铌酸锂材料将引未来片上集成光路的变革。随着全球经济数字化浪潮的推动,智慧城市和数据中心的建设与光子芯片的研发和生产密切相关。铌酸锂材料可用于制备集成激光器、放大器、变频器、电光调制器、光电探测器等关键光子器件,促进了光通信、激光雷达、粒子传感、信息处理等域的快速发展。未来,更多类型的高集成、多功能LNOI芯片将走向产业化,片上集成光路域也将迎来数字经济时代的新发展机遇。"
HMDS预处理系统
将HMDS气相沉积至半导体制造中硅片、砷化镓、铌酸锂、碳化硅、玻璃、蓝宝石、镀金晶圆等材料表面后,经系统加温可反应生成以硅氧烷为主体的化合物。它成功地将硅片表面由亲水变为疏水,其疏水基可很好地与光刻胶结合,起着偶联剂的作用。
智能型HMDS预处理系统(JS-HMDS90-AI)技术性能:
内尺寸:300×300×300,450×450×450,550×550×550(mm)(可定制)
温度范围:RT+50-200℃
真空度:≤1torr
控制方式:人机界面,一键运行
真空泵:无油涡旋真空泵
智能型HMDS预处理系统(JS-HMDS90-AI)特点:
HMDS药液泄漏报警提示功能
HMDS低液位报警提示功能
工艺数据记录功能
药液管道预热功能
程序锁定保护等功能
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