少子寿命检测在SiC领域的应用

近年来碳化硅材料的质量有了很大的提高，在大功率器件中碳化硅已成为硅的竞争对手。由于碳化硅是种宽带隙半导体，与硅相比，它有许多优点。少数载流子寿命是关系半导体器件性能的基本参数之，特别是SiC在高压器件中的应用。因此，有必要进行寿命检测，以获得某器件的佳性能。为了制造出高成品率的SiC器件，需要种具有高分辨率的材料表征方法，以及种研究SiC缺陷来源的方法，以进步提高SiC器件的质量。

原创作者：弗莱贝格仪器（上海）有限公司