芯片封装材料高低温环境试验方案 满足 AEC-Q100 要求

本方案选用 Grade1 等级，温度区间 - 40℃～+125℃，匹配动力域、BMS、车载主控芯片使用工况，考核封装材料热胀冷缩不匹配带来的疲劳失效。温度循环采用高低温循环试验箱，升降温速率控制在标准要求范围内，高低温端各保温 15min，单次循环不少于 45min，总循环 500 次；每间隔固定循环节点取出样品，进行外观检查、超声扫描 C-SAM，重点监控塑封料与硅片、框架分层、微裂纹扩展。温度冲击采用两槽式冷热冲击箱，高低温槽快速转移，-40℃与 125℃两端保温，冲击循环次数按规范执行，考核材料界面瞬时温差应力耐受能力。高温贮存 125℃持续 1000h，低温贮存 - 40℃持续 1000h，静置不加电，验证封装材料长期高低温环境下的老化、脆变、性能漂移。

全部试验过程管控箱内温场均匀度、波动度，避免局部过温或欠温影响结果。每阶段应力结束后，依次开展电性测试、超声扫描、X 射线、金相抽检。判定准则：封装材料无开裂、无新增分层空洞，电性参数在规格范围内，即为合格；一旦出现分层、塑封体裂纹、键合失效，判定试验不通过，追溯封装材料配方、固化工艺。本方案可用于新材料研发验证、批次一致性确认、第三方车规认证送样，提前暴露封装材料可靠性短板，规避整车端长期温变引发的芯片失效风险。

原创作者：广东皓天检测仪器有限公司