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半导体晶圆片和晶锭的电阻率测量
点击次数：374 发布时间：2021/3/17 15:43:06
商家名片
刘**
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电阻率是材料重要的电参数之。它是半导体器件(如太阳能电池)性能的关键参数，并取决于材料的掺杂密度。因此，为了检测掺杂密度的不均匀性，需要对电阻率进行高精度、高分辨率的测量。
图1.典型mc-Si晶片的发射方阻图，平均方阻值为85.1 Ohm/sq
图2.用于光伏应用的典型mc-Si晶片的电阻率图，平均电阻率为1.0 Ohm cm
图3.用于PV应用的典型mc-Si砖的电阻率图，平均电阻率为1.4 Ohm cm
原创作者：弗莱贝格仪器（上海）有限公司
