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光纤氘气处理气柜

点击次数:564发布时间:2019/10/27

光纤氘气处理气柜

更新日期:2022/10/13 10:42:23

生 产 地:中国大陆

产品型号:DCL-100

简单介绍:苏州穆尔气体设备有限公司 ꄲ 光纤氘气处理柜 ꄲ 氘气处理柜 ꄲ 光纤氘气处理气柜

光纤氘气处理气柜
产品简介:
各种气柜定制:如光纤上用的氘气柜、光纤氘气处理气柜等,可根据用户来定制,可实现全自动化的操作。

相关标签:氘气柜 光纤氘气柜 

详细内容

 光纤在拉制过程中,会产生一些无序的Si-O自由基团,极易和H生成Si - OH,造1385nm处的水峰增加。因此各种全波光纤拉完丝后都要经过氘处理,才能够经受得住长时间的含氢环境的侵蚀。
 
  氘处理的原理是让氘和Si-O自由基团形成Si-OD,吸收峰在1850nm,这样在光纤的整个寿命期间,氢就无法取代氘的位置。氘和Si-0自由基团的反应如下:
 
                                          Si-O + D2 → Si-OD
 
  按照ITU-T G.652C/D的要求,光纤在经过氢老化后光纤的1383±3nm处的衰减系数要不低于1310nm处的衰减,才能称作全波光纤。
我公司氘气柜、光纤氘气处理气柜主要用于光纤行业的光纤处理。具有有自动抽真空、吹扫、混合配气、自动循环等功能。满足用户对光纤处理的全部功能。
光纤在拉制过程中,会产生一些无序的Si-O自由基团,极易和H生成Si - OH,造1385nm处的水峰增加。因此各种全波光纤拉完丝后都要经过氘处理,才能够经受得住长时间的含氢环境的侵蚀。
 
  氘处理的原理是让氘和Si-O自由基团形成Si-OD,吸收峰在1850nm,这样在光纤的整个寿命期间,氢就无法取代氘的位置。氘和Si-0自由基团的反应如下:
 
                                          Si-O + D2 → Si-OD
 
  按照ITU-T G.652C/D的要求,光纤在经过氢老化后光纤的1383±3nm处的衰减系数要不低于1310nm处的衰减,才能称作全波光纤。
我公司氘气柜、光纤氘气处理气柜主要用于光纤行业的光纤处理。具有有自动抽真空、吹扫、混合配气、自动循环等功能。满足用户对光纤处理的全部功能

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