研究人员以三元Ni-Co-Cr中熵合金体系为研究对象，首先采用分子动力学模拟，结合过渡态理论，考察了位错形核过程中原子的演变情况，发现位错形核过程中伴随着局部fcc-bcc的结构转变，这类bcc缺陷原子作为位错形核的前驱体，促进位错的形成。进一步研究发现这类bcc缺陷多集中为Cr原子。

  为进一步确定这一bcc诱导的位错形核机制，研究人员利用蒙特卡洛方法建立准随机原子模型，进行第一性原理单轴拉伸计算。结果再一次表明，位错形核前总是伴随着bcc原子的产生，且这些bcc原子以Cr元素为主，验证了位错形核过程中bcc团簇的关键作用。

  进一步，通过电子结构计算确定了位错形核过程中bcc缺陷结构产生的电子起源。研究发现，Cr元素表现出明显的电子局域化行为，这一局域化行为使得Cr原子键的变形协调性降低，容易产生应力集中。而且，Cr原子周围原子密度较低，导致Cr原子键抗变形能力较低。Cr原子特殊的电子结构，导致变形过程中周围电子结构的坍塌，从而形成bcc结构，进一步促使位错的形核。

  该研究结合经典分子动力学、过渡态理论和第一性原理计算，获得了电子-原子-缺陷团簇-位错形核之间的关联图谱，有效解析了中高熵合金位错形核的起源与演化机制，为深刻理解高/中熵合金塑性变形的微观机制及高性能合金材料设计提供线索。