高低温试验箱半导体器件温度循环测试方案

采用单箱式高低温试验箱开展温度循环，选用常规工业常用条件：-55℃～+125℃，升温、降温速率控制 5～10℃/min，高低温端保温驻留时间各 15min，保证器件芯粒充分达到设定温度，单次循环时长约 60min，总循环次数 1000 次，可根据客户需求调整为车规级 2000 次循环。

试验流程分为四个阶段。第1阶段常温预处理与初测，25℃环境下完成全套电性能测试、外观记录，留存基准数据。第二阶段温循加载，启动高低温箱程序，箱内气流均匀度控制在 ±2℃以内，每间隔 200 个循环暂停试验，取出样品在常温恢复后复测电参数与外观，记录参数变化，出现超差样品标记隔离。第三阶段循环结束终检，全部循环完成后静置至常温，复测全部电气指标，同步开展 SAM、X-Ray 无损检测，排查封装内部分层、焊料裂纹。第四阶段失效判定，器件电参数超出规格范围、封装开裂、内部分层、焊点断裂均判定失效；仅参数小幅漂移且在规格区间内，判定合格。

试验全程留存温箱运行曲线、样品参数记录表、影像及检测报告。本方案用于器件研发验证、批次鉴定与来料可靠性筛查，提前暴露封装、键合、焊层热疲劳缺陷，为半导体器件选型、封装结构优化提供可靠试验数据，满足工业与汽车电子可靠性准入要求。

原创作者：广东皓天检测仪器有限公司