防损坏
技术要求
工作温度：25℃－－40℃
贮存温度: -15℃－－50℃
工作湿度：45%－－80%
贮存湿度：10%－－90%
工作电压：200v－－240v
电源频率：47HZ－－63HZ
接地要求：供电电源应良好接地。
通信接口：RS232 USB
系统功耗：<150w
设备尺寸：450mm×570mm×280mm
测试功能
YB6600测试系统是一套高速多用途半导体分立器件智能测试系统，它具有十分丰富的编程软件和强大的测试能力，可真实准确测试下列各种大、中、小功率的半导体分立器件。
谊邦YB6500大功率半导体图示系统 晶体管图示仪 分立器件测试仪 IGBT测试仪
YB6500产品介绍
YB6500测试系统是本公司推出的一款先进的大功率半导体分立器件和功率半导体模块测试系统。
本系统适合各大研究所做元器件检验以及在线开发器件做生产测试。系统可扩展性强，通过选件可以提高电压、电流的测试能力和增加测试品种范围。自动快速测试可以满足用户大生产需要，故障率低也保证了用户的生产效率。在PC窗口提示下输入被测器件的测试参数即可完成填表编程，操作人员不需具备专业计算机编程语言知识，使用简捷方便。系统采用带有开尔文感应结构的测试插座，自动补偿由于系统内部及测试电缆长度引起的任何压降，保证各种情况下测试结果的准确可靠。
系统提供与机械手、探针台、电脑的连接接口，可以支持各种不同辅助设备的相互连接使用。
基本配置
1、主极电压： 0－－-2000V
2、电压分辨率：1mV
3、主极电流： 0－－-50A。
可扩展到：100A,200A,400A ，500,600A,800A,1000A，1300A。
4、电流分辨率：1nA 可扩展为10pA
5、测试精度：0.2%+2LSB
6、测试速度：0.5MS/参数
统测试功能
YB6500系统是专为测试半导体分立器件和大功率半导体模块器件而研发设计。它具有十分丰富的编程软件和强大的测试能力，能够真实准确测试以下类型的半导体器件以及相关器件组成的组合器件、器件阵列：
| 序号 | 测试元件类别 | 别称 |
| 1 | 二极管 | DIODE |
| 2 | 晶体管 | TRANSISTOR（NPN型/PNP型） |
| 3 | J型场效应管 | J-FET |
| 4 | MOS场效应管 | MOS-FET |
| 5 | 双向可控硅 | TRIAC |
| 6 | 可控硅 | SCR |
| 7 | 绝缘栅双极大功率晶体管 | IGBT |
| 8 | 硅触发可控硅 | STS |
| 9 | 达林顿阵列 | DARLINTON |
| 10 | 光电耦合 | OPTO-COUPLER |
| 11 | 继电器 | RELAY |
| 12 | 稳压、齐纳二极管 | ZENER |
| 13 | 三端稳压器 | REGULATOR |
| 14 | 光电开关 | OPTO-SWITCH |
| 15 | 光电逻辑 | OPTO-LOGIC |
| 16 | 金属氧化物压变电阻 | MOV |
| 17 | 固态过压保护器 | SSOVP |
| 18 | 压变电阻 | VARISTOR |
| 19 | 双向触发二极管 | DIAC |
注：部分测试器件需要适配器。
测试参数表
漏电参数： IR、 ICBO、 LCEO/S/X、IDSS/X、 IDOFF、 IDRM、 IRRM、ICOFF、IDGO、ICES、IGESF、IGESR、IEBO、 IGSSF、 LGSSR、IGSS、IGKO、 IR(OPTO)
击穿参数： BVCEO BVCES、BVDSS、 VD、 BVCBO、、 VDRM、 VRRM、 VBB、BVR 、 VD+、VD-、BVDGO、BVZ、BVEBO、 BVGSS、 BVGKO
增益参数： hFE、CTR、gFS、VGSTH、VGETH
导通参数: VCESAT、VBESAT、VBEON、 VF、VT、VT+、VT-、 VON、VDSON、VDON、VGSON、VF(Opto-Diode)、VGSTH、VGETH、VTM、VSD、IDON、VSAT、IDSS、IDON、 Notch = IGT1，IGT4、ICON、VGEON、VO(Regulator)、IIN(Regulator)
关断参数: VGSOFF
触发参数: IGT、VGT
保持参数: IH、IH+、IH-
锁定参数： IL、IL+、IL-
混合参数: RDSON、GFS、Input Regulation、Output Regulation
间接参数: IL
CS3100岩琦晶体管图示仪
（一）多用途性（Versatility）
现代的测试设备所须的功能，必须能不被限制其最大电流及电压之供给。目前IGBT的产品其电流可通过1200A及阻断电压可高达3300V，但不久之后IGBT的产品即会有达到4500V及2000A的能力。且无人可预测未来其电压及电流可达到多少，再者，现今IGBT 的测试设备，也须能测试新元件MCTS （ MOS Contrlled Thyristort） 或是IGCT （Integrated Gate-Commutated Thyristor）。
因此，测试设备的评估上，须能适应及符合未来可能的发展，其不论是硬体，如电压电流产生器或软体上。
IWATSU公司推出的CS-3000给用户提出了最佳的解决方案
（二）操作简单（Ease of Handling）
测试设备除了上述之特色外，应仍保持操作简单及效率佳的能力。达此目的最佳之方法即是使用者不须具备特殊训练即可操作此设备。如有使用晶体管特性图示仪的用户，操作起来会更加方便。此测试系统亦可经常地改变测试的半导体元件的型式（通常一天数次），对新的半导体元作的型式其可能会须要不同的制具（jig），或是更复杂的驱动闸控制，或是一缓冲器 （Sunbber） 的保护等。因此，使用模组化系 统即可达到上述之需求。在一个基本的测试系统上，加上一些可更换的测试单元，使其可执行不同范围产品的量测。
（三）安全性（Safety）
IGBT的测试系统因其可提供非常高的电压输出，对操作者来讲是有一 潜在的危险性，当在操作高电压及大电流时，操作员的安全性应予以考虑，即该设备须在不同国家的规范中皆可符合其安全标准。
在执行测试时，在危险的区域应使用滑动式门锁定而予以保护，所有参数皆应设置于安全的工作区域中，所有的保护措施的控制皆应由硬体部份来控制，而不是软体来控制。很显然的，在整条生产线上（研发测试时），时间是一个很重要的因素，因此，安全系统必须要很方便，而尽可能地对测试的速度影响愈小愈好。
静态测试（Static tests）
此测试之目的在提供元件（device）的详细特性，让设计者能精确地预测元件在稳态（Steady state）情况时之行为，此可协助使用者选择最佳的元件来用于他的应用中，更进一步地让其对与半导体元件相连接的设备如：电压钳式单元，闸极驱动，冷却系统等的设计更为妥切。
（一）集射极崩溃电压 （Collector Emitter Breakdown Voltage） VCEs 量测于特定的集极电流IC下闸极短路至射极时，跨于集、射极两端之电压为VcEs 如图1, IGBT 的集射极崩溃电压是会随着介面（Junction）温度增加而增加的（典型对600V之IGBT 会有0.7V/℃）
（二）集极至射极的泄漏电流IcEs ［或称为集极的截止（Cut-off ）电流］
在额定的集射极电压和闸射极短路下之集极电流为IcEs值（如图2）, IcEs的量测通常在25℃及最大的工作介面（Junction）温度，且集极泄漏电流 亦会随介面温度升高而增加。因此，在测试期间限制电流流过及避免 thermal升高是很重要的。
（三）集极至射极的饱和电压 （Collector to emitter saturation voltage） VcEsat VcEsat（图3）是在特定的集极电流，闸射极电压及介面温度时之集射极导通电压VcEsat是相当重要的特性，因为其会决定导通之损失，在大的 极电流时，测试的脉冲必须非常短，如此不致有过多之损失。
（四）二极体顺向电压（Diode Forward Voltage） VF
VF（图4）是指IGBT模组中的飞轮二极体（Freewheeling Diode）在特定电流
及介面温度时之顺向导通电压值。
（五）闸极临界电压（Gate threshold Voltage） VGeth VGeth（图5）是指在特定集极电流及闸极短路至集极时之射极的电压值。 当闸射极电压小于临界值时IGBT是OFF状态，因此闸极临界电压即是闸射极电压使IGBT导通并流过特定的集极电流。VGEth是随着介面温度遽增而递减的（-11mV/℃）。
（六 ）跨导（Transconductance） gfs
跨导（gfs）（图6）是于特定集极电流时，集极电流和闸射极电压之商数 。 跨导是用来表示IGBT增益的方式。由于跨导的量测是在清楚严格的特定条件下所做的两个量测之值，因此，测试设备的精准性对测试结果有很大的影向力。
第二种方法是调整闸射极电压至特定的集射极电压（VP）并思考下列式子：
△ VGE = △Vp
IGBT的顺向跨导是会随着介面温度升高而增加的，其原因在于定闸极电压时，增加集极电流时，因电流Thermal run-away而会使晶片温度升高，因此IGBT 并不被建议来当做一个线性放大器使用。
（七）闸极至射极之泄漏电流IGEs
IGEs（图8）是指在特定的闸射极电压及集极短路至射极时闸极之泄漏电流 。此测试可能可以知道正或负的闸射极电压。所量测的电流是相当小的，因此，脉冲至少须维持一个电源周期的积分时间，避免因闸极电容吸收的电流所产生之误差。此量测必须在闸极电压稳定后才可进行。
WQ4832 晶体管图示仪
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