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供应商产品配件信息
型 号：价 格： 电议
所在地点：美洲 
简单介绍：
上海伯东代理美国原装进口 KRI 霍尔离子源 eH 2000 是一款更强大的版本, 带有水冷方式, 他具备 eH 1000 所有的性能, 低成本设计提供高离子电流, 特别适合大中型真空系统. 通常应用于离子辅助镀膜, 预清洗和低能量离子蚀刻.
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配件产品详情
KRI 霍尔离子源 eH 2000
上海伯东代理美国原装进口 KRI 霍尔离子源 eH 2000 是一款更强大的版本, 带有水冷方式, 他具备 eH 1000 所有的性能, 低成本设计提供高离子电流, 特别适合大中型真空系统. 通常应用于离子辅助镀膜, 预清洗和低能量离子蚀刻.
尺寸: 直径= 5.7“ 高= 5.5”
放电电压 / 电流: 50-300V / 10A 或 15A
操作气体: Ar, Xe, Kr, O2, N2, 有机体
KRI 霍尔离子源 eH 2000 特性
• 水冷 - 与 eh 1000 对比, 提供更高的离子输出电流
• 可拆卸阳组件 - 易于维护; 维护时, 大限度地减少停机时间; 即插即用备用阳
• 宽波束高放电电流 - 高电流密度; 均匀的蚀刻率; 刻蚀效率高; 高离子辅助镀膜 IAD 效率
• 多用途 - 适用于 Load lock / 超高真空系统; 安装方便
• 等离子转换和稳定的功率控制
KRI 霍尔离子源 eH 2000 技术参数
| 型号 | eH 2000 / eH 2000L / eH 2000x02/ eH 2000 LEHO |
| 供电 | DC magnetic confinement |
| - 电压 | 40-300V VDC |
| - 离子源直径 | ~ 5 cm |
| - 阳结构 | 模块化 |
| 电源控制 | eHx-30010A |
| 配置 | - |
| - 阴中和器 | Filament, Sidewinder Filament or Hollow Cathode |
| - 离子束发散角度 | > 45° (hwhm) |
| - 阳 | 标准或 Grooved |
| - 水冷 | 板水冷 |
| - 底座 | 移动或快接法兰 |
| - 高度 | 4.0＇ |
| - 直径 | 5.7＇ |
| - 加工材料 | 金属 |
| - 工艺气体 | Ar, Xe, Kr, O2, N2, Organic Precursors |
| - 安装距离 | 16-45” |
| - 自动控制 | 控制4种气体 |
* 可选: 可调角度的支架; Sidewinder
KRI 霍尔离子源 eH2000 应用域
• 离子辅助镀膜 IAD
• 预清洗 Load lock preclean
• 预清洗 In-situ preclean
• Direct Deposition
• Surface Modification
• Low-energy etching
• III-V Semiconductors
• Polymer Substrates
1978 年 Dr. Kaufman 博士在美国创立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研发生产考夫曼离子源, 霍尔离子源和射频离子源. 美国考夫曼离子源历经 40 年改良及发展已取得多项利. 离子源广泛用于离子清洗 PC, 离子蚀刻 IBE, 辅助镀膜 IBAD, 离子溅射镀膜 IBSD 域, 上海伯东是美国考夫曼离子源中国总代理.
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