原子层沉积系统产品及厂家
itan具有反应离子刻蚀(rie)配置、高密度电感耦合等离子沉积(hdicp)或等离子增强型化学汽相沉积(pecvd)配置。可对单个基片或带承片盘的基片(3”-300mm)进行处理。它还具有多尺寸批量处理功能。价格适宜且占地面积小。
更新时间:2024-04-23
minilock-orion iii是一套最先进的等离子增强型化学汽相沉积(pecvd)系统。 系统的下电极尺寸可为200mm或300mm，且根据电极配置，可以处理单个基片或带承片盘的基片(3” - 300mm尺寸)，或者多尺寸批量处理基片(4x3”; 3x4”; 7x2”)。可沉积的薄膜包括：氧化物、氮氧化物、无定形硅和碳化硅。
更新时间:2024-04-23
nld-3000原子层沉积系统概述：原子层沉积是一项沉积薄膜的重要技术，具有广泛的应用。ald原子层沉积可以满足精确膜厚控制以及高深宽比结构的保形沉积，这方面ald原子层沉积远超过其它沉积技术。由于前驱体流量的随意性不会带来影响，所以在ald原子层沉积中有序、自限制的表面反应将会带来非统计的沉积。这使得ald原子层沉积膜保持高度的光滑、连续以及无孔的特性，可以提供卓越的薄膜性能。ald原子层工艺也可以实现到大基片上。
更新时间:2024-03-28
nld-3500（m）原子层沉积系统概述：原子层沉积是一项沉积薄膜的重要技术，具有广泛的应用。ald原子层沉积可以满足精确膜厚控制以及高深宽比结构的保形沉积，这方面ald原子层沉积远超过其它沉积技术。由于前驱体流量的随意性不会带来影响，所以在ald原子层沉积中有序、自限制的表面反应将会带来非统计的沉积。这使得ald原子层沉积膜保持高度的光滑、连续以及无孔的特性，可以提供卓越的薄膜性能。ald原子层工艺也可以实现到大基片上
更新时间:2024-03-28
nld-4000（m）原子层沉积系统概述：原子层沉积是一项沉积薄膜的重要技术，具有广泛的应用。ald原子层沉积可以满足精确膜厚控制以及高深宽比结构的保形沉积，这方面ald原子层沉积远超过其它沉积技术。由于前驱体流量的随意性不会带来影响，所以在ald原子层沉积中有序、自限制的表面反应将会带来非统计的沉积。这使得ald原子层沉积膜保持高度的光滑、连续以及无孔的特性，可以提供卓越的薄膜性能。ald原子层工艺也可以实现到大基片上
更新时间:2024-03-28
nld-4000（a）全自动原子层沉积系统概述：原子层沉积是一项沉积薄膜的重要技术，具有广泛的应用。ald原子层沉积可以满足精确膜厚控制以及高深宽比结构的保形沉积，这方面ald原子层沉积远超过其它沉积技术。由于前驱体流量的随意性不会带来影响，所以在ald原子层沉积中有序、自限制的表面反应将会带来非统计的沉积。这使得ald原子层沉积膜保持高度的光滑、连续以及无孔的特性，可以提供卓越的薄膜性能。ald原子层工艺也可以实现到大基片上。
更新时间:2024-03-28
nld-4000（icpa）全自动peald系统概述：原子层沉积是一项沉积薄膜的重要技术，具有广泛的应用。ald原子层沉积可以满足精确膜厚控制以及高深宽比结构的保形沉积，这方面ald原子层沉积远超过其它沉积技术。由于前驱体流量的随意性不会带来影响，所以在ald原子层沉积中有序、自限制的表面反应将会带来非统计的沉积。这使得ald原子层沉积膜保持高度的光滑、连续以及无孔的特性，可以提供卓越的薄膜性能。ald原子层工艺也可以实现到大基片上。
更新时间:2024-03-28
npe-3000 pecvd等离子体化学气相沉积系统概述：nano-master pecvd系统能够沉积高质量的sio2, si3n4, 或dlc薄膜到最大可达12” 直径的基片上.该系统采用淋浴头电极或中空阴极射频等离子源来产生等离子，具有分形气流分布的优势.样品台可以通过rf或脉冲dc产生偏压。并可以支持加热和循环冷却水的冷却.使用250l/sec涡轮分子泵及3.5 cfm的机械泵，腔体可以达到低至10-7 torr的真空。标准配置包含1路惰性气体、3路活性气体管路和4个mfc.带有独一无二气体分布系统的平面中空阴极等离子源使得系统可以满足广大范围的要求，无论是等离子强度、均匀度，还是要分别激活某些活性组份，这样系统可以覆盖最广的可能性来获得各种沉积参数。
更新时间:2024-03-28
npe-3500 pecvd等离子体化学气相沉积系统概述：nano-master pecvd系统能够沉积高质量的sio2, si3n4, 或dlc薄膜到最大可达12” 直径的基片上.该系统采用淋浴头电极或中空阴极射频等离子源来产生等离子，具有分形气流分布的优势.样品台可以通过rf或脉冲dc产生偏压。并可以支持加热和循环冷却水的冷却.使用250l/sec涡轮分子泵及3.5 cfm的机械泵，腔体可以达到低至10-7 torr的真空。标准配置包含1路惰性气体、3路活性气体管路和4个mfc.带有独一无二气体分布系统的平面中空阴极等离子源使得系统可以满足广大范围的要求，无论是等离子强度、均匀度，还是要分别激活某些活性组份，这样系统可以覆盖最广的可能性来获得各种沉积参数。
更新时间:2024-03-28
npe-4000（icpa）全自动icpecvd等离子体化学气相沉积系统概述：nano-master icpecvd系统能够沉积高质量的sio2, si3n4, 或dlc薄膜到最大可达6” 直径的基片上.该系统采用淋浴头电极或中空阴极射频等离子源来产生等离子，具有分形气流分布的优势.样品台可以通过rf或脉冲dc产生偏压。并可以支持加热和循环冷却水的冷却.使用250l/sec涡轮分子泵及3.5 cfm的机械泵，腔体可以达到低至10-7 torr的真空。标准配置包含1路惰性气体、3路活性气体管路和4个mfc.带有独一无二气体分布系统的平面中空阴极等离子源使得系统可以满足广大范围的要求，无论是等离子强度、均匀度，还是要分别激活某些活性组份，这样系统可以覆盖最广的可能性来获得各种沉积参数。
更新时间:2024-03-28
nte-4000（a）全自动热蒸发系统概述：nano-master nte-4000是一款pc计算机控制的全自动立式热蒸发系统，在有机物和金属沉积方面具有广泛的应用。设备的设计经过非常慎重的考虑:在小的占地面积情况下实现干净、均匀、可控及可重复的工艺过程。它们具有低价格, 高性能以及高能力的特点，可满足于客户研发及小规模生产的应用要求。 nte-4000热蒸发系统可以在设定的rms电流下，或者在闭环的配置下操作，并且在这种情况下沉积速度的变化被用于调节rms电流以维持恒定的沉积速度。
更新时间:2024-03-28
npe-4000（icpm）icpecvd等离子体化学气相沉积系统概述：nano-master icpecvd系统能够沉积高质量的sio2, si3n4, 或dlc薄膜到最大可达6” 直径的基片上.该系统采用淋浴头电极或中空阴极射频等离子源来产生等离子，具有分形气流分布的优势.样品台可以通过rf或脉冲dc产生偏压。并可以支持加热和循环冷却水的冷却.使用250l/sec涡轮分子泵及3.5 cfm的机械泵，腔体可以达到低至10-7 torr的真空。标准配置包含1路惰性气体、3路活性气体管路和4个mfc.带有独一无二气体分布系统的平面中空阴极等离子源使得系统可以满足广大范围的要求，无论是等离子强度、均匀度，还是要分别激活某些活性组份，这样系统可以覆盖最广的可能性来获得各种沉积参数。
更新时间:2024-03-28
nld-4000（icpm）peald系统概述：原子层沉积是一项沉积薄膜的重要技术，具有广泛的应用。ald原子层沉积可以满足精确膜厚控制以及高深宽比结构的保形沉积，这方面ald原子层沉积远超过其它沉积技术。由于前驱体流量的随意性不会带来影响，所以在ald原子层沉积中有序、自限制的表面反应将会带来非统计的沉积。这使得ald原子层沉积膜保持高度的光滑、连续以及无孔的特性，可以提供卓越的薄膜性能。ald原子层工艺也可以实现到大基片上。
更新时间:2024-03-28
nano-master针对ingan及algan沉积工艺所研发的台式等离子辅助金属有机化学气相沉积系统(pa-mocvd),该系统具有5个鼓泡装置(各带独立的冷却槽)、加热的气体管路、950度样品台三个气体环、淋浴式气体分布的rf射频等离子源以及工艺终端的n2冲洗、250l/sec涡轮分子泵及无油真空泵(5 x 10-7torr极限真空)、pc全自动控制，完全的安全互锁。
更新时间:2024-03-28
nano-master(那诺-马斯特)noc-4000光学涂覆系统提供最先进的技术，系统的设计也可以支持其中任一个腔体的单独使用，同时具备各自的自动上/下载片功能。在一个腔体中实现原子级清洗和光学样片抛光，然后把样片传送到第二级腔体中对同一样片进行表面涂覆，整个过程不间断真空。
更新时间:2024-03-28
nld-3500（a）全自动原子层沉积系统概述：原子层沉积是一项沉积薄膜的重要技术，具有广泛的应用。ald原子层沉积可以满足精确膜厚控制以及高深宽比结构的保形沉积，这方面ald原子层沉积远超过其它沉积技术。由于前驱体流量的随意性不会带来影响，所以在ald原子层沉积中有序、自限制的表面反应将会带来非统计的沉积。这使得ald原子层沉积膜保持高度的光滑、连续以及无孔的特性，可以提供卓越的薄膜性能。ald原子层工艺也可以实现到大基片上。
更新时间:2024-03-28
picosun®p-300b ald系统是专为生产mems设备（例如打印头，传感器和麦克风）以及各种3d物品（例如机械零件，玻璃或金属薄板，硬币，手表零件和珠宝，镜片，光学器件以及医疗设备和植入物。
更新时间:2024-03-25
picosun独特的突破性ald专业知识可追溯到ald技术本身的诞生。于1974年在芬兰发明了ald方法，并在工业上获得了专利。在高质量ald系统设计方面拥有丰富的经验。
更新时间:2024-03-01
picosun®r-200 advanced ald系统适用于数十种应用的研发，例如ic组件，mems器件，显示器，led，激光和3d对象，例如透镜，光学器件，珠宝，硬币和医疗植入物。
更新时间:2024-03-01
型号：新雪丽 (405321) 欧款pvc涂层涤纶防寒工作服；内部衬里为3m thinsulatetm 填充物，带拉链，衬里可拆卸。帽子固定，可折叠到衣领中，
更新时间:2024-02-23
1、实验中心：提供免费实验服务（特殊材料实验除外），帮助客户了解电炉设备及实验物品的性能等参数。(新用户限免费实验1次，老用户*)。2、技术咨询：免费为客户提供电炉设备与实验材料相关的技术咨询、常规技术服务等，设备配件更换，仅收成本费。3、非标订制：可根据实际客户需要订制炉膛尺寸，配置相应的对应规格配件
更新时间:2023-09-01
专业定制的高频电子控制紫外光源，光照均匀，无闪烁，延长灯管寿命全电脑控制所有操作过程，高度程序化（电脑控制暗箱电源/紫外1、2及白光灯的开关/光圈/变焦/焦距）
更新时间:2023-03-20
美国svt公司ald原子层沉积系统自1990年来薄膜淀积设备制造商。拥有独立的室内实验室用于材料研究和工艺开发。提供广泛的服务，包括淀积设备、淀积部件、集成传感器以及工艺控制设备制造和工艺技术的高度结合，为客户提供的技术服务实验室7台应用淀积设备生长出的材料多条设备生产线几乎覆盖了整个薄膜淀积设备市场在薄膜淀积领域拥有超过120台设备的供应商。
更新时间:2021-11-25
veeco(之前称之为cambridge nanotech)已经有15年以上的ald研发生产经验。2003年cambridge nanotech成立于哈佛大学，05年搬到boston并生产出thermal ald - savannah, 之后生产出plasam ald - fuji、批量生产ald-phoenix。2017年被veeco收购，并更新了batch hvm ald - firebird。至今为止，veeco在ald设备已有15年多的经验，全球已安装五百多台ald设备。
更新时间:2020-05-27
veeco(之前称之为cambridge nanotech)已经有15年以上的ald研发生产经验。2003年cambridge nanotech成立于哈佛大学，05年搬到boston并生产出thermal ald - savannah, 之后生产出plasam ald - fuji、批量生产ald-phoenix。2017年被veeco收购，并更新了batch hvm ald - firebird。至今为止，veeco在ald设备已有15年多的经验，全球已安装五百多台ald设备。
更新时间:2020-05-27
veeco(之前称之为cambridge nanotech)已经有15年以上的ald研发生产经验。2003年cambridge nanotech成立于哈佛大学，05年搬到boston并生产出thermal ald - savannah, 之后生产出plasam ald - fuji、批量生产ald-phoenix。2017年被veeco收购，并更新了batch hvm ald - firebird。至今为止，veeco在ald设备已有15年多的经验，全球已安装五百多台ald设备。
更新时间:2020-05-27
veeco(之前称之为cambridge nanotech)已经有15年以上的ald研发生产经验。2003年cambridge nanotech成立于哈佛大学，05年搬到boston并生产出thermal ald - savannah, 之后生产出plasam ald - fuji、批量生产ald-phoenix。2017年被veeco收购，并更新了batch hvm ald - firebird。至今为止，veeco在ald设备已有15年多的经验，全球已安装五百多台ald设备。
更新时间:2020-05-27
此产品广泛应用于：半导体、纳米材料、钠米科技、薄膜材料、薄膜沉积以及航空航天领域。 picosun公司是一个国际化的设备制造商，在全球有销售和服务机构.我们开发和制造原子层沉积反应器用于微米和纳米技术应用。picosun为客户提供用户友好，可靠及多产的ald工艺工具，提供从研发到生产的工业放大。picosun基地在芬兰的espoo，美国总部在detroit。sunale型ald工艺工具被用于欧州、美国及亚洲前沿的科学机构、公司。
更新时间:2020-05-26
ion beam assisted deposition (离子辅助沉积) 离子辅助沉积已经成为在无规取向的基片或无定形基片上沉积双轴结构薄膜的一种重要技术 高性能的ibad(离子辅助沉积)系统
更新时间:2020-05-26
原子层沉积（atomic layer deposition)是一种可以将物质以单原子膜形式一层一层的镀在基底表面的方法。原子层沉积与普通的化学沉积有相似之处。但在原子层沉积过程中，新一层原子膜的化学反应是直接与之前一层相关联的，这种方式使每次反应只沉积一层原子。
更新时间:2020-05-26
原子层沉积（atomic layer deposition)是一种可以将物质以单原子膜形式一层一层的镀在基底表面的方法。原子层沉积与普通的化学沉积有相似之处。但在原子层沉积过程中，新一层原子膜的化学反应是直接与之前一层相关联的，这种方式使每次反应只沉积一层原子
更新时间:2020-05-26
深圳北斗芯微科技有限公司是一家专业pcb线路板设计，芯片解密和oem代工的的公司，主要从事:pcb layout；pcb改板，电路板克隆（抄板）；pcb转原理图，bom单制作； 各类电路板制板；样机制作、调试，pcb批量生产，防抄板技术，半成品加工，oem代工生产，芯片解密等 。公司拥有一批具有多年线路板设计经验的专业技术精英，对多层pcb板有极 其详尽透彻的了解，对含有激光孔、盲孔、埋孔的高端pcb板结构及走线规则的 理解更是胜人一筹。无论是元件密集，遍布微带线、等长线的电脑主板、高端显卡板、千兆网络设备基板，或是对高频处理要求苛刻，电磁兼容性控制严格的小灵通主板、手机主板、无线网卡、蓝牙板、路由器及其他无线通讯设备，以及叠层多达30多层pcb板，盲孔埋孔密布的工控主板，我们都能依据客户提供的一套完好样板一次性克隆成功。
更新时间:2012-07-18
原子层沉积是在一个加热反应器中的衬底上连续引入至少两种前驱体物种，化学吸附的过程直至表面饱和时就自动终止，适当的过程温度阻碍了分子在表面的物理吸附。一个基本的原子层沉积循环包括四个步骤：脉冲a，清洗a，脉冲b和清洗b。沉积循环不断重复直至获得所需的薄膜厚度，是制作纳米结构从而形成纳米器件的工具。
更新时间:2012-03-08
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