利用冷热冲击试验箱评估半导体芯片冷热冲击可靠性

将预处理完成的芯片样品均匀放置于冷热冲击试验箱吊篮内，样品之间保持间距，避免相互堆叠遮挡，保证气流流通，温度可快速传导至样品本体。设置试验条件：高温区 125℃，低温区 - 40℃，高低温驻留时间各 15min，转换时间≤10s，循环次数 1000 次。设备自动完成吊篮切换，实现芯片在高低温腔室间快速转移，模拟芯片在车载、工业控制场景中遭遇的温度骤变工况。

每完成 250 次循环，暂停试验取出样品，在显微镜下观测封装表面有无裂纹、溢胶、鼓包，进行基础电性测试并记录数据；全部循环结束后，对所有样品开展全面检测，借助超声扫描设备检查内部分层、空洞，复测全套电性能指标。对比初始数据，若出现功能失效、参数漂移超出规格、封装结构破损，判定样品冷热冲击可靠性不合格。

试验全程由设备自动记录腔温、冲击次数、切换时间等数据，生成可追溯试验报告。测试完成后，将合格区间、失效节点汇总，反馈给芯片设计与封装工艺部门，用于优化封装胶水、焊料选型以及结构设计，规避后续终端使用中因温度骤变引发的芯片失效风险，保障半导体芯片在严苛工况下长期稳定运行。

原创作者：广东皓天检测仪器有限公司