英飞凌IGBT模块
- 价 格： 8888元
- 型 号：FF1400R17IP4
- 生 产 地：欧洲 访问：10次
- 发布日期：2020/2/14(更新日期：2020/2/17)
- 北京京诚宏泰科技有限公司 (普通会员)
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英飞凌IGBT模块FF1400R17IP4
英飞凌IGBT模块FF1400R17IP4
北京京诚宏泰科技有限公司原装正品销售 英飞凌IGBT模块FF1400R17IP4
关键词：FF1400R17IP4
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产品特点 / 产品详细信息
IGBT 模块，Infineon
Infineon 系列 IGBT 模块提供低切换损耗，用于高达 60 khz 频率的切换。
IGBT 跨一系列电源模块，如 ECONOPACK 封装，1200V 时带集电极开路发射器电压；PrimePACK IGBT 半桥斩波器模块，其 NTC 高达 1600/1700V。 PrimePACK IGBT 可在工业、商业、建筑和农业车辆中找到。 N 通道 TRENCHSTOP TM 和 Fieldstop IGBT 模块适用于硬切换和软切换应用，例如反相器、UPS 和工业驱动器。
封装类型包括：62mm 模块、EasyPACK、EconoPACKTM2/EconoPACKTM3/EconoPACKTM4
IGBT 分立件和模块，Infineon 北京京诚宏泰科技有限公司原装正品销售英飞凌IGBT模块FF1400R17IP4
绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。
FF1400R17IP4产品作用和特性 参数规格
英飞凌FF1400R12IP4 是带有温度检测NTC的PrimePACK?3模块，采用第四代沟槽栅/场终止IGBT4和第四代发射极控制二极管,其电气有很强的坚固性，高短路能力，并带有自限制短路电流 ，辅助逆变器、大功率变流器、电机传动、牵引变流器、风力发电机、UPS系统等工业电子设备中得到广泛的应用。
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英飞凌FF1400R12IP4 IGBT模块是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件，兼有 MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。
产品简介
产品简介
英飞凌FF1400R17IP4 机械特性
· 4kV交流1分钟绝缘
· 封装的CTI>400
· 高爬电距离和电气间隙
· 高功率循环和温度循环能力
· 高功率密度
· 低热阻衬底
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【英飞凌IGBT模块FF1400R17IP4 封装尺寸和结构图】 产品相册
【英飞凌IGBT模块FF1400R12IP4 产品参数】北京京诚宏泰科技有限公司原装正品销售英飞凌IGBT模块FF1400R17IP4 产品资料
| 产品： | IGBT Silicon Modules |
| 品牌和型号 | 英飞凌FF1000R17IP4 |
| 配置： | Dual |
| 集电极—发射极最大电压 VCEO： | 1700 V |
| 集电极—射极饱和电压： | 2.2V |
| 在25 C的连续集电极电流： | 1400A |
| 栅极—射极漏泄电流： | 400 nA |
| 功率耗散： | 20mW |
| 总功率损耗 | 9.55 KW |
| 最大工作温度： | + 150 C |
| 封装 / 箱体： | PRIME3 |
| 商标： | Infineon Technologies |
| 栅极/发射极最大电压： | +/- 20 V |
| 最小工作温度： | - 40 C |
| 安装风格： | Screw |
| 产品报价和PDF资料： | 北京京诚宏泰科技有限公司 |
【英飞凌IGBT模块FF1400R17IP4 电路图】北京京诚宏泰科技有限公司原装正品销售英飞凌IGBT模块FF1400R17IP4
【IGBT模块FF1400R17IP4 IGBT工作原理】北京京诚宏泰科技有限公司原装正品销售英飞凌IGBT模块FF1400R17IP4
IGBT模块有三个端子，分别是G，D，S，在G和S两端加上电压后，内部的电子发生转移(半导体材料的特点，这也是为什么用半导体材料做电力电子开关的原因)，本来是正离子和负离子一一对应，半导体材料呈中性，但是加上电压后，电子在电压的作用下，累积到一边，形成了一层导电沟道，因为电子是可以导电的，变成了导体。如果撤掉加在GS两端的电压，这层导电的沟道就消失了，就不可以导电了，变成了绝缘体。
如果在IGB模块T的栅极和发射极之间加上驱动正电压，则MOSFET导通，这样PNP晶体管的集电极与基极之间成低阻状态而使得晶体管导通;若IGBT的栅极和发射极之间电压为0V，则MOSFET截止，切断PNP晶体管基极电流的供给，使得晶体管截止。
FF600R06ME3
FF200R17KE4 200A,1700V 原装
FF300R17KE4 300A,1700V 原装
FF150R17KE4 150A,1700V 原装
FF600R12ME4 600V,1200V 原装
FF600R12ME4 两单元驱动板，针对FF600R12ME4模块 原装
FF450R17ME4 两单元驱动板，针对FF450R17ME4模块 原装
FF450R12ME4 两单元驱动板，针对FF450R12ME4模块 原装
FF300R17ME4 两单元驱动板，针对FF300R17ME4模块 原装
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FF900R12IE4 两单元驱动板，针对FF900R12IE4模块 原装
FF600R12IP4 两单元驱动板，针对FF600R12IP4模块 原装
FF600R12IE4 两单元驱动板，针对FF600R12IE4模块 原装
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FF900R12IE4 900A,1200V,IGBT4,PrimePack2 原装
FF225R17ME4 225A,1700V,螺栓型 原装
FF300R17ME4 300A,1700V,螺栓型 原装
FF450R17IE4 450A,1700V 原装
FF450R17ME4 450A,1700V,IGBT4,螺栓型 原装
FF200R12KT3_E 200A,1200V,共发射极,用于矩阵开关,双向变换器等 原装
FF300R12KT3_E 300A,1200V,共发射极,用于矩阵开关,双向变换器等 原装
FF400R12KT3_E 400A,1200V,共发射极,用于矩阵开关,双向变换器等 原装
FF450R06ME3 450A,600V,螺栓型 原装
FF225R12ME4 225A,1200V,IGBT4,螺栓型 原装
FF300R12ME4 300A,1200V,IGBT4,螺栓型 原装
FF450R12ME4 450A,1200V,IGBT4,螺栓型 原装
FF600R06ME3 600A,600V,螺栓式 原装
FF600R12IS4F 600A,1200V,PrimePack2 原装
FF1400R12IP4 1400A,1200V,IGBT4,PrimePack3 原装
FF900R12IP4D 900A,1200V,IGBT4,PrimePack2 原装
FF900R12IP4 900A,1200V,IGBT4,PrimePack2 原装
FF600R12IP4 600A,1200V,PrimePack2 原装
FF600R12IE4 600A,1200V,PrimePack2 原装
FF450R12IE4 450A,1200V,IGBT4, PrimePack2 原装
FF450R12KE4 450,1200V,IGBT4 原装
FF300R12KE4 300A,1200V,IGBT4 原装
FF200R12KE4 200A,1200V,IGBT4 原装
FF450R12KT4 450,1200V,IGBT4 原装
FF300R12KT4 300A,1200V,IGBT4, 原装
FF200R12KT4 200A,1200V,IGBT4 原装
FF200R12MT4 200A,1200V,IGBT4,镙栓型 原装
FF150R12MT4 150A,1200V,IGBT4,镙栓型 原装
FF100R12MT4 100A,1200V,IGBT4,镙栓型 原装
FF400R06ME3 400A,600V,螺栓型 原装
FF300R12MS4 300A,1200V,IGBT4,镙栓型 原装
FF150R17ME3G 150A,1700V,螺栓型 原装
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FF300R17ME3 300A,1700V,螺栓型 原装
FF450R17ME3 450A,1700V,螺栓型 原装
FF150R12MS4G 150A,1200V,螺栓型 原装
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关键词：FF1400R17IP4
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