单元熔断器A5E39487345

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双型晶体管，是由BJT（双型三管）和MOS（绝缘栅型场效应管）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件， 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大；MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。

陈！！！ 18.06.05.03.85.3

西门子高压变频器调制板A1A10000350.00M

功率单元柜风机A5E31417482
变压器柜滤网A5E03927689
功率单元A5E32539903
单元控制板A1A10000432.71M
单元熔断器A5E31476394
不间断电源A5E35632577
电动执行机构 MME812 V78214.M.5.1.C.E.1.1.A-503-387
功率单元A5E31386448
西门子单元控制板A1A10000432.71M
西门子单元熔断器A5E31418506

滤网A5E03927689
信号接口板A5E36968571
DCR机箱A5E37764770
键盘A5E39206479
用户IO板A5E32100313
电源A5E37356659
CPS电源A5E37876282
CF卡A5E35236834
熔断器A5E39487345
功率单元A5E39021143
风机A5E31418276

CF卡A5E35236834
CPS电源A5E37876282
DCR控制器A5E37764770
IO板A5E32100313
IO板A5E37356659
SIB板A5E36968571

原创作者：中海德（福建）工业设备有限公司